Nexperia發(fā)布16款新功率MOSFET，采用創(chuàng)新CCPAK封裝
Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的銅夾片CCPAK1212封裝技術(shù)，為行業(yè)樹(shù)立了功率密度和性能的新標(biāo)桿。
CCPAK封裝設(shè)計(jì)獨(dú)特，能夠承載高電流，寄生電感更低，同時(shí)熱性能卓越。這些特性使得新推出的MOSFET非常適合電機(jī)控制、電源管理、可再生能源系統(tǒng)以及其他高耗電應(yīng)用。
值得一提的是，該系列還包含了專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET(ASFET)。這些器件不僅性能出眾，還能滿足AI服務(wù)器對(duì)熱插拔功能的特殊需求。
此外，采用CCPAK封裝的MOSFET提供了頂部和底部?jī)煞N散熱選項(xiàng)，進(jìn)一步提升了功率密度和解決方案的可靠性。這一設(shè)計(jì)使得新器件在散熱性能上有了顯著提升，能夠更好地應(yīng)對(duì)高功率密度環(huán)境下的挑戰(zhàn)。
所有新推出的MOSFET器件封裝均已在JEDEC注冊(cè)，并配備了Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)。這些資源為工程師提供了無(wú)縫集成的便利，使得新器件能夠更快地被應(yīng)用于各種實(shí)際場(chǎng)景中。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9701瀏覽量
233891 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9270瀏覽量
148762 -
功率
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
2121瀏覽量
75731 -
Nexperia
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
796瀏覽量
59941
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
森國(guó)科發(fā)布兩款創(chuàng)新TOLL+Cu-Clip封裝SiC MOSFET產(chǎn)品
在追求更高效率、更高功率密度的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件的性能優(yōu)勢(shì)已得到廣泛認(rèn)可。然而，傳統(tǒng)的封裝技術(shù)正成為限制其潛能全面釋放的關(guān)鍵瓶頸。森國(guó)科（SGKS）近日創(chuàng)新性地推出
MOSFET相關(guān)問(wèn)題分享
損壞。其次是功率。如果功率高于25%，MOS發(fā)熱嚴(yán)重，性能會(huì)急劇下降，因此在設(shè)計(jì)時(shí)需要對(duì)MOS進(jìn)行降額使用。
2.Q: 目前的MOSFET提供哪些封裝？
A：
發(fā)表于 01-26 07:46
新潔能NCE60P16AK：高效可靠的P溝道功率MOSFET
南山電子代理的新潔能NCE60P16AK是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件在低柵極電荷條件下仍能提供優(yōu)異的導(dǎo)通
芯源的MOSFET采用什么工藝
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的
發(fā)表于 01-05 06:12
超越國(guó)際巨頭：微碧半導(dǎo)體VBGQTA1101以頂尖TOLT封裝重塑功率密度標(biāo)桿
近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中
Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開(kāi)關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個(gè)匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備等電動(dòng)交通工具的電機(jī)驅(qū)
Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾
Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂(lè)、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
Nexperia推出采用銅夾片封裝的雙極性晶體管
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名
安世半導(dǎo)體CCPAK1212 MOSFET在線研討會(huì)回顧
近日，安世半導(dǎo)體在線研討會(huì)聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應(yīng)用，深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212
Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)性能
面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開(kāi)關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性，是電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電
Nexperia MLPAK33封裝60V MOSFET助力優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)性能
、高性能、高可靠性，同時(shí)也注重成本效益。因此，對(duì)于大部分電源、充電器、電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，關(guān)鍵在于以適當(dāng)?shù)男〕叽?b class='flag-5'>封裝和合適的價(jià)格提供恰當(dāng)?shù)腞DS(on)值。Nexperia新發(fā)布的MLPAK33
安世半導(dǎo)體Nexperia推出車規(guī)級(jí)平面肖特基二極管，采用節(jié)省空間的CFP2-HP封裝
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出采用CFP2-HP封裝的全新產(chǎn)品組合，包含16款優(yōu)化低VF平面肖
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論