氧化鎵工藝突破
有望大規(guī)模應(yīng)用
近年來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。從行業(yè)分級看，超寬禁帶半導(dǎo)體屬于“第四代半導(dǎo)體”，與第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達(dá)到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。

來源：氧化鎵襯底樣品

更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導(dǎo)帶，這使得基于氧化鎵的功率器件具有更大的工作電流、電壓以及更小的導(dǎo)通電阻、器件尺寸和更高的轉(zhuǎn)換效率，在制作高性能功率器件方面有突出優(yōu)勢。有行業(yè)人士預(yù)測，氧化鎵將在2025年至2030年全面滲透車載和電氣設(shè)備領(lǐng)域。

鎵仁半導(dǎo)體

率先實現(xiàn)6英寸氧化鎵襯底銷售
浙江知名半導(dǎo)體企業(yè)“杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司”，依托浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點實驗室、浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心和浙江省寬禁帶功率半導(dǎo)體材料與器件重點實驗室，成功開創(chuàng)了采用鑄造法的氧化鎵單晶生長新技術(shù)，推出6英寸的鑄造法單晶襯底，并率先實現(xiàn)6英寸的銷售。同期，鎵仁在國內(nèi)率先完成4英寸VB法氧化鎵長晶設(shè)備及工藝包的驗證，并全面開放銷售。重磅發(fā)布 | 鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用晶體生長設(shè)備

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

在工作中，鎵仁研發(fā)部門需要采用檢測設(shè)備對氧化鎵襯底表面進(jìn)行三維形貌采集并測量，以及測量襯底表面的粗糙度。

優(yōu)可測白光方案
將檢測效率提升至秒級

通過多輪評估對比，研發(fā)團隊最終引進(jìn)優(yōu)可測AM7000系列白光干涉儀。

優(yōu)可測白光干涉儀標(biāo)配高精度壓電陶瓷（PZT），最高掃描速度為400μm/秒，搭載高感光度、高像素、最高3200Hz掃描幀率的CMOS相機，配合業(yè)內(nèi)首創(chuàng)SST+GAT算法，可瞬間完成最高500萬點云采集，樣品測量的重復(fù)性偏差達(dá)到了0.006nm。在與原子力顯微鏡的對比測試中，測量精度一一對應(yīng)。

在效率對比中，使用原子力顯微鏡對氧化鎵襯底樣品單點粗糙度測量，需要接近20分鐘時間，使用優(yōu)可測白光干涉儀則3秒鐘左右即可生成測試報告，大大提升了樣品測量效率，為研發(fā)部門爭取到了更多寶貴的時間。