1-LPDDR是什么？及LPDDR的演進(jìn)

LPDDR推出的背景

當(dāng)新的軟件系統(tǒng)和應(yīng)用程序變得足夠大時(shí)，它們需要?jiǎng)?chuàng)造出針對(duì)其特定需求定制的新內(nèi)存技術(shù)。

?例如，用于圖形的 GDDR，用于人工智能 / 機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的 HBM。

?低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率（LPDDR）作為一種專門為移動(dòng)設(shè)備（如智能手機(jī)和平板電腦）設(shè)計(jì)的內(nèi)存出現(xiàn)。

?LPDDR 的發(fā)展主要是由移動(dòng)設(shè)備對(duì)更高性能和更低功耗的需求所驅(qū)動(dòng)。

?每一代新的 LPDDR 都提供了移動(dòng)用戶體驗(yàn)從社交媒體和游戲到 4K 乃至現(xiàn)在的 8K 視頻的重大轉(zhuǎn)變所需的性能。

LPDDR（Low Power Double Data Rate SDRAM），即低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，屬于 DDR SDRAM 的一種類型。它是由 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)專門針對(duì)低功耗內(nèi)存所制定的通信標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗特性著稱，主要面向移動(dòng)端電子產(chǎn)品。與 DDR 相比，LPDDR 最為顯著的特點(diǎn)便是功耗更低。

LPDDR 可分為 MDDR、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X 等不同類型。與 DDR 類似，其數(shù)據(jù)處理速度和節(jié)能性會(huì)隨著代數(shù)的增加而逐步提高。 LPDDR2： 2010 年 12 月，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了第二代低功耗內(nèi)存技術(shù) LPDDR2 的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范旨在為移動(dòng)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存性能、更低的功耗以及與 SDRAMNVM 接口的兼容性。其接口電壓為 1.2V，工作頻率范圍在 100MHz 至 533MHz 之間。 LPDDR3： 2012 年 5 月，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了第三代低功耗內(nèi)存技術(shù) LPDDR3 的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。 LPDDR3 的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范能夠提供更高的數(shù)據(jù)速率、改進(jìn)的帶寬和電源效率，以及更高的內(nèi)存密度。LPDDR3 支持 PoP 堆疊封裝和獨(dú)立封裝，以滿足不同類型移動(dòng)設(shè)備的需求。 LPDDR3 重點(diǎn)引入了多項(xiàng)新技術(shù)并增加了新功能，實(shí)現(xiàn)了 1600Mbps 的數(shù)據(jù)速率，其中包括 Write-Leveling and CA Training（寫入均衡與指令地址調(diào)馴）、On Die Termination（片內(nèi)終結(jié)器/ODT）和 Low I/O capacitance。 Write-Leveling and CA Training（寫入均衡與指令地址調(diào)馴）：可使內(nèi)存控制器補(bǔ)償信號(hào)偏差，確保內(nèi)存在以業(yè)內(nèi)最快輸入總線速度運(yùn)行的同時(shí)，維持?jǐn)?shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時(shí)序均滿足要求。 On Die Termination（片內(nèi)終結(jié)器/ODT）：屬于可選技術(shù)，為 LPDDR3 數(shù)據(jù)平面增加一個(gè)輕量級(jí)終結(jié)器，以改進(jìn)高速信號(hào)傳輸，并盡可能降低對(duì)功耗、系統(tǒng)操作和針腳計(jì)數(shù)的影響。 LPDDR4： 由于輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達(dá) 3200Mbps，是通常使用的 DDR3 DRAM 的兩倍。8Gb LPDDR4 內(nèi)存能夠支持超高清影像的拍攝和播放，并能持續(xù)拍攝 2000 萬(wàn)像素的高清照片。 與 LPDDR3 內(nèi)存芯片相比，LPDDR4 的運(yùn)行電壓降為 1.1 伏，堪稱適用于大屏幕智能手機(jī)和平板電腦、高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的最低功耗存儲(chǔ)解決方案。以 2GB 內(nèi)存封裝為例，基于 8Gb LPDDR4 芯片的 2GB 內(nèi)存封裝相較于基于 4Gb LPDDR3 芯片的 2GB 內(nèi)存封裝，因運(yùn)行電壓的降低和處理速度的提升，最大可節(jié)省 40%的耗電量。若輸入/輸出信號(hào)傳輸采用低電壓擺幅終端邏輯（LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic），不僅能進(jìn)一步降低 LPDDR4 芯片的耗電量，還能使芯片在低電壓下進(jìn)行高頻率運(yùn)轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)電源使用效率的最優(yōu)化。 LPDDR4X： LPDDR4X 并非 LPDDR4 的下一代版本內(nèi)存，可將其看作是 LPDDR4 的省電優(yōu)化版本。與 LPDDR4 相比，LPDDR4X 優(yōu)化了內(nèi)存的功耗，將 I/O 電壓降低了 50%（從 1.12V 降至 0.61V），同時(shí)提高了內(nèi)存速度。在大容量的加持下，其在存儲(chǔ)速度上更具優(yōu)勢(shì)，在運(yùn)行超大游戲或是錄制 4K 視頻時(shí)作用非常明顯，具有功耗更低、運(yùn)行更快且更省電的特點(diǎn)。

The LPDDR Journey up to LPDDR4/4x

2-LPDDR5/5X的介紹

2019年2月20日，JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5的I/O速度從3200Mbps翻番提升到6400Mbps，與LPDDR4X的4266Mbps相比也快了近30%。

如果匹配高端智能機(jī)常見的64bit bus，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù);要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無(wú)壓力。

固態(tài)協(xié)會(huì)認(rèn)為，LPDDR5有望對(duì)下一代便攜電子設(shè)備(手機(jī)、平板)的性能產(chǎn)生巨大提升，為了實(shí)現(xiàn)這一改進(jìn)，標(biāo)準(zhǔn)對(duì)LPDDR5體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)向最高16 Banks可編程和多時(shí)鐘體系結(jié)構(gòu)。

優(yōu)質(zhì)低功耗 DRAM LPDDR5X 擁有比上一代快 1.3 倍的速度和高出 20% 的效能，它正超越移動(dòng)領(lǐng)域，引領(lǐng)低功耗 DRAM 開拓遠(yuǎn)景市場(chǎng)以全新方式為高性能 PC、服務(wù)器和車輛賦能。

優(yōu)質(zhì)節(jié)能

三星LPDDR5X依托先進(jìn)的 14 納米工藝技術(shù)和創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)，讓這款功能強(qiáng)大的存儲(chǔ)器成為現(xiàn)實(shí)。LPDDR5X 以動(dòng)態(tài)電壓和頻率縮放 (DVFS)* 技術(shù)加持，在性能突飛猛進(jìn)的同時(shí)，耗電量也降低了近 20%。讓智能手機(jī)、筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備獲得更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間，降低了數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的總體擁有成本 (CTO)，并減少了整個(gè)生命周期的碳排放。

*DVFS 是指對(duì)計(jì)算設(shè)備處理器、控制器芯片和外圍設(shè)備的電壓設(shè)置進(jìn)行調(diào)整，以優(yōu)化任務(wù)的資源分配，在不需要相關(guān)資源時(shí)盡量節(jié)省電力。

LPDDR5X 擁有 64GB 驚人容量，不僅能為智能手機(jī)和筆記本電腦提供高性能存儲(chǔ)器，還可助力高速運(yùn)轉(zhuǎn)的 PC 和要求極為苛刻的服務(wù)器。

此外，LPDDR5X 存儲(chǔ)器已通過 AEC-Q100* 認(rèn)證，它在各種環(huán)境下均性能穩(wěn)定，即便面對(duì)極端溫度也是如此，使其成為高應(yīng)力汽車環(huán)境下較為理想的存儲(chǔ)器解決方案。

LPDDR5X: Delivering High Bandwidth and Power Efficiency

LPDDR5/5X: Key Features

? Fifth-generation LPDDR is focused on improving performance, power and flexibility

? LPDDR5 can be combined with an optional extension, LPDDR5X

? LPDDR5/LPDDR5X taken together offer data rates up to 8.533 Gb/s, significantly boosting speed and performance (up from 4.266 Gbps in Gen 4)

? Given the space considerations of mobile combined with greater memory needs for advanced applications, LPDDR5X can achieve capacities of up to 64GB by using multiple DRAM in a multi-die package

Where is LPDDR5/5X Used?

With low power consumption and high bandwidth capabilities, LPDDR5X is a great choice of memory for applications where power efficiency and compact form factor are crucial considerations

LPDDR5 Controller Features

? Supports all standard LPDDR5/5x features

? All speed grades up to 8.5 Gbps/pin

? All densities up to and including 32 Gb/channel

? All bank and per bank refresh and Refresh Management support

? Power-Down mode supported

? Supports x16 or x8 modes

? Controller available in two different configurations

? Dual-controller configuration; Single-controller configuration

? Full-rate operation: 1066 MHz Memory controller clock for 8.5 Gbps/pin operation

? Multi-channel operation supported with multiple controller instances

? Utilize bank management, look-ahead and reordering to maximize performance

? Full featured memory test support

? In-Line ECC and ECC scrubber supported

? Optional Add-On Cores: AXI, Multi-Port, In-Line ECC, Memory Test (offers comprehensive Memory Subsystem test support), etc.

Summary

? The evolution of LPDDR has been driven primarily by the need for higher performance and lower power consumption in mobile devices

? With low power consumption and high bandwidth capabilities, the memory technology is no longer only for mobiles!

? LPDDR5/5X is a great choice of memory for applications where power efficiency and compact form factor are crucial considerations

審核編輯 黃宇