卓越的性能表現(xiàn)結合優(yōu)化的高爬電封裝，塑造了其前所未有的可靠性，為汽車及工業(yè)應用樹立新標桿

納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業(yè)應用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規(guī)性。

納微半導體HV-T2Pak碳化硅MOSFET顯著提升系統(tǒng)級功率密度與效率，同時改善熱管理并簡化板級設計與制造工藝。目標應用包括電動汽車車載充電機（OBC）與DC-DC變換器、數(shù)據(jù)中心服務器電源、家用太陽能逆變器與儲能系統(tǒng)（ESS）、電動汽車直流快充樁及HVAC電機驅動。

AEC-Q101是汽車電子委員會（AEC）制定的全球性行業(yè)標準，旨在建立通用的器件認證與質量體系規(guī)范，是進入汽車供應鏈的核心認證之一。幾乎所有汽車制造商及其一級供應商都要求分立器件通過這一認證。

在AEC-Q101的基礎上，納微半導體打造了行業(yè)首個超越AEC的“AEC-Plus”標桿級標準，該標準要求器件超越現(xiàn)有AEC-Q101與JEDEC產(chǎn)品認證標準。這一新標桿體現(xiàn)了納微對系統(tǒng)級壽命要求的深刻理解，以及為嚴苛汽車與工業(yè)應用提供經(jīng)過嚴格設計與驗證產(chǎn)品的堅定承諾。

“AEC-Plus”認證標準擴展了嚴格的多批次測試與認證要求，在現(xiàn)有AEC-Q101基礎上新增核心項包括：

動態(tài)反向偏置（D-HTRB）與動態(tài)柵極開關（D-HTGB）測試，模擬嚴苛應用工況

超過2倍時長的功率與溫度循環(huán)測試

超過3倍時長的靜態(tài)高溫高壓測試（如HTRB、HTGB）

200°C結溫（TJMAX）測試，增加過載運行能力

通過封裝模塑料的創(chuàng)新凹槽設計優(yōu)化爬電距離至6.45mm，同時不減小外露散熱焊盤尺寸，兼顧了散熱性能。

此外，外露散熱焊盤采用鎳 - 鎳磷（NiNiP）鍍層，而非現(xiàn)有頂部散熱封裝方案的錫（Sn）鍍層，這對回流焊后焊盤表面平整度至關重要，可確保與導熱界面材料（TIM）的高效可靠連接。

依托 20 多年的碳化硅技術創(chuàng)新優(yōu)勢，納微半導體 GeneSiC的“溝槽輔助平面柵”技術使得碳化硅MOSFET的導通電阻隨高溫變化較同規(guī)格競品低20%以上，且開關品質因數(shù)優(yōu)異，可在更寬工作范圍內(nèi)實現(xiàn)最低功率損耗。所有GeneSiC碳化硅MOSFET均具備已公布的最高100%測試雪崩能力、出色的短路耐受能量及緊湊的閾值電壓分布，便于并聯(lián)應用。

首批采用HV-T2Pak封裝的產(chǎn)品組合包括導通電阻18mΩ至135mΩ的1200V碳化硅MOSFET，以及20mΩ至55mΩ的650V碳化硅MOSFET。2025年下半年將推出更低導通電阻（<15mΩ）的HV-T2Pak封裝碳化硅MOSFET。

*納微使用 “AEC-Plus”術語表示器件可靠性測試超越汽車電子委員會（AEC）發(fā)布的 AEC-Q101標準，該術語基于納微測試結果得出

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過300項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。