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UCC57102Z 具有DESAT和故障靜音功能的低側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-15 11:18 ? 次閱讀
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UCC57102Z 是一款單通道、高性能低側(cè) IGBT/SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于高功率汽車應(yīng)用,如 PTC 加熱器、牽引逆變器有源放電電路和其他輔助子系統(tǒng)。它提供保護(hù)功能,包括欠壓鎖定 (UVLO)、去飽和保護(hù) (DESAT)、故障報(bào)告和熱關(guān)斷保護(hù)。UCC57102Z 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 3A,其輸入可以處理 –5V,從而提高了具有中等接地反彈的系統(tǒng)的穩(wěn)健性。輸入與電源電壓無關(guān),可以連接到大多數(shù)控制器輸出,以實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。UCC57102Z 中提供的偏置電源的寬電壓范圍可適應(yīng)雙極電壓。UCC57102Z 還提供精確的 5V 輸出 LDO。
*附件:ucc57102z.pdf

特性

  • 典型的 3A 灌電流 3A 拉電流輸出電流
  • 具有可編程延遲的 DESAT 保護(hù)
  • 發(fā)生故障時(shí)軟關(guān)斷
  • 絕對(duì)最大 VDD 電壓:30V
  • 輸入和使能引腳能夠承受高達(dá) –5V 的電壓
  • 嚴(yán)格的 UVLO 閾值,可實(shí)現(xiàn)偏置靈活性
  • 典型 26ns 傳播延遲
  • 具有熱關(guān)斷功能的自我保護(hù)驅(qū)動(dòng)器
  • 寬偏置電壓范圍
  • 采用 5mm × 4mm SOIC-8 封裝
  • 工作結(jié)溫范圍為 –40°C 至 150°C

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:UCC2Z
  • ?類型?:單通道高性能低側(cè)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器
  • ?應(yīng)用?:高功率汽車應(yīng)用,如PTC加熱器、牽引逆變器、住宅電動(dòng)車充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、HVAC壓縮機(jī)等

二、主要特性

  • ?驅(qū)動(dòng)能力?:
    • 峰值驅(qū)動(dòng)電流:A(源和沉)
    • 兼容TTL低電壓邏輯輸入
    • 可處理輸入端的-V電壓,增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性
  • ?保護(hù)功能?:
    • DESAT(去飽和)保護(hù)功能,快速過電流和短路保護(hù)
    • 過熱保護(hù)
    • UVLO(欠壓鎖定)保護(hù)
    • 故障報(bào)告(FLT)功能
  • ?集成功能?:
    • 內(nèi)置V參考電壓(VREF)輸出
    • 軟關(guān)斷功能,減少短路能量和開關(guān)過沖電壓

三、電氣特性

  • ?供電電壓?:
    • VDD(正電源):4.5V至6V
    • VEE(負(fù)電源):-5V至.V
  • ?輸入/輸出特性?:
    • 輸入高閾值電壓(VINH):1.8V至.V
    • 輸入低閾值電壓(VINL):0.8V至.V
    • 輸出電壓范圍:GND/VEE至VDD
    • 傳播延遲:典型值ns
  • ?其他特性?:
    • UVLO上升閾值:2.8V至4.2V
    • UVLO下降閾值:1.8V至3.2V
    • DESAT檢測(cè)閾值:.V至7.0V

四、功能描述

  • ?輸入階段?:
    • 輸入兼容TTL邏輯,閾值電壓固定且與VDD供電電壓無關(guān)
    • 輸入端懸空時(shí),輸出保持低電平
  • ?驅(qū)動(dòng)階段?:
    • 強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力,±3A峰值電流
    • 軌到軌輸出,小傳播延遲
  • ?DESAT保護(hù)?:
    • 快速檢測(cè)過電流和短路故障,保護(hù)MOSFET/IGBT免受損壞
    • 內(nèi)部電流源在驅(qū)動(dòng)開通狀態(tài)下激活
  • ?故障報(bào)告?:
    • FLT引腳在檢測(cè)到故障時(shí)拉低,并可通過外部上拉電阻連接至DSP/MCU

五、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

  • ?應(yīng)用信息?:
    • 適用于需要快速開關(guān)和高電流驅(qū)動(dòng)能力的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用
    • 可驅(qū)動(dòng)MOSFET、SiC MOSFET和IGBT
  • ?典型應(yīng)用?:
    • PTC加熱器應(yīng)用示例
  • ?設(shè)計(jì)考慮?:
    • 包括輸入/輸出邏輯配置、輸入閾值類型、偏置供電電壓水平、dV/dt能力等
  • ?PCB布局指南?:
    • 推薦將驅(qū)動(dòng)器放置在接近功率器件的位置,以最小化高電流跡線的長度
    • 強(qiáng)調(diào)了旁路電容的重要性,以減少VDD噪聲
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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