SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺北國際電腦展（COMPUTEX Taipei 2025，以下簡稱COMPUTEX）上，展示了其涵蓋AI服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備等多個領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品組合。

作為亞洲規(guī)模最大的ICT博覽會，COMPUTEX匯聚了全球領(lǐng)先的IT企業(yè)，集中展示前沿技術(shù)與創(chuàng)新解決方案。這一聚焦AI、數(shù)據(jù)中心等核心領(lǐng)域技術(shù)演進與產(chǎn)業(yè)趨勢的重要平臺，今年以“AI Next”為主題，吸引了超過1400家企業(yè)參展，全方位呈現(xiàn)了“智能運算與機器人”、“次世代科技”以及“未來移動”等領(lǐng)域的創(chuàng)新成果。

SK海力士展臺

本次展會，SK海力士以“存儲器，驅(qū)動人工智能與未來（MEMORY, POWERING AI AND TOMORROW）”為主題，精心打造了四大展區(qū)：分別為“面向AI的HBM（HBM for AI）解決方案”、“數(shù)據(jù)中心（Data Center）解決方案”、“移動/PC端解決方案（Mobile/PC）”，以及“道德與ESG實踐（Ethic & ESG）”，全面展示了其多樣化面向AI的存儲器解決方案。

“面向AI的HBM解決方案”展區(qū)

HBM4及HBM3E展示

英偉達AI服務(wù)器專屬GPU模塊GB200，配備12層堆疊的36GB高帶寬存儲器HBM3E

在“面向AI的HBM解決方案”展區(qū)，SK海力士展示了其最新HBM解決方案，包括12層HBM41和12層HBM3E。其中，HBM4具備目前業(yè)界最高水平的運行速度，高達2TB/s（每秒2太字節(jié)），該產(chǎn)品通過優(yōu)化基板設(shè)計，在改善連接HBM與邏輯半導(dǎo)體基礎(chǔ)裸片性能的同時，實現(xiàn)更低的功耗表現(xiàn)。2025年3月，SK海力士已率先向主要客戶交付了12層HBM4樣品 [相關(guān)報道]，并預(yù)計于今年下半年投入量產(chǎn)。此外，公司還公布了計劃于2026年推出的16層HBM4技術(shù)開發(fā)路線圖。

1高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）：一種高附加值、高性能存儲器，通過垂直互聯(lián)多個DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的順序開發(fā)。

此外，SK海力士還帶來36GB（千兆字節(jié)）12層HBM3E，與搭載了該產(chǎn)品的英偉達AI服務(wù)器專用GPU模塊GB200一并展出。

“數(shù)據(jù)中心解決方案”展區(qū)

SK海力士服務(wù)器DIMM產(chǎn)品系列

SK海力士服務(wù)器存儲解決方案系列

SK海力士子公司Solidigm解決方案

在“數(shù)據(jù)中心解決方案”展區(qū)，SK海力士展示了一系列可提升AI服務(wù)器性能并降低能耗的服務(wù)器DRAM模塊和企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）產(chǎn)品。其中服務(wù)器DRAM模塊包括：搭載8Gb/s（每秒8千兆位）速率DRAM的64GB-256GB容量RDIMM2產(chǎn)品；搭載12.8Gb/s速率DRAM的96GB-256GB容量MRDIMM3產(chǎn)品；以及搭載7.5Gb/s速率LPDDR5X4的128GB容量SOCAMM5等。

2寄存雙列直插式內(nèi)存模組（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：將多個DRAM組合在一塊電路基板上的服務(wù)器模塊產(chǎn)品。

3多路復(fù)用列雙列直插內(nèi)存模組（MRDIMM, Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module）：一種同時運行兩個內(nèi)存列（模組的基本運行單元）以提高內(nèi)存速率的模塊產(chǎn)品。

4LPDDR5X：移動設(shè)備低功耗DRAM規(guī)格的LPDDR第七代（5X）產(chǎn)品，按照1-2-3-4-4X-5-5X的順序開發(fā)。

5SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）：一種基于低功耗DRAM的內(nèi)存模組，特別適用于AI服務(wù)器。

SK海力士介紹，公司全球首創(chuàng)的采用第六代10納米級（1c）6工藝的DDR5高性能模塊，在展會上獲得了高度關(guān)注。

610納米（nm）級DRAM工藝技術(shù)按1x（第一代）-1y（第二代）-1z（第三代）-1a（第四代）-1b（第五代）-1c（第六代）順序開發(fā)。SK海力士于2024年8月在全球首次成功開發(fā)1c技術(shù)。

在企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）專區(qū)，SK海力士展示了其最高容量可達61TB的超高容量存儲解決方案。特別值得關(guān)注的是基于238層4D NAND技術(shù)的第五代PCIe7產(chǎn)品PEB110，以及基于QLC8實現(xiàn)61TB超高容量的PS1012，這些創(chuàng)新產(chǎn)品將針對AI數(shù)據(jù)中心提供優(yōu)化支持和卓越性能。

7PCIe（Peripheral Component Interconnect express）：用于數(shù)字設(shè)備主板上串行結(jié)構(gòu)的高速輸入/輸出接口。

8根據(jù)NAND閃存單元（Cell）中存儲位數(shù)的不同，可分為SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Muti Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）等規(guī)格。

“移動/PC端解決方案”展區(qū)

“移動/PC端解決方案”展區(qū)

PC端DRAM及NAND閃存產(chǎn)品

移動端DRAM及NAND閃存產(chǎn)品

“道德與ESG實踐”展區(qū)

“移動/PC端解決方案”展區(qū)展示了SK海力士在端側(cè)AI革命中引領(lǐng)潮流的DRAM和NAND閃存產(chǎn)品矩陣。移動端產(chǎn)品包括運行速度高達10.7Gb/s的低功耗DRAM產(chǎn)品LPDDR5X，以及基于238層4D NAND技術(shù)的存儲器UFS4.1。在PC端，SK海力士推出了基于1c DDR5的DRAM產(chǎn)品CSODIMM9、基于LPDDR5X的模塊化解決方案LPCAMM210、專為AI PC設(shè)計的高性能固態(tài)硬盤PCB01，以及目前在單芯片標準中具備業(yè)界領(lǐng)先水平28Gb/s速率的圖形用DRAM產(chǎn)品GDDR7。

9小型雙列直插式內(nèi)存模塊（Compression SODIMM）：一種基于PC中使用的小型雙列直插式內(nèi)存模塊（SODIMM, Small Outline DIMM）開發(fā)的新型外形規(guī)格，相比SODIMM具備更高性能與更高密度。

10LPCAMM2（Low Power Compression Attached Memory Module 2）：基于LPDDR5X的模塊解決方案，其性能表現(xiàn)相當于一個LPCAMM2就能替代兩個傳統(tǒng)DDR5 SODIMM的性能效果，同時具備節(jié)省空間、低功耗和高性能特性。

此外，公司還展示了搭載在技嘉（GIGABYTE）、華碩（ASUS）、聯(lián)想（Lenovo）等全球合作伙伴硬件設(shè)備中的SK海力士DRAM和NAND閃存產(chǎn)品，并表示已構(gòu)建起覆蓋從筆記本電腦到服務(wù)器等廣泛需求的產(chǎn)品矩陣。

值得一提的是，SK海力士在“道德與ESG實踐”展區(qū)特別展示了其入選“2025年全球最具商業(yè)道德企業(yè)（World’s Most Ethical Companies）”的案例，強調(diào)了公司正憑借全球最高水平的道德經(jīng)營體系及實踐，持續(xù)深化與各利益相關(guān)方的信任紐帶。

SK海力士金柱善社長（CMO，Chief Marketing Officer）（左起第二位）與英偉達CEO黃仁勛合影

本次2025臺北國際電腦展，SK海力士與英偉達進一步鞏固了合作伙伴關(guān)系

SK海力士表示：“通過此次展會，公司進一步鞏固了作為面向AI的存儲器市場領(lǐng)導(dǎo)者的行業(yè)認知，并深化了與全球合作伙伴的戰(zhàn)略關(guān)系?！蓖瑫r強調(diào)：“我們將通過與客戶在AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心，以及端側(cè)AI等多個領(lǐng)域的緊密合作，及時提供最優(yōu)產(chǎn)品，持續(xù)強化公司作為‘全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商’的地位?！?/p>