91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

合科泰N溝道MOS管2N7002在USB接口的應(yīng)用

深圳合科泰 ? 來源:深圳合科泰 ? 作者:深圳合科泰 ? 2025-07-22 13:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在液晶屏終端控制板中,USB接口用于連接上位機(jī)并接收下發(fā)的顯示命令。為確保USB接口通信的穩(wěn)定性,2N7002被用于控制USB接口的上拉電阻通斷,以便上位機(jī)對USB設(shè)備進(jìn)行可靠枚舉。2N7002是合科泰生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET,該器件采用SOT-23封裝,可有效減少PCB板的占用空間。使用高單元密度的MOSFET技術(shù)制造,具有可靠的快速開關(guān)性能,市場價格很低,對板卡的整體BOM成本影響微乎其微。2N7002適合低電壓、小電流應(yīng)用場景,如LED驅(qū)動、PWM驅(qū)動和各類開關(guān)應(yīng)用。

應(yīng)用背景

系統(tǒng)核心處理器一端通過I2C接口外接點(diǎn)陣LCD顯示屏,另一端通過USB連接上位機(jī)。LCD屏通過觸摸功能實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互,將按鍵信息發(fā)送給STM32控制器,經(jīng)處理后通過USB接口上傳至上位機(jī)及遠(yuǎn)程服務(wù)器;上位機(jī)和服務(wù)器處理后將結(jié)果返回給STM32控制器,并在LCD上顯示相應(yīng)內(nèi)容。

USB接口控制電路設(shè)計

先來認(rèn)識下電路里的關(guān)鍵部分:處理器相當(dāng)于“大腦”,負(fù)責(zé)發(fā)出指令和處理信號;2N7002是一種類似“電子開關(guān)”的元件;控制信號相當(dāng)于“開關(guān)指令”;USB接口的DP和DM是兩根信號線,其中DP在檢測和數(shù)據(jù)傳輸中起關(guān)鍵作用;還有一種“防護(hù)盾”似的器件,能防止靜電損壞電路。

為何采用兩級2N7002結(jié)構(gòu)?

這要從單級類似2N7002的“電子開關(guān)”存在的問題說起。處理器剛上電復(fù)位的幾十毫秒到100毫秒內(nèi),控制信號的引腳會處于“高阻態(tài)”,就像一根沒接任何信號的懸空線頭。此時雖無明確的高電平信號,但會有微安級的泄漏電流,可能讓引腳“誤認(rèn)”為高電平。

若只用一級這種“電子開關(guān)”,可能會因這個“假高電平”導(dǎo)致開關(guān)短暫導(dǎo)通,使USB接口出現(xiàn)錯誤反應(yīng),比如讓上位機(jī)誤以為有設(shè)備插入。

增加第二級2N7002后,情況得到改善:當(dāng)控制信號處于高阻態(tài)時,某個電阻會把第一級“電子開關(guān)”(Q1)的控制端拉到高電平,讓Q1穩(wěn)定導(dǎo)通。這會使第二級“電子開關(guān)”(Q2)的控制端變?yōu)榈碗娖?,Q2徹底斷開(截止),避免了單級時的誤動作。簡單講,兩級開關(guān)配合電阻的作用,讓電路在上電初期更穩(wěn)定,不會出現(xiàn)錯誤反應(yīng)。

電路的工作原理

可分為“系統(tǒng)上電時”和“控制信號有效時”兩個階段:

1.系統(tǒng)剛上電時

控制信號處于高阻態(tài),Q1的控制端被某個電阻拉到高電平,Q1導(dǎo)通(相當(dāng)于開關(guān)閉合)。這會使Q2的控制端變成低電平,Q2截止(開關(guān)斷開)。此時USB的DP信號沒接上拉電阻,上位機(jī)(如電腦)就檢測不到有USB設(shè)備插入,電路處于“待命”狀態(tài)。

2.控制信號變低電平后

當(dāng)處理器發(fā)出“控制信號為低電平”的指令,Q1的控制端變?yōu)榈碗娖剑琎1截止(開關(guān)斷開)。這時Q2的控制端被另一個電阻拉到高電平,Q2導(dǎo)通(開關(guān)閉合),DP信號通過某個電阻被拉到電源電壓。上位機(jī)檢測到DP信號的變化,就知道有USB設(shè)備插入,開始進(jìn)行識別(枚舉)和初始化,之后便能正常通信。

結(jié)論

合科泰2N7002作為一款低成本、小封裝的N溝道MOSFET,在USB接口控制電路中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。其毫秒級的開關(guān)速度、穩(wěn)定的電氣特性以及極具競爭力的價格,使其成為低電壓小電流開關(guān)應(yīng)用的理想選擇,特別適合對成本敏感且要求高可靠性的消費(fèi)電子工業(yè)控制領(lǐng)域。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • USB接口
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    715

    瀏覽量

    59032
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    111

    文章

    2787

    瀏覽量

    76964
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOS2N7002KM的技術(shù)原理和應(yīng)用案例

    2N7002KM是一款采用SOT-723超小封裝的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有六十伏特耐壓能力和零點(diǎn)三四安培連續(xù)電流承載能力。這款產(chǎn)品的突出特點(diǎn)在于其零點(diǎn)九歐姆的導(dǎo)通電阻配合八千伏特的ESD防護(hù)
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:43 ?2033次閱讀

    MOS鋰電保護(hù)場景中的應(yīng)用

    消費(fèi)電子與電動工具的鋰電保護(hù)場景中,MOS 的選型對保護(hù)板的性能、可靠性有著直接影響。本文結(jié)合典型應(yīng)用場景介紹常見方案,并圍繞
    的頭像 發(fā)表于 12-03 16:11 ?1291次閱讀

    TO-252封裝N溝道MOSHKTD100N03的核心優(yōu)勢

    如BMS、電機(jī)控制、電力開關(guān)的12V系統(tǒng)對低內(nèi)阻MOS的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設(shè)計的解決方案。而HKTD100N03這款采用TO-252封裝的N
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:44 ?875次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>TO-252封裝<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTD100<b class='flag-5'>N</b>03的核心優(yōu)勢

    TOLL4封裝超結(jié)MOSHKTS13N65的應(yīng)用場景

    功率電子設(shè)備向小型化、高效化發(fā)展的當(dāng)下,TOLL4封裝是超結(jié)MOSHKTS13
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:42 ?738次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>TOLL4封裝超結(jié)<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTS13<b class='flag-5'>N</b>65的應(yīng)用場景

    ESOP-8封裝MOS高速風(fēng)筒中的應(yīng)用

    高速風(fēng)筒作為高頻使用的家電產(chǎn)品,其電源電路、電機(jī)驅(qū)動電路及輔助回路對MOS的性能要求差異顯著。針對高速風(fēng)筒的電路特性,推出5
    的頭像 發(fā)表于 11-17 14:44 ?817次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>ESOP-8封裝<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>在</b>高速風(fēng)筒中的應(yīng)用

    650V高壓MOSHKTD7N65的特性和應(yīng)用

    工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中,功率MOS的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。
    的頭像 發(fā)表于 11-07 17:46 ?1603次閱讀

    MOS精準(zhǔn)破解選型難題

    ,MOS來救場!
    的頭像 發(fā)表于 10-11 13:55 ?789次閱讀

    MOS在手機(jī)快充中的應(yīng)用

    隨著手機(jī)快充功率從18W躍升至200W甚至更高,充電器內(nèi)的MOS已成為決定效率、溫升和可靠性的核心元件。通過一系列高性能
    的頭像 發(fā)表于 09-22 10:57 ?2757次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>在手機(jī)快充中的應(yīng)用

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET HKTS80N06介紹

    HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用SGT屏蔽柵技術(shù),其中HKTS80N0
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:54 ?1811次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型MOSFET HKTS80<b class='flag-5'>N</b>06介紹

    N溝道MOSFET HKTS80N06儲能BMS主開關(guān)中的應(yīng)用

    的要求。 HKTS80N06 N 溝道 MOSFET,以高耐壓、抗雪崩、低損耗特性,為儲能
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:52 ?1792次閱讀

    三款N溝道MOSFET的區(qū)別

    電子電路中,封裝技術(shù)是MOSFET應(yīng)用最需要先注意的。這決定了MOS能否嵌入手機(jī)、可穿戴設(shè)備中,或者成為其驅(qū)動電機(jī)的開始。今天,我們聚焦
    的頭像 發(fā)表于 07-10 09:44 ?1383次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>三款<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>MOSFET的區(qū)別

    MOS低功耗DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

    隨著便攜電子設(shè)備、智能可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端等設(shè)備的普及,對電源的需要也越來越普遍,而影響電源效率的低功耗DC轉(zhuǎn)換器成為了重點(diǎn)。生產(chǎn)的MOS
    的頭像 發(fā)表于 06-18 13:44 ?819次閱讀

    TO-252封裝的MOS介紹

    功率器件領(lǐng)域,TO-252封裝的MOS因緊湊尺寸與性價比優(yōu)勢成為工業(yè)場景的主流選擇。H
    的頭像 發(fā)表于 05-29 10:09 ?1742次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>TO-252封裝的<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>介紹

    NMOSHKTD5N50產(chǎn)品介紹

    N溝道功率MOSHKTD5
    的頭像 發(fā)表于 05-20 10:55 ?1610次閱讀

    ZSKY-2N7002-SOT-23 N溝道MOSFET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2N7002-SOT-23 N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-13 16:48 ?0次下載