高功率半導(dǎo)體激光芯片的單顆出光功率不斷提升，目前主流應(yīng)用已升至45W，但向更高功率50W、60W甚至更高功率邁進時，作為芯片 "散熱后盾" 的陶瓷熱沉的熱導(dǎo)率成為制約因素，雖然AlN陶瓷的熱導(dǎo)率由之前的170W/m·K提升至當前的230W/m·K，仍成為制約芯片出光功率突破的 "絆腳石"。度亙核芯全流程自主研發(fā)生產(chǎn)的單晶SiC熱沉，為行業(yè)帶來了顛覆性的散熱解決方案。

從 "夠用" 到 "卓越"

散熱技術(shù)必須先行

高功率激光芯片的"功率提升" 與 "散熱能力" 始終是一對共生的命題。主流熱沉廠商通過不斷優(yōu)化AlN陶瓷性能，將其熱導(dǎo)率提升至230W/m·K，可滿足光功率45W及以下的芯片的散熱需求，然而，當芯片功率高于50W時，結(jié)溫升高明顯、電光效率下降、可靠性變差。

度亙核芯依托芯片F(xiàn)AB半導(dǎo)體工藝，建設(shè)了先進的全套熱沉產(chǎn)線，在常規(guī)AlN熱沉穩(wěn)定量產(chǎn)出貨的基礎(chǔ)上，創(chuàng)新采用高熱導(dǎo)率SiC作為基板，攻克了金屬附著力差、難切割等系列技術(shù)難題，研發(fā)出熱導(dǎo)率≥370W/m·K的SiC熱沉。批量應(yīng)用于66W芯片的封裝，對比測試表明，芯片的結(jié)溫、發(fā)散角、偏振（PER）等指標能保證高功率芯片處于穩(wěn)定、高效的運行狀態(tài)。

SiC熱沉封裝的66W芯片，在68.5A測試電流下輸出功率比AlN熱沉高出2W（提升3%），芯片結(jié)溫降低7.5℃。這樣的性能差異，直觀體現(xiàn)了SiC熱沉在散熱能力上的顯著優(yōu)勢，確保了高功率芯片的長期可靠性。

四大核心突破

鑄就熱沉技術(shù)新高度

采用半導(dǎo)體級的金屬化及磨拋工藝

依托半導(dǎo)體級金屬化及磨拋設(shè)備開發(fā)的全自動工藝技術(shù)，可精準控制單面Cu層厚度、表面粗糙度及附著力，同時實現(xiàn)整體熱沉的熱膨脹系數(shù)（CTE）與芯片的精準匹配，使得芯片的偏振度（PER）表現(xiàn)更優(yōu)，能在后續(xù)泵浦源光纖耦合過程中有效提升耦合效率。

采用先進的激光切割工藝

單晶SiC硬度遠高于AlN陶瓷，度亙核芯針對性研發(fā)的高精度激光切割工藝，從根本上解決了殘渣飛濺、切割錯位等加工難題，將Cu pullback精準控制在10~20μm范圍。這一突破不僅提升了生產(chǎn)效率與加工精度，更直接保障了COS共晶貼片環(huán)節(jié)的一致性及光學耦合工藝的穩(wěn)定性，為高功率激光芯片的COS封裝性能提供了關(guān)鍵支撐。

500V 耐壓的絕對保障

采用高純本征SiC作為基板，使熱沉具備 500V 耐電壓能力。配合獨特的檢測技術(shù)，在生產(chǎn)過程中即可精準識別因基板缺陷導(dǎo)致的耐壓不足產(chǎn)品，確保每一片出廠的熱沉都100%通過耐電壓測試，為泵浦模塊的整體耐電壓性能提供保障。

全流程品控的極致追求

從關(guān)鍵參數(shù)的精準把控到全生命周期的質(zhì)量追溯，度亙核芯建立了嚴謹?shù)钠房伢w系：精準調(diào)控AuSn組分（75±5wt% Au），熔點穩(wěn)定，保障貼片程序固定不變；通過AOI自動檢驗分選，結(jié)合拍照留檔追溯機制，讓每一片熱沉的質(zhì)量都有據(jù)可查；每一批次產(chǎn)品抽樣封裝測試，驗證合格后再出貨，全方位保證出貨產(chǎn)品質(zhì)量。

充足的量產(chǎn)能力

具備強大交付能力

如今，度亙核芯SiC熱沉已成功應(yīng)用于高端泵浦源產(chǎn)品，憑借卓越性能贏得多家客戶的青睞。這不僅是市場對我們技術(shù)的肯定，更標志著高功率激光芯片散熱領(lǐng)域邁入SiC時代。

從突破技術(shù)瓶頸到引領(lǐng)行業(yè)標準，度亙核芯將持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，以創(chuàng)新為引擎，為高功率半導(dǎo)體激光產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供更強大的散熱支持，助力行業(yè)突破功率極限，共創(chuàng)技術(shù)新未來！