近日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布了最新的預(yù)測數(shù)據(jù)，為全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場的發(fā)展勾勒出清晰的藍圖。數(shù)據(jù)顯示，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將實現(xiàn)同比7.4%的增長，達到1255億美元，創(chuàng)下歷史新高。而在先進邏輯、存儲以及技術(shù)轉(zhuǎn)型等多重因素的積極帶動下，2026年半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額有望進一步攀升至1381億美元，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha對此表示：“在2024年實現(xiàn)強勁增長之后，預(yù)計今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將再次擴大，并且在2026年創(chuàng)下新的紀錄。盡管半導(dǎo)體行業(yè)始終在密切關(guān)注宏觀經(jīng)濟所存在的不確定性，但人工智能推動下的芯片創(chuàng)新需求，正不斷驅(qū)動著對產(chǎn)能擴張和領(lǐng)先生產(chǎn)的投資?！?/p>

SEMI預(yù)測，雖然晶圓廠設(shè)備的增速保持穩(wěn)健，但后端設(shè)備需求將迎來爆發(fā)式增長。其中，測試設(shè)備銷售額同比增長23.2%，達到93億美元；封裝設(shè)備銷售額同比增長7.7%，至54億美元。

之所以會出現(xiàn)這樣的增長態(tài)勢，主要原因在于HBM產(chǎn)能擴張，對更先進的沉積和刻蝕設(shè)備提出了迫切需求；同時，AI芯片多芯片集成及HBM復(fù)雜堆疊架構(gòu)，推動了CoWoS、硅中介層等先進封裝技術(shù)的快速發(fā)展；而HBM和AI芯片性能驗證復(fù)雜度的提升，又顯著提高了對測試時長與精度的要求。

這種增長趨勢在2026年還將延續(xù)，封裝設(shè)備增速將進一步升至15%，測試設(shè)備則維持5%的增長，實現(xiàn)連續(xù)三年擴張。

在存儲領(lǐng)域，各廠商相關(guān)的資本支出預(yù)計將在2025年有所增加，并在2026年持續(xù)增長。具體來看，NAND相關(guān)設(shè)備銷售正逐步從2023年的大幅萎縮中恢復(fù)。2024年，NAND設(shè)備銷售已實現(xiàn)4.1%的小幅增長，而在3D NAND堆疊技術(shù)的發(fā)展以及產(chǎn)能擴張的推動下，NAND設(shè)備市場預(yù)計在2025年實現(xiàn)42.5%的增長，銷售額達到137億美元，到2026年將繼續(xù)增長9.7%，達到150億美元；DRAM設(shè)備銷售額在2024年飆升40.2%，達到195億美元，預(yù)計2025年和2026年將分別增長6.4%和12.1%，這一增長將為對HBM和人工智能部署的投資提供有力支持。而3D NAND閃存技術(shù)、扇出型晶圓級封裝（FOWLP）、系統(tǒng)級封裝（SiP）以及3nm、5nm制程技術(shù)的革新，同樣是促進半導(dǎo)體設(shè)備出貨量增長的關(guān)鍵推動力。

根據(jù)2025年中期財報及行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)，中國半導(dǎo)體設(shè)備頭部企業(yè)從成熟制程（28nm）向先進制程突破，HBM專用設(shè)備及AI需求成新增長點，上半年表現(xiàn)呈現(xiàn)“強者恒強、國產(chǎn)替代加速、新興技術(shù)突破”三大特征。

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審核編輯 黃宇