中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠。

根據供應鏈傳出的消息指出，中國大陸最大的晶圓代工廠中芯國際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準。因此，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠了。

據了解，根據中芯國際最新的財報顯示，目前中芯國際最先進的制程為28納米。但是以2018年第1季的財報數字來看，28納米占其營收不過3.2%，相較聯(lián)電、英特爾等先進制程發(fā)展較慢的廠商來說，落后的一個世代以上，更罔論與先進制程開發(fā)進度較快的臺積電、格羅方德、三星等企業(yè)已經準備切入7納米制程相較，更是足足落后3個世代以上。

為了追趕這樣的落差，中芯國際不但在2017年底延攬三星電子及臺積電的前高層梁孟松來擔任聯(lián)席首席執(zhí)行長的職務，主要就是希望藉由他過去的經驗，指導中芯國際在發(fā)展14納米FinFET制程上的進程，使中芯國際的14納米FinFET制程能在2019年達成量產的目標之外，還在2018年初宣布，將聯(lián)同兩大政府產業(yè)基金共同投資102.4億美元，以加快14納米及以下先進制程研發(fā)和量產計劃，最終達成每月量產3.5萬片的目標。如今，在中芯國際的14納米FinFET制程達到良率95%的情況下，等于是向目標又邁進了一大步。

事實上，隨著28納米Poly/SiON制程技術成功量產，再加上2018年2月成功試產客戶采用28納米High-K/Metal Gate（HKMG）制程技術的產品，試產良率高達98%之后，與中國***地區(qū)晶圓代工廠商聯(lián)電有著緊密合作關系的廈門聯(lián)芯，在28納米節(jié)點上的技術快速成熟。而這樣的消息對當前代表大陸晶圓代工龍頭的中芯來說，因為在28納米HKMG制程良率一直不如預期，而且在過去14納米FinFET制程上又無法突破的情況下，幾乎要拱手讓出大陸晶圓代工龍頭的位置。如今，在14納米FinFET制程技術上取得了突破，并向量產目標邁開腳步，才讓中芯國際再保住龍頭的位置。

此外，除了對內與聯(lián)芯的競爭外，中芯國際在14納米FinFET制程上的突破，也象征著拉近了與國際一線晶圓代工大廠的距離。除了臺積電、格羅方德、三星都在積極布局7納米制程，并且最快2018年底前就能有產品出現之外，包括聯(lián)電、英特爾都還在14納米節(jié)點的位置上。尤其是英特爾，在14納米制程上，預計還將使用到2019年后。在這方面來說，未來一旦中芯國際14納米FinFET制程正式進入量產，則大陸市場上目前交由海外代工的產品，就有可能由中芯國際進行代工。對中芯國際來說會是利多，但對其他的競爭對手而言就可能不是太好的消息。

根據業(yè)內消息人士指出，雖然過去曾有大基金擬向格羅方德購買技術，強化中芯國際14納米FinFET制程的消息。但是，這次似乎是梁孟松及其他所帶領的團隊發(fā)揮的作用，進一步將中芯國際的14納米制程拉上。只是，消息人士也指出，這事情光靠梁孟松一人并不可能辦到，而是梁孟松過去從***及韓國帶走的相關人員一起努力的結果。所以，中心國際線在已經達到了14納米研發(fā)成功的階段，下一階段就必須看14納米制程能為公司帶來多少效益了。