珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗(yàn)證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。

技術(shù)領(lǐng)先，滿足多樣化市場需求

本次發(fā)布的40nm eNT嵌入式eFlash IP采用創(chuàng)新的存儲架構(gòu)設(shè)計(jì)，具備高性能、高可靠性和低功耗等核心優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于MCU（微控制器）、物聯(lián)網(wǎng)芯片、智能傳感器等領(lǐng)域。尤其在MCU應(yīng)用中，該IP能夠?yàn)榭蛻籼峁╈`活的存儲解決方案，支持代碼存儲、數(shù)據(jù)保存及固件升級等關(guān)鍵功能，滿足工業(yè)控制、消費(fèi)電子對高可靠性和長壽命的嚴(yán)苛需求。

核心優(yōu)勢

高可靠性:擦寫次數(shù)可達(dá)十萬次以上，85°情況下，數(shù)據(jù)保持時間超過十年，符合消費(fèi)級和工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。

低功耗設(shè)計(jì)：優(yōu)化的電路架構(gòu)顯著降低讀寫功耗，特別適合電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備及便攜式電子產(chǎn)品。

面積高效:通過創(chuàng)新的單元布局與工藝集成技術(shù)，在40nm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)更小的硅片面積，助力客戶降低芯片成本，提升集成度。

成本低：基于成熟的40nm eNT技術(shù)開發(fā)，mask少，為客戶提供長期穩(wěn)定的技術(shù)支持。

關(guān)于MCU應(yīng)用的突出價值

在MCU領(lǐng)域，嵌入式eFlash是不可或缺的核心模塊，直接影響芯片的性能與功能擴(kuò)展能力。創(chuàng)飛芯的40nm eNT eFlash IP可為MCU廠商提供以下支持：

靈活的容量配置：支持從16KB至數(shù)MB的存儲容量，滿足不同應(yīng)用場景需求。

快速啟動與高效運(yùn)行：低延遲讀寫特性顯著提升MCU的啟動速度和實(shí)時響應(yīng)能力。

高安全性：可集成硬件加密與寫保護(hù)功能，保障固件與數(shù)據(jù)安全，適用于金融支付、智能家居等高安全要求的場景。

關(guān)于珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司，國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲NVM IP 供應(yīng)商，作為國內(nèi)自主知識產(chǎn)權(quán)的非易失存儲IP 龍頭企業(yè)，產(chǎn)品涵蓋OTP/MTP、eFlash、Nor/Nand IP、EEPROM IP與SOC 設(shè)計(jì)服務(wù)等?？偛课挥谥楹Ｊ星迦A科技園，在北京、成都、沈陽設(shè)有研發(fā)機(jī)構(gòu)。公司在電路設(shè)計(jì)、器件優(yōu)化、工藝集成等方面擁有雄厚的技術(shù)研發(fā)實(shí)力，持有多項(xiàng)國內(nèi)外發(fā)明專利。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)均來自Micron、Spansion、AMD、Intel 等全球一流半導(dǎo)體公司，擁有成功的創(chuàng)業(yè)經(jīng)驗(yàn)。