Texas Instruments DRV8845四路H橋驅(qū)動器設(shè)計用于各種工業(yè)應(yīng)用。該器件可用于驅(qū)動最多兩個步進電機或最多四個有刷直流電機。每個全橋輸出的額定電流高達1.5A和38V。DRV8845包括脈寬調(diào)制 (PWM) 電流調(diào)節(jié)器以及2位非線性 DAC（數(shù)模轉(zhuǎn)換器）。 此功能可實現(xiàn)步進電機的全步長、半步長和四分之一步長模式控制以及直流電機的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和滑行模式控制。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments DRV8845四路H橋電機驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊.pdf

PWM電流調(diào)節(jié)器使用智能調(diào)優(yōu)衰減模式來降低電機可聞噪聲和振動，提高精度并降低功率耗散。提供了內(nèi)部同步整流控制電路以改善PWM操作期間的功率耗散。保護功能包具有遲滯功能的熱關(guān)斷 (OTSD)、欠壓鎖定 (UVLO) 和過流保護 (OCP)。 不需要特殊的上電時序。Texas Instruments DRV8845采用6mm x 6mm 36 引腳QFN封裝，具有裸露焊盤以增強熱性能。

特性

• 集成了四個H橋
• 可驅(qū)動不同配置
  • 兩個步進電機
  • 四個有刷直流電機
  • 三個有刷直流電機
  • 一個步進電機和兩個有刷直流電機
  • 一個步進電機和一個有刷直流電機
• 封裝尺寸和軟件兼容其他供應(yīng)商提供的類似驅(qū)動器
• 工作電源電壓范圍：4.5V至38V
• 低RDS(ON) ：24V、25°C時為900mΩ HS + LS
• 每個電橋具有1.5A滿量程電流
• 業(yè)界通用PHASE/Ixx接口
• 同步整流
• 針對步進電機實現(xiàn)全步進、1/2步進和1/4步進運行
• 針對直流電機實現(xiàn)正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和滑行模式
• 智能調(diào)優(yōu)衰減可實現(xiàn)平穩(wěn)安靜的運行
• 支持3.3V和5V邏輯輸入
• 保護功能
  • VM欠壓鎖定 (UVLO)
  • 電荷泵欠壓 (CPUV)
  • 過流保護 (OCP)
  • 熱關(guān)斷 (OTSD)

簡化原理圖

DRV8845四路H橋電機驅(qū)動器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述

DRV8845是德州儀器(TI)推出的38V/1.5A四路H橋電機驅(qū)動器，采用Smart Tune技術(shù)優(yōu)化電機控制性能。該器件專為需要高集成度電機驅(qū)動的工業(yè)應(yīng)用設(shè)計，主要特點包括：

• ?多電機驅(qū)動能力?：可配置驅(qū)動2個步進電機或4個直流電機
• ?寬電壓范圍?：4.5V至38V工作電壓
• ?智能調(diào)節(jié)?：集成Smart Tune衰減模式降低電機噪聲
• ?高集成度?：內(nèi)置PWM電流調(diào)節(jié)器和同步整流控制
• ?保護功能?：過流保護、熱關(guān)斷和欠壓鎖定

二、關(guān)鍵特性分析

2.1 電機驅(qū)動配置

DRV8845支持多種電機配置方式：

• 兩個獨立步進電機(全步/半步/1/4步)
• 四個獨立有刷直流電機
• 混合配置(1個步進+2個直流電機)
• 橋路并聯(lián)模式(最大3A輸出)

2.2 電氣參數(shù)

三、功能架構(gòu)

3.1 智能調(diào)節(jié)技術(shù)

DRV8845采用Smart Tune動態(tài)衰減模式，具有以下優(yōu)勢：

• 自動調(diào)整衰減比例減少電機振動
• 消除傳統(tǒng)混合衰減模式的手動調(diào)諧需求
• 固定16μs關(guān)斷時間確保穩(wěn)定運行
• 在下降沿自動切換為快速衰減模式

3.2 PWM電流控制

每路H橋采用獨立PWM電流控制：

• 電流限制值：ITRIPMax = VREF/(3×RSENSE)
• 并聯(lián)模式：ITRIPMax = 2×VREF3/(3×RSENSE)
• 消隱時間：典型1μs防止誤觸發(fā)
• 支持快速/慢速/混合衰減模式

四、典型應(yīng)用設(shè)計

4.1 雙步進電機驅(qū)動電路

?關(guān)鍵設(shè)計要點?：

1. 電流檢測電阻選擇：
   • 典型值0.36Ω(1.5A時產(chǎn)生162mV壓降)
   • 功率額定值≥1W
2. VREF設(shè)置：
   • 使用電阻分壓或DAC輸出
   • 最大1.5V對應(yīng)滿量程電流
3. 去耦電容：
   • VM引腳：0.1μF陶瓷+10μF鉭電容
   • VCP引腳：0.22μF陶瓷電容

4.2 保護電路設(shè)計

1. 過流保護：
   • 閾值2.5A(典型)
   • 消隱時間2.1μs
2. 熱管理：
   • QFN封裝θJA=29.9°C/W
   • 需良好PCB散熱設(shè)計
3. 故障恢復(fù)：
   • 睡眠模式復(fù)位脈沖20-40μs
   • 電源循環(huán)復(fù)位

五、布局指南

1. ?關(guān)鍵準(zhǔn)則?：
   • 電流檢測走線長度<5mm
   • 功率地單獨布線
   • CP1-CP2電容距引腳<2mm
2. ?熱設(shè)計建議?：
   • 裸露焊盤使用4×4陣列過孔
   • 銅箔面積≥6×6mm2
   • 建議使用2oz銅厚
3. ?層疊方案?：
   • 頂層：信號走線
   • 中間層：完整地平面
   • 底層：電源布線