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度亙核芯發(fā)布 1310nm 70mW DFB激光芯片:以全棧自主技術,筑牢高速光通信“中國芯”根基

度亙激光技術(蘇州)有限公司 ? 2025-09-08 09:04 ? 次閱讀
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在數(shù)字經(jīng)濟加速滲透的當下,算力與光互聯(lián)的協(xié)同演進成為產(chǎn)業(yè)升級的核心驅(qū)動力,而光模塊的性能突破,始終依賴于核心光源芯片的技術迭代。作為國內(nèi)高端半導體激光芯片領域的領軍企業(yè),度亙核芯依托全流程自主可控的FAB工藝平臺,成功推出全國產(chǎn)化新一代1310nm單模DFB(分布式反饋)激光芯片及其COS封裝產(chǎn)品,從芯片設計、外延生長、工藝制備到規(guī)?;慨a(chǎn)實現(xiàn)全流程自主可控,其核心優(yōu)勢包括:非制冷70mW高功率、高效率輸出、單縱模高穩(wěn)定性激光,為數(shù)據(jù)中心互連、光子計算等關鍵場景提供 “國產(chǎn)替代、性能領先” 的光源解決方案,助力中國光通信產(chǎn)業(yè)鏈向上突破。

應用背景

無處不在的光聯(lián)接

錨定光互聯(lián)核心需求

1310nm 波段作為光纖通信 O 波段的“黃金窗口”,兼具低傳輸損耗、近零色散特性,是中短距離高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)淖顑?yōu)選擇之一。隨著數(shù)據(jù)中心向400G/800G甚至1.6T速率演進,光模塊對光源芯片提出了“高功率、低功耗、窄線寬、高穩(wěn)定”的嚴苛要求——既要支撐高密度算力實時交互,又要適配數(shù)據(jù)中心低能耗部署需求。

度亙核芯1310nm DFB激光芯片精準錨定這一需求,憑借其高穩(wěn)定、單縱模特性(邊模抑制比≥40dB),完美匹配硅光模塊對光源的高兼容性要求,成為高端光模塊的“核心心臟”,為光互聯(lián)網(wǎng)絡的穩(wěn)定高速運轉(zhuǎn)注入“中國動力”。

產(chǎn)品特點

四大指標領跑行業(yè)

賦能高端光模塊

度亙核芯1310nm CW DFB 70mW產(chǎn)品是一款專為硅光光源、數(shù)據(jù)中心等應用設計的高功率半導體激光芯片,可在25~75℃溫度范圍內(nèi)達到70mW的出光功率,采用掩埋異質(zhì)結(jié)(BH)結(jié)構(gòu),具有低閾值、對稱遠場發(fā)散角、高電光轉(zhuǎn)換效率、高耦合效率的優(yōu)勢。在功率、效率、穩(wěn)定性等維度實現(xiàn)全面突破:

?

寬溫輸出功率:在25~75℃的整個工作溫度范圍內(nèi),芯片均可穩(wěn)定輸出70mW的高功率;

?

低閾值電流:在25℃,閾值電流低至10mA, 芯片待機功耗降低 30%,延長使用壽命;

?

高電光轉(zhuǎn)換效率:電光轉(zhuǎn)換效率(室溫下達36%)與斜率效率(25℃時0.48W/A)均達到行業(yè)領先水平,顯著降低模塊待機功耗與散熱壓力,適配數(shù)據(jù)中心高密度部署需求;

?

對稱遠場發(fā)散角:遠場發(fā)散角對稱分布,與光纖、透鏡耦合效率提升,簡化光模塊光學設計。

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1310 CW DFB 70mW COS的L-I特性曲線

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1310 CW DFB 70mW COS 25℃下的光譜曲線

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1310 CW DFB 70mW COS 75℃下的光譜曲線

緊跟硅光/CPO趨勢

搶占下一代光通信技術高地

隨著硅光集成、CPO(共封裝光學)等新技術加速落地,光通信正朝著800G、1.6T乃至更高帶寬演進,對激光芯片的“小型化、低功耗、高集成”提出更高要求??此莆⑿〉?310nm DFB激光芯片與COS封裝技術,實則是現(xiàn)代光網(wǎng)絡不可或缺的基礎。在萬物互聯(lián)的時代,作為光通信產(chǎn)業(yè)鏈的“上游核心”,度亙核芯將持續(xù)創(chuàng)新,深耕于光的細微之處,,讓“中國芯”支撐起全球數(shù)字網(wǎng)絡的高速運轉(zhuǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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