Texas Instruments AMC23C11精密隔離式比較器具有較短的響應時間。漏極開路輸出端與輸入電路之間由一個抗磁干擾能力極強的隔離屏障隔開。根據VDE 0884-17和UL1577標準，該隔板經認證可提供高達5kVRMS 的強化電隔離。它還支持高達1kV PK 的工作電壓。

數據手冊：*附件：Texas Instruments AMC23C11精密隔離比較器數據手冊.pdf

跳閘閾值通過單個外部電阻器在低遲滯模式下可以在20mV至450mV范圍內調節(jié)，在高遲滯模式下可以在600mV至2.7V范圍內調節(jié)。該器件上的開漏輸出支持透明模式（鎖存輸入與GND2連接），即輸出跟隨輸入狀態(tài)；或鎖存模式，即在鎖存輸入信號的下降沿清除輸出。Texas Instruments AMC23C11采用8引腳寬體SOIC封裝。它的額定工業(yè)級工作溫度范圍為–40°C至125°C。

特性

• 寬高側電源電壓范圍：3V至27V
• 低側電源電壓范圍：2.7V至5.5V
• 可調閾值：20mV至2.7V
• 基準電流，用于閾值調整
  • 100 μA，±2%
• 觸發(fā)閾值為250mV時的誤差為±1%（最大值）
• 開漏輸出，可選鎖存模式
• 傳播延遲：240 ns（典型值）
• 高CMTI：55V/ns（最小值）
• 安全相關認證
  • 7000VPK 強化隔離，符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準
  • 1分鐘內可承受5000VRMS 的隔離電壓，符合UL1577標準
• 在整個–40°C至+125 °C擴展工業(yè)溫度范圍內標定的值

功能框圖

AMC23C11精密隔離比較器技術解析

一、產品概述

AMC23C11是德州儀器(TI)推出的一款快速響應、增強型隔離比較器，采用8引腳寬體SOIC封裝(DWV)。該器件具有以下突出特性：

• ?寬電壓范圍?：高側供電3V-27V，低側供電2.7V-5.5V
• ?可調閾值?：20mV至2.7V連續(xù)可調，精度±1%(250mV時)
• ?快速響應?：典型傳播延遲240ns
• ?高隔離等級?：
  • 7000VPK增強型隔離(DIN EN IEC 60747-17)
  • 5000VRMS隔離1分鐘(UL1577)
• ?雙工作模式?：透明模式與鎖存模式可選
• ?寬溫工作?：-40°C至+125°C工業(yè)溫度范圍

二、核心技術創(chuàng)新

1. 精密閾值調節(jié)架構

采用100μA(±1%)精密參考電流源，通過單個外部電阻實現閾值精確設置：

• ?低遲滯模式?：VREF≤450mV時，遲滯4mV
• ?高遲滯模式?：VREF≥600mV時，遲滯25mV
• ?動態(tài)閾值切換?：內置500-600mV模式選擇閾值帶50mV遲滯

2. 增強型隔離設計

• ?SiO2電容隔離?：實現5.7kVRMS電氣隔離
• ?超高抗干擾?：150V/ns最小共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)
• ?長壽命設計?：隔離屏障壽命超過40年
• ?安全認證?：通過VDE0884-17和UL1577認證

三、關鍵電路設計

1. 比較器核心

• ?輸入阻抗?：1GΩ(典型)
• ?偏置電流?：0.1nA(典型，0≤VIN≤4V)
• ?輸入電容?：4pF(典型)
• ?過驅動響應?：10mV過驅動時延遲240ns(典型)

2. 電源管理

• ?高側LDO?：支持3-27V寬輸入
• ?電源監(jiān)控?：
  • VDD1欠壓閾值：2.9V(下降)/3V(上升)
  • VDD2欠壓閾值：2.1V(下降)/2.7V(上升)
• ?功耗特性?：
  • 高側：3.7mA最大(5V時)
  • 低側：2.2mA最大(3.3V時)

四、典型應用設計

1. 電機驅動過流保護

?設計參數?：

• 檢測電阻：10mΩ
• 過流閾值：30A
• 對應VREF：296mV

?關鍵元件選型?：

• ?RREF?：2.94kΩ(產生296mV閾值)
• ?CREF?：100nF(參考電壓濾波)
• ?輸入濾波?：10Ω+1nF RC濾波(增加10ns延遲)
• ?輸出配置?：4.7kΩ上拉電阻

?PCB布局要點?：

• 檢測電阻GND采用開爾文連接
• CREF盡量靠近REF引腳
• 保持高低側地平面分離

2. 電源時序設計

• ?啟動時序?：
  • 低側啟動時間(tLS,STA)：40μs(典型)
  • 高側啟動時間(tHS,STA)：45μs(典型)
  • 高側消隱時間(tHS,BLK)：200μs(典型)
• ?故障響應?：
  • 高側故障檢測延遲(tHS,FLT)：100μs(典型)
  • 欠壓恢復時間：tHS,STA+tHS,BLK

五、性能參數對比

六、設計注意事項

1. ?參考電壓設置?：
   • 避免將VREF設置在450-600mV臨界區(qū)域
   • VREF>1.6V時需保證VVDD1-VREF≥1.4V
2. ?散熱設計?：
   • 結到環(huán)境熱阻(RθJA)：102.8°C/W
   • 最大功耗：95mW(雙電源工作時)
   • 建議使用2oz銅厚PCB并添加散熱過孔
3. ?安全規(guī)范?：
   • 保持≥8.5mm外部爬電距離
   • 污染等級2，過電壓類別I-III