Texas Instruments SN6507/SN6507-Q1低輻射36V推挽式變壓器驅(qū)動(dòng)器是一款高壓、高頻推挽式變壓器驅(qū)動(dòng)器，以小尺寸解決方案提供隔離電源。SN6507/SN6507-Q1具有推挽式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單性、低EMI和磁通消除等優(yōu)點(diǎn)，可防止變壓器飽和。該器件采用占空比控制技術(shù)來(lái)減少寬輸入范圍的元件數(shù)量，同時(shí)選擇高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)縮小變壓器尺寸，從而進(jìn)一步節(jié)省空間。。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：

*附件：SN6507數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

*附件：SN6507-Q1數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

TI SN6507/SN6507-Q1推挽式變壓器驅(qū)動(dòng)器集成了控制器和兩個(gè)異相切換的0.5A NMOS電源開(kāi)關(guān)。其輸入工作范圍通過(guò)精密欠壓鎖定進(jìn)行編程。保護(hù)特性包括過(guò)流保護(hù) (OCP)、可調(diào)節(jié)欠壓鎖定 (UVLO)、過(guò)壓鎖定 (OVLO)、熱關(guān)斷 (TSD) 和先斷后通型電路?？删幊誊泦?dòng) (SS) 可最大限度地減少浪涌電流，并為滿足關(guān)鍵的上電要求提供電源時(shí)序。展頻時(shí)鐘 (SSC) 和引腳可配置的可擴(kuò)展壓擺率控制 (SRC) 進(jìn)一步降低了輻射，以滿足超低EMI要求
。

SN6507/SN6507-Q1采用10引腳HVSSOP DGQ封裝，工作溫度范圍為–55°C至125°C。SN6507-Q1器件符合汽車(chē)應(yīng)用類(lèi)AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。

特性

• 用于隔離變壓器的推挽式驅(qū)動(dòng)器
• 寬輸入電壓范圍：3V至36V
  • 輸入電壓容差高達(dá)60V
  • 用于線路調(diào)節(jié)的占空比控制
• 0.5A開(kāi)關(guān)，具有可編程電流限制
• 寬開(kāi)關(guān)頻率范圍：100kHz至2MHz
  • 兼容小尺寸變壓器
  • 可編程開(kāi)關(guān)頻率
  • 外部時(shí)鐘同步選項(xiàng)
• 低噪聲和低輻射
  • 對(duì)稱(chēng)推挽式拓?fù)?/li>
  • 展頻計(jì)時(shí)
  • 引腳可配置轉(zhuǎn)換率控制
• 保護(hù)特性
  • 可調(diào)欠壓閉鎖 (UVLO)
  • 可編程過(guò)流保護(hù) (OCP)
  • 過(guò)壓閉鎖 (OVLO)
  • 熱關(guān)斷 (TSD)
• 寬溫度范圍：-55°C至125°C
• 可編程軟啟動(dòng)，可降低浪涌電流
• 10引腳HVSSOP (DGQ) 封裝，帶散熱焊盤(pán)

框圖

簡(jiǎn)化示意圖

SN6507低噪聲推挽變壓器驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述

SN6507是德州儀器(TI)推出的一款高性能推挽式變壓器驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為隔離電源設(shè)計(jì)優(yōu)化。該器件具有3V至36V的寬輸入電壓范圍，集成了兩個(gè)0.5A NMOS功率開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)頻率范圍100kHz至2MHz可編程，采用10引腳HVSSOP封裝并帶有散熱焊盤(pán)。

?關(guān)鍵特性?：

• 低EMI設(shè)計(jì)：對(duì)稱(chēng)推挽拓?fù)?、擴(kuò)頻時(shí)鐘、引腳可配置壓擺率控制
• 保護(hù)功能完善：可調(diào)欠壓鎖定(UVLO)、可編程過(guò)流保護(hù)(OCP)、過(guò)壓鎖定(OVLO)、熱關(guān)斷(TSD)
• 工作溫度范圍寬：-55°C至125°C
• 可編程軟啟動(dòng)減少浪涌電流
• 占空比控制實(shí)現(xiàn)線路調(diào)節(jié)

二、核心功能解析

2.1 推挽轉(zhuǎn)換器架構(gòu)

SN6507采用經(jīng)典的推挽轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，通過(guò)兩個(gè)互補(bǔ)輸出的NMOS晶體管交替導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)變壓器初級(jí)繞組。器件內(nèi)部集成：

• 振蕩器電路（可外部同步）
• 帶死區(qū)時(shí)間的Break-Before-Make邏輯
• 柵極驅(qū)動(dòng)電路
• 兩個(gè)0.5A功率MOSFET

?工作特點(diǎn)?：

• 開(kāi)關(guān)頻率可通過(guò)CLK引腳電阻編程（100kHz-2MHz）
• 典型死區(qū)時(shí)間70ns防止直通
• 默認(rèn)占空比48%，可通過(guò)DC引腳調(diào)節(jié)

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)

3.1 電源方案設(shè)計(jì)

?固定輸入應(yīng)用?（如24V±2%）

1. 將EN/UVLO直接連接VCC實(shí)現(xiàn)自啟動(dòng)
2. CLK引腳通過(guò)9.6kΩ電阻接地設(shè)置1MHz開(kāi)關(guān)頻率
3. DC引腳懸空使用默認(rèn)占空比
4. 輸出側(cè)使用LDO獲得精確電壓

?寬輸入范圍應(yīng)用?（如18V-30V）

1. 通過(guò)電阻分壓網(wǎng)絡(luò)設(shè)置UVLO閾值
2. 啟用占空比控制功能（DC引腳接240kΩ電阻）
3. 輸出側(cè)需增加電感（最小8.75μH@1MHz）
4. 變壓器匝比建議1.38:1

3.2 關(guān)鍵元件選型

?變壓器選擇?：

• 計(jì)算最小V-t乘積：7.7Vμs（寬輸入）/16.9Vμs（固定輸入）
• 推薦型號(hào)：Wurth 750319696（24V→15V）、Coilcraft TX1-ZB1445-CE（12V→15V）

?二極管選擇?：

• 選用低VF、低CT的肖特基二極管
• 電壓額定值需滿足：VR > 1.5×2×N×VIN_MAX
• 推薦型號(hào)：BAT165E6327HTSA1（高效）、PMEG200G20ELRX（低EMI）

?LDO選擇?：

• 電流能力應(yīng)略高于負(fù)載電流（如200mA負(fù)載選200-300mA LDO）
• 注意考慮dropout電壓隨溫度的變化

四、PCB布局指南

1. ?電源去耦?：
   • VCC引腳放置100nF陶瓷電容（距引腳<2mm）
   • 變壓器中心抽頭接10μF電容
2. ?開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)?：
   • SW1/SW2至變壓器走線盡可能短
   • 采用寬走線降低電感
3. ?散熱設(shè)計(jì)?：
   • 將GND引腳通過(guò)多個(gè)過(guò)孔連接至地平面
   • 充分利用PowerPAD散熱
4. ?EMI優(yōu)化?：
   • 關(guān)鍵控制信號(hào)走線遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)
   • 必要時(shí)在次級(jí)側(cè)增加緩沖電路

五、性能測(cè)試數(shù)據(jù)

根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的測(cè)試結(jié)果：

• 效率：87.5%-90.5%（12V輸入，負(fù)載0.1-0.5A）
• 開(kāi)關(guān)頻率溫漂：±2.5%（-55°C至125°C）
• 啟動(dòng)時(shí)間：300-400μs（無(wú)軟啟動(dòng)電容時(shí)）

六、應(yīng)用領(lǐng)域

SN6507特別適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：

1. ?工業(yè)系統(tǒng)?：
   • 太陽(yáng)能逆變器
   • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)（IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)電源）
   • 工廠/樓宇自動(dòng)化
2. ?通信隔離?：
   • CAN/RS-485/RS-422隔離電源
   • 低功耗LAN供電
3. ?醫(yī)療設(shè)備?：
   • 醫(yī)療儀器隔離電源
   • 患者安全隔離

七、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

1. 軟啟動(dòng)電容CSS與輸出電容COUT比值應(yīng)保持1:10以內(nèi)
2. 同步模式(SYNC)下占空比控制功能自動(dòng)禁用
3. 使用占空比控制時(shí)必須確保輸出電感工作在CCM模式
4. 對(duì)于低EMI應(yīng)用，建議：
   • 選擇低泄漏電感變壓器
   • 使用低EMI二極管
   • 配置較慢的壓擺率