TPL5110 Nano 定時器是一款低功耗定時器，集成了 MOSFET 驅(qū)動器，設(shè)計(jì)用于占空比或電池供電應(yīng)用中的功率門控。該TPL5110僅消耗 35 nA，可以使能電源線并大幅降低睡眠期間的整個系統(tǒng)待機(jī)電流。這種節(jié)能使得能夠?qū)⒏〉碾姵赜糜谀芰渴占驘o線傳感器應(yīng)用。該TPL5110提供 100 ms 至 7200 s 的可選定時間隔，專為功率門控應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此外，該TPL5110具有獨(dú)特的一次性功能，定時器僅為MOSFET供電一個周期。該TPL5110采用 6 引腳 SOT23 封裝。
*附件：tpl5110.pdf

特性

• 電源電壓范圍為 1.8 V 至 5.5 V
• 2.5 V 和 35 nA 時的電流消耗（典型值）
• 可選時間間隔：100 毫秒至 7200 秒
• 定時器精度：1%（典型值）
• 電阻器可選時間間隔
• 手動 MOSFET 上電
• 一次性功能

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPL5110是德州儀器（TI）推出的納米級低功耗系統(tǒng)定時器，專為電源門控（Power Gating）應(yīng)用設(shè)計(jì)。其核心特點(diǎn)包括：

• ?超低功耗?：典型工作電流僅35 nA（2.5V供電時）。
• ?寬電壓范圍?：支持1.8V至5.5V供電。
• ?可編程定時?：通過外部電阻（REXT）設(shè)置時間間隔（100 ms至7200 s），精度達(dá)±1%。
• ?工作模式?：支持周期定時器模式（Timer Mode）和單次觸發(fā)模式（One-Shot Mode）。
• ?封裝?：6引腳SOT-23封裝（3mm×3mm）。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?定時功能?：通過外部電阻選擇時間間隔，提供1650種離散時間選項(xiàng)。
• ?電源管理?：集成MOSFET驅(qū)動，可周期性喚醒微控制器（μC）以降低系統(tǒng)待機(jī)功耗。
• ?手動喚醒?：支持通過DELAY/M_DRV引腳手動觸發(fā)MOSFET導(dǎo)通。
• ?DONE信號反饋?：μC可通過DONE引腳通知TPL5110完成任務(wù)，提前關(guān)閉電源。

?3. 應(yīng)用場景?

• 電池供電系統(tǒng)（如IoT設(shè)備、無線傳感器）。
• 安防領(lǐng)域（入侵檢測、防篡改裝置）。
• 智能家居（溫控器、自動化傳感器）。
• 消費(fèi)電子及白色家電。

?4. 功能詳解?

• ?Timer Mode?：周期性輸出DRV信號控制MOSFET，若μC未在設(shè)定時間內(nèi)返回DONE信號，則強(qiáng)制關(guān)閉電源。
• ?One-Shot Mode?：僅觸發(fā)一次DRV信號，后續(xù)需手動喚醒。
• ?外部電阻計(jì)算?：通過公式和系數(shù)表（分5個區(qū)間）精確計(jì)算REXT值，支持并聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)電阻實(shí)現(xiàn)目標(biāo)阻值。

?5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?布局建議?：縮短DELAY/M_DRV引腳走線以減少寄生電容，DRV引腳靠近MOSFET以降低干擾。
• ?誤差分析?：量化誤差和電阻公差會影響定時精度，需通過公式評估實(shí)際誤差范圍。

?6. 典型應(yīng)用電路?

• 傳感器節(jié)點(diǎn)示例：TPL5110控制RF微控制器（如CC2531）的電源周期，搭配HDC1000傳感器，顯著降低整體功耗。

?7. 文檔支持?

• 包含完整的電氣特性、時序要求、熱性能參數(shù)及封裝信息（如ESD等級、焊盤布局圖）。
• 提供修訂歷史（最新為2018年9月更新），涵蓋參數(shù)調(diào)整和功能優(yōu)化說明。

?8. 訂購信息?

• 型號后綴區(qū)分封裝和包裝形式（如DDCR為卷帶封裝，DDCT為剪切帶封裝），符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，工作溫度范圍-40°C至105°C。