龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。

該產(chǎn)品耐壓為650V，導(dǎo)通電阻僅為99mΩ，使得MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)更小的功率損耗和更高的效率，同時(shí)成本也隨之下降，為客戶提供低成本設(shè)計(jì)方案。該款產(chǎn)品主要適用于電源、逆變器和其它高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用等。

產(chǎn)品特點(diǎn)

業(yè)界優(yōu)勢(shì)的RDS(on)*A

集成快恢復(fù)二極管

出色的高開(kāi)關(guān)速度

增強(qiáng)的dv/dt能力

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

業(yè)界優(yōu)勢(shì)的RDS(on)*A

Qrr反向恢復(fù)電荷性能顯著提升

trr反向恢復(fù)時(shí)間較同類產(chǎn)品明顯縮短

注：數(shù)據(jù)來(lái)源于龍騰實(shí)驗(yàn)室實(shí)測(cè)

LSD65R099HP采用先進(jìn)的PT工藝，器件高低溫條件下IDSS漏電較輻照產(chǎn)品低。同時(shí)，其Trr和Qrr性能參數(shù)優(yōu)于市面主流產(chǎn)品，顯著提升了產(chǎn)品的可靠性與能效。

應(yīng)用領(lǐng)域

數(shù)據(jù)中心

通信電源

電動(dòng)汽車充電OBC

不間斷電源UPS

工業(yè)SMPS