DRV824x-Q1 系列器件是一款完全集成的 H 橋驅(qū)動器，適用于各種汽車應用。該器件可以配置為單個全橋驅(qū)動器或兩個獨立的半橋驅(qū)動器。該單片系列器件采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點設計，采用電源封裝，具有出色的功率處理和熱能力，同時提供緊湊的封裝尺寸、易于布局、EMI控制、精確的電流檢測、穩(wěn)健性和診斷功能。該系列提供相同的引腳功能，具有可擴展的R 上 （電流能力）以支持不同的負載。
*附件：drv8243-q1.pdf

這些器件集成了N溝道H橋、電荷泵穩(wěn)壓器、帶穩(wěn)壓功能的高端電流檢測、電流比例輸出和保護電路。提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件提供電壓監(jiān)控和負載診斷，以及針對過流和過溫的保護功能。故障情況在nFAULT引腳上指示。這些器件提供三種型號 - 硬連線接口：硬件 （H） 和兩種 SPI 接口型號：SPI（P） 和 SPI（S），其中 SPI （P） 用于外部供電的邏輯電源，SPI （S） 用于內(nèi)部生成的邏輯電源。SPI 接口變體在器件配置和故障可觀察性方面提供了更大的靈活性。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用：
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，T一個
• 功能安全功能
  • 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設計的文檔
• 4.5V 至 35V （40V abs. max） 工作范圍
• VQFN-HR封裝：R ON_LS + 右 ON_HS ：84 mΩ
• HVSSOP封裝：R ON_LS + 右 ON_HS ：98 mΩ
• 我外最大值 = 12 A
• PWM 頻率作高達 25 KHz，具有自動死區(qū)時間斷言
• 可配置的壓擺率和擴頻時鐘，實現(xiàn)低電磁干擾 （EMI）
• 集成電流檢測（消除分流電阻）
• IPROPI 引腳上的比例負載電流輸出
• 可配置的電流調(diào)節(jié)
• 具有可配置故障反應（鎖存或重試）的保護和診斷功能
  • 關(guān)斷狀態(tài)和導通狀態(tài)下的負載診斷，以檢測開路負載和短路
  • 電源電壓監(jiān)控 （VM）
  • 過流保護
  • 過溫保護
  • nFAULT引腳上的故障指示
• 支持 3.3V、5V 邏輯輸入
• 低睡眠電流 - 25°C 時典型值 1μA
• 3 種變體 - HW （H）、SPI （S） 或 SPI （P）
• 可配置的控制模式：
  • 使用 PWM 或 PH/EN 模式的單全橋
  • 兩個使用獨立模式的半橋

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8243-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級H橋驅(qū)動器，專為車身控制模塊（BCM）、車門/后視鏡/座椅模塊等設計，支持4.5V至35V寬電壓輸入，最大輸出電流12A。其核心特性包括：

• ?集成電流檢測?：消除分流電阻需求，通過IPROPI引腳提供比例負載電流輸出。
• ?多種控制模式?：支持PWM、PH/EN和獨立半橋模式，適用于有刷直流電機、電磁閥等負載。
• ?診斷與保護?：具備開/短路檢測、過流/過溫保護，故障通過nFAULT引腳指示。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?工作范圍?：4.5V-35V（峰值40V），AEC-Q100 Grade 1認證（-40°C至125°C）。
• ?導通電阻?：VQFN-HR封裝84mΩ（HS+LS），HVSSOP封裝98mΩ。
• ?PWM頻率?：最高25kHz，支持自動死區(qū)時間控制。
• ?低功耗?：睡眠模式電流低至1μA（典型值）。

?3. 功能模塊?

• ?電流檢測?：高側(cè)電流鏡像技術(shù)，IPROPI輸出與負載電流成比例（AIPROPI增益誤差±5%）。
• ?電流調(diào)節(jié)?：可配置ITRIP閾值（7級可選），支持固定關(guān)斷時間（TOFF）的PWM斬波。
• ?保護機制?：過流保護（OCP）、熱關(guān)斷（TSD）、VM欠壓/過壓監(jiān)測（VMUV/VMOV）。

?4. 封裝與型號?

• ?封裝選項?：
  • VQFN-HR（14引腳，3mm×4.5mm）
  • HVSSOP（28引腳，3mm×7.3mm）
• ?型號變體?：
  • HW（H）：硬件接口，基礎配置
  • SPI（S/P）：支持串行外設接口，增強診斷能力（P型支持外部邏輯供電）

?5. 應用場景?

• ?典型應用?：汽車門鎖、電動座椅調(diào)節(jié)、電子換擋器（E-Shifter）、車載充電器。
• ?負載兼容性?：支持雙向電機驅(qū)動、獨立半橋控制（如雙單向電機或高低側(cè)電磁閥）。

?6. 設計支持?

• ?布局建議?：VM引腳需就近放置0.1μF陶瓷電容和10μF以上大容量電容。
• ?熱管理?：提供瞬態(tài)熱阻抗數(shù)據(jù)，支持PCB散熱優(yōu)化（如4層板設計）。