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?DRV8244-Q1 汽車級H橋驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-14 10:47 ? 次閱讀
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DRV824x-Q1 系列器件是一款完全集成的 H 橋驅(qū)動器,適用于各種汽車應(yīng)用。該器件可以配置為單個(gè)全橋驅(qū)動器或兩個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動器。該單片系列器件采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì),采用電源封裝,具有出色的功率處理和熱能力,同時(shí)提供緊湊的封裝尺寸、易于布局、EMI控制、精確的電流檢測、穩(wěn)健性和診斷功能。該系列提供相同的引腳功能,具有可擴(kuò)展的R 電流能力)以支持不同的負(fù)載。
*附件:drv8244-q1.pdf

這些器件集成了N溝道H橋、電荷泵穩(wěn)壓器、帶穩(wěn)壓功能的高端電流檢測、電流比例輸出和保護(hù)電路。提供低功耗睡眠模式以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件提供電壓監(jiān)控和負(fù)載診斷,以及針對過流和過溫的保護(hù)功能。故障情況在nFAULT引腳上指示。這些器件提供三種型號 - 硬連線接口:硬件 (H) 和兩種 SPI 接口型號:SPI(P) 和 SPI(S),其中 SPI (P) 用于外部供電的邏輯電源,SPI (S) 用于內(nèi)部生成的邏輯電源。SPI 接口變體在器件配置和故障可觀察性方面提供了更大的靈活性。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用:
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +125°C,T一個(gè)
  • 4.5V 至 35V (40V abs. max) 工作范圍
  • VQFN-HR封裝:R ON_LS + 右 ON_HS :47 毫歐
  • HVSSOP封裝:R ON_LS + 右 ON_HS :60 mΩ
  • 最大值 = 21 A
  • PWM 頻率作高達(dá) 25 KHz,具有自動死區(qū)時(shí)間斷言
  • 可配置的壓擺率和擴(kuò)頻時(shí)鐘,實(shí)現(xiàn)低電磁干擾 (EMI)
  • 集成電流檢測(消除分流電阻
  • IPROPI 引腳上的比例負(fù)載電流輸出
  • 可配置的電流調(diào)節(jié)
  • 具有可配置故障反應(yīng)(鎖存或重試)的保護(hù)和診斷功能
    • 關(guān)斷狀態(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)下的負(fù)載診斷,以檢測開路負(fù)載和短路
    • 電源電壓監(jiān)控 (VM)
    • 過流保護(hù)
    • 過溫保護(hù)
    • nFAULT引腳上的故障指示
  • 支持 3.3V、5V 邏輯輸入
  • 低睡眠電流 - 25°C 時(shí)典型值 1μA
  • 3 種變體 - HW (H)、SPI (S) 或 SPI (P)
  • 可配置的控制模式:
    • 使用 PWM 或 PH/EN 模式的單全橋
    • 兩個(gè)使用獨(dú)立模式的半橋

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

?1. 產(chǎn)品概述?

DRV8244-Q1是德州儀器(TI)推出的AEC-Q100認(rèn)證汽車級H橋驅(qū)動器,專為有刷直流電機(jī)和電磁閥設(shè)計(jì)。核心特性包括:

  • ?高集成度?:內(nèi)置47mΩ(VQFN-HR封裝)或60mΩ(HVSSOP封裝)MOSFET半橋,集成電流檢測、診斷功能及保護(hù)電路。
  • ?寬電壓范圍?:4.5V至35V(峰值40V),兼容12V/24V汽車電池系統(tǒng)。
  • ?輸出能力?:最大21A連續(xù)電流,支持高達(dá)25kHz PWM頻率。
  • ?控制模式?:支持硬件(HW)或SPI接口配置,提供三種工作模式(PH/EN、PWM、獨(dú)立半橋)。

?2. 關(guān)鍵特性?

  • ?電流檢測?:集成高側(cè)電流鏡像,通過IPROPI引腳輸出比例電流(比例因子4750:1),無需外部分流電阻。
  • ?電流調(diào)節(jié)?:可配置ITRIP閾值實(shí)現(xiàn)PWM斬波限流(7級可調(diào),SPI版本支持可編程關(guān)斷時(shí)間)。
  • ?保護(hù)功能?:
    • 過流保護(hù)(OCP):高側(cè)/低側(cè)獨(dú)立閾值,支持鎖存或自動重試模式。
    • 過熱保護(hù)(TSD):關(guān)斷閾值185°C,30°C遲滯。
    • 負(fù)載診斷:支持離態(tài)(OLP)和動態(tài)(OLA,僅SPI)開路/短路檢測。
  • ?低功耗?:睡眠模式電流低至1μA(典型值)。

?3. 型號與封裝?

  • ?封裝選項(xiàng)?:
    • VQFN-HR(16引腳,3mm×6mm):RON總阻值47mΩ。
    • HVSSOP(28引腳,3mm×7.3mm):RON總阻值60mΩ。
  • ?接口變體?:
    • ? HW(H) ?:硬件引腳配置,簡化設(shè)計(jì)。
    • ? SPI(S/P) ?:支持4線SPI通信,P變體提供外部邏輯電源(VDD)輸入以增強(qiáng)抗干擾。

?4. 應(yīng)用場景?


?5. 功能模塊?

  • ?電源管理?:
    • 集成電荷泵支持100%占空比高側(cè)驅(qū)動。
    • 內(nèi)置3.3V LDO(SPI-S變體)或外接VDD(SPI-P變體)。
  • ?控制邏輯?:
    • PH/EN模式:EN/IN1為PWM輸入,PH/IN2控制方向。
    • PWM模式:雙PWM輸入實(shí)現(xiàn)雙向控制。
    • 獨(dú)立模式:兩半橋獨(dú)立驅(qū)動不同負(fù)載。
  • ?診斷輸出?:nFAULT引腳指示故障,SPI變體支持寄存器級詳細(xì)診斷。

?6. 保護(hù)機(jī)制?

  • ?電壓監(jiān)控?:VM欠壓(4.2V)和過壓(18V/28V/33.6V可選)保護(hù)。
  • ?負(fù)載診斷?:
    • 離態(tài)檢測:識別開路(>1.5kΩ)或短路(<1kΩ)。
    • 動態(tài)檢測(SPI):高側(cè)負(fù)載活動時(shí)短路檢測。
  • ?故障響應(yīng)?:支持鎖存(需手動清除)或自動重試(間隔5ms)。

?7. 設(shè)計(jì)支持?

  • ?典型電路?:需外接VM去耦電容(0.1μF+10μF)、IPROPI電阻(500Ω-5kΩ)。
  • ?布局建議?:分離功率地(PGND)與模擬地(AGND),優(yōu)化熱焊盤設(shè)計(jì)(RθJA 42.5°C/W-VQFN)。
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