STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽車電源模塊提供帶有集成NTC的三相四線PFC拓撲結(jié)構(gòu)，專為混合動力與電動汽車中OBC的PFC級而設計。該電源模塊集成了六塊第二代碳化矽功率MOSFET。憑借其廣受認可的芯片技術(shù)，STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA可以最大限度地減少能量損失，并且能夠以高切換頻率模式運行。該模塊使得用戶可以構(gòu)建滿足超大功率密度于高效率要求的復雜拓撲結(jié)構(gòu)。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽車電源模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

AlN絕緣底層能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的熱性能。此外，ACEPACK DMT-32-specific采用了模塑上凹槽設計，有效保證了更大的爬電距離。鋸齒狀引腳選項增加了PCB電平的靈活性。

特性

• 符合AQG 324標準
• 三相四線 PFC
  • 1200V、84mΩ（典型值）。SiC MOSFET（Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6）
  • 1200V、20A整流器二極管（D1、D2）
  • 集成NTC溫度傳感器
• 最高工作結(jié)溫TJ = 175°C
• 采用DBC Cu-AlN-Cu基底層，有效提升熱性能
• 隔離電壓：3kV
• 鋸齒形引腳排列

典型應用

引腳分配

?ACEPACK DMT-32 SiC電源模塊深度解析?

?1. 核心特性與拓撲結(jié)構(gòu)?

• ?高壓高集成設計?：
  模塊集成6顆1200V/84mΩ SiC MOSFET（Q1-Q6）和2顆1200V/20A整流二極管（D1,D2），采用3相四線PFC拓撲，適用于車載充電器（OBC）的功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)。
• ?熱管理優(yōu)化?：
  AlN陶瓷基板（DBC Cu-AlN-Cu）提供0.54°C/W的低熱阻（RthJC），結(jié)合集成NTC溫度傳感器，實現(xiàn)175℃結(jié)溫下的可靠運行。

?2. 關(guān)鍵電氣參數(shù)?

?2.1 SiC MOSFET性能?

• ?靜態(tài)特性?：
  • 導通電阻RDS(on)：18V驅(qū)動時典型值84mΩ（25℃），175℃時升至114mΩ
  • 柵極電荷Qg：800V/20A條件下典型值63nC
• ?動態(tài)特性?：
  • 開關(guān)損耗（175℃）：Eon=374μJ，Eoff=64μJ（VDD=800V, ID=20A）
  • 柵極電阻RG對損耗影響顯著（圖10-11）：RG=12Ω時Eon最小化

?2.2 整流二極管特性?

• 正向壓降VF：20A負載下典型值0.97V（150℃）
• 反向恢復時間trr：14.1ns（800V/20A條件）

?3. 封裝與引腳設計?

• ?ACEPACK DMT-32 zig-zag封裝?：
  • 44×39mm緊湊尺寸，3kV隔離電壓
  • 鋸齒形引腳布局（圖20）優(yōu)化PCB布線靈活性
• ?關(guān)鍵引腳功能?：
  • DCLINK±（1-2,17-18腳）：直流母線輸入
  • G1-G6（19-30腳）：MOSFET柵極驅(qū)動
  • NTC1/NTC2（15-16腳）：溫度監(jiān)測接口

?4. 典型應用設計建議?

• ?OBC系統(tǒng)布局?：
  • 母線電容盡量靠近DCLINK引腳以抑制高頻噪聲
  • 柵極驅(qū)動回路采用開爾文連接（KS1-KS6）降低導通損耗
• ?熱設計要點?：
  • 結(jié)溫監(jiān)控需結(jié)合NTC參數(shù)（R25=10kΩ±2%，B值3980K）
  • 散熱器接觸面平整度需≤0.05mm（參考圖22機械公差）