在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。

1、MRAM存儲(chǔ)器無(wú)需外部電力支持的數(shù)據(jù)保護(hù)
英尚微代理的Everspin MRAM存儲(chǔ)器能夠在無(wú)需使用超級(jí)電容器或電池的情況下，實(shí)現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)保護(hù)。這一特性使企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施與數(shù)據(jù)中心能夠在關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)中，顯著提高數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性，同時(shí)優(yōu)化整體性能表現(xiàn)。

2、MRAM存儲(chǔ)器的高性能接口與極低延遲
①類(lèi)DDRx接口設(shè)計(jì)：MRAM存儲(chǔ)器EMD4E001G采用與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)兼容的ST-DDR4接口，并針對(duì)STT-MRAM特性進(jìn)行專門(mén)優(yōu)化，可輕松集成于各類(lèi)存儲(chǔ)、計(jì)算及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中；
②高帶寬與低延遲：MRAM存儲(chǔ)器支持每引腳1333 MT/s的高傳輸速率，具備真正的字節(jié)尋址能力，響應(yīng)延遲極低，滿足高性能內(nèi)存應(yīng)用對(duì)速度的嚴(yán)苛要求。

3、MRAM存儲(chǔ)器卓越的耐用性與系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化
MRAM存儲(chǔ)器具備極高的耐用性，即便在持續(xù)高負(fù)載的內(nèi)存工作環(huán)境中，也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。這一特性大幅簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度，幫助客戶在高需求應(yīng)用場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)管理。

4、MRAM存儲(chǔ)器的高密度容量支持
作為Everspin目前容量最高、技術(shù)最先進(jìn)的STT-MRAM存儲(chǔ)器，EMD4E001G面向需要高容量、低延遲、高持久性與耐用性的企業(yè)與計(jì)算應(yīng)用。其1Gb的存儲(chǔ)密度帶來(lái)以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：
①優(yōu)化I/O流管理，提高延遲確定性；
②幫助存儲(chǔ)OEM廠商顯著提升產(chǎn)品服務(wù)質(zhì)量；
③MRAM存儲(chǔ)器適用于固態(tài)硬盤(pán)、存儲(chǔ)加速器、計(jì)算存儲(chǔ)等多種場(chǎng)景，作為持久數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，帶來(lái)系統(tǒng)性能的全面提升。

5、MRAM存儲(chǔ)器EMD4E001G-1Gb的主要規(guī)格概覽
①接口類(lèi)型：ST-DDR4，兼容JEDEC標(biāo)準(zhǔn)BGA封裝；
②傳輸速率：每引腳1333 MT/s（對(duì)應(yīng)667MHz時(shí)鐘頻率）；
③MRAM存儲(chǔ)器容量：1Gb；
④MRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用場(chǎng)景：固態(tài)硬盤(pán)、存儲(chǔ)加速器、計(jì)算存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等。

Everspin的EMD4E001G STT-MRAM存儲(chǔ)器不僅延續(xù)了MRAM技術(shù)在非易失性、高速度與高耐用性方面的優(yōu)勢(shì)，更通過(guò)高密度集成與標(biāo)準(zhǔn)化接口，為企業(yè)與數(shù)據(jù)中心用戶提供了兼顧性能與可靠性的理想存儲(chǔ)解決方案。技術(shù)咨詢、選型需求或應(yīng)用支持，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)英尚微/網(wǎng)/頁(yè)/獲取信息。

審核編輯 黃宇