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ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET

jf_78421104 ? 來源:jf_78421104 ? 作者:jf_78421104 ? 2025-11-17 13:56 ? 次閱讀
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ROHM(羅姆半導(dǎo)體)宣布,開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFETRS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封裝,非常適用于采用48V電源AI服務(wù)器的熱插拔電路*2,以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用。

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RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封裝,與ROHM在2025年5月發(fā)售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封裝AI服務(wù)器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比,可實現(xiàn)更高密度的安裝。


新產(chǎn)品在VDS=48V工作條件下,可確保脈沖寬度10ms時7.5A、1ms時25A的寬SOA范圍。同時,還實現(xiàn)了與之存在權(quán)衡關(guān)系的低導(dǎo)通電阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(條件:VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通過抑制通電時的發(fā)熱,有助于提高服務(wù)器電源的效率并減輕冷卻負(fù)荷,進(jìn)而進(jìn)一步降低電力成本。


新產(chǎn)品已于2025年9月開始量產(chǎn)(樣品價格800日元/個,不含稅)。本產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行銷售,通過電商平臺均可購買。
未來,ROHM將持續(xù)擴(kuò)充適用于AI服務(wù)器等所用的48V電源的產(chǎn)品陣容,通過提供效率高且可靠性高的解決方案,為進(jìn)一步節(jié)能和構(gòu)建可持續(xù)的ICT基礎(chǔ)設(shè)施貢獻(xiàn)力量。

<開發(fā)背景>


隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展和普及,搭載生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器對穩(wěn)定運行和能效提升的需求日益增長。尤其在熱插拔電路中,能夠應(yīng)對浪涌電流*4和過負(fù)載、實現(xiàn)穩(wěn)定運行的寬SOA范圍功率MOSFET至關(guān)重要。另外,在數(shù)據(jù)中心和AI服務(wù)器領(lǐng)域,為了節(jié)能而正在加速向電源轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)型,如何構(gòu)建與其適配的高耐壓、高效率電源電路成為當(dāng)前的技術(shù)課題。


ROHM通過推出符合市場需求的5060尺寸封裝新產(chǎn)品,進(jìn)一步強(qiáng)化適用于AI服務(wù)器熱插拔電路的100V耐壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容。未來,ROHM將繼續(xù)致力于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷,進(jìn)而為提升服務(wù)器系統(tǒng)的可靠性和節(jié)能性能做出貢獻(xiàn)。


<應(yīng)用示例>
?48V系統(tǒng)AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源的熱插拔電路
?48V系統(tǒng)工業(yè)設(shè)備電源(叉車、電動工具、機(jī)器人、風(fēng)扇電機(jī)等)
?AGV(自動引導(dǎo)車)等電池驅(qū)動的工業(yè)設(shè)備
?UPS、應(yīng)急電源系統(tǒng)(電池備份單元)


<關(guān)于EcoMOS?品牌>
EcoMOS?是ROHM開發(fā)的Si功率MOSFET品牌,非常適用于功率元器件領(lǐng)域?qū)?jié)能要求高的應(yīng)用。
EcoMOS?產(chǎn)品陣容豐富,已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和車載等領(lǐng)域。客戶可根據(jù)應(yīng)用需求,通過噪聲性能和開關(guān)性能等各種參數(shù)從產(chǎn)品陣容中選擇產(chǎn)品。

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?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

<術(shù)語解說>
*1) SOA(Safe Operating Area)
元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區(qū)工作可能會導(dǎo)致熱失控或損壞,特別是在會發(fā)生浪涌電流和過電流的應(yīng)用中,需要考慮SOA范圍。

*2)熱插拔電路
可在設(shè)備電源運轉(zhuǎn)狀態(tài)下實現(xiàn)元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個電路。由MOSFET、保護(hù)元件和接插件等組成,負(fù)責(zé)抑制元器件插入時產(chǎn)生的浪涌電流并提供過流保護(hù),從而確保系統(tǒng)和所連接元器件的安全工作。

*3) 導(dǎo)通電阻(RDS(on))
MOSFET啟動時漏極與源極之間的電阻值。該值越小,工作時的損耗(功率損耗)越少。

*4)浪涌電流(Inrush Current)
在電子設(shè)備接通電源時,瞬間流過的超過額定電流值的大電流。因其會給電源電路中的元器件造成負(fù)荷,所以通過控制浪涌電流,可防止設(shè)備損壞并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

審核編輯 黃宇

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