onsemi EVBUM2880G-EVB評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估1200V M3S半橋2包F1封裝模塊。Onsemi EVBUM2880G-EVB電路板可用于半橋模塊的雙脈沖開關(guān)測(cè)試和開環(huán)功率測(cè)試,包括NXH008P120M3F1PTG、NXH010P120M3F1PTG、NXH015P120M3F1PTG和NXH030P120M3F1PTG。電路板支持與外部控制器連接,以進(jìn)行PWM輸入和故障信號(hào)管理,使其成為模塊性能測(cè)試的多功能工具。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:onsemi EVBUM2880G-EVB 評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特性
- F1封裝中兩個(gè)M3S 2包模塊的插座
- 260μF集成DC鏈路共享兩個(gè)2包模塊(全橋使用設(shè)計(jì))
框圖

基于onsemi EVBUM2880G-EVB評(píng)估板的1200V SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)與應(yīng)用
一、評(píng)估板核心特性?
- ?模塊兼容性?
支持onsemi F1封裝的半橋模塊:- NXH008P120M3F1PTG
- NXH010P120M3F1PTG
- NXH015P120M3F1PTG
- NXH030P120M3F1PTG
(注:模塊需用戶自行安裝)
- ?關(guān)鍵硬件設(shè)計(jì)?
- ?集成260 mF直流鏈路電容?:為兩個(gè)半橋模塊共享,支持全橋架構(gòu)。
- ?隔離柵極驅(qū)動(dòng)器?:每路半橋獨(dú)立配備NCP51561,隔離能力達(dá)5 kVRMS。
- ?低電感PCB布局?:采用4層FR4板材(厚度2.0 mm),疊層結(jié)構(gòu)為:
- 頂層/底層:20 μm阻焊層 + 70 μm銅箔(含25 μm鍍層)
- 中間層:105 μm銅箔 + 248 μm剛性層壓板
- ?黑色PCB設(shè)計(jì)?:提升散熱效率。
- ?電氣參數(shù)?
?二、驅(qū)動(dòng)配置與工作模式?
評(píng)估板為每個(gè)功率集成模塊(PIM)提供三種獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)模式,通過焊料跳線選擇(詳見圖5、圖6):
- ? 模式1(單PWM輸入) ?
僅需一路PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高側(cè)(PWMAx),低側(cè)自動(dòng)生成互補(bǔ)信號(hào)(含死區(qū)時(shí)間)。僅通過ENA0x輸入低電平可關(guān)閉低側(cè)開關(guān)。 - ? 模式2(雙PWM輸入+死區(qū)保護(hù)) ?
高側(cè)與低側(cè)獨(dú)立控制,當(dāng)輸入互補(bǔ)PWM的死區(qū)時(shí)間不足時(shí),自動(dòng)填充最小死區(qū)(由電阻RDTx設(shè)置):死區(qū)時(shí)間(ns)= 10 × RDTx(kΩ) - ? 模式3(全獨(dú)立驅(qū)動(dòng)) ?
高側(cè)與低側(cè)完全獨(dú)立運(yùn)行,無死區(qū)校正或重疊保護(hù)。
? 驅(qū)動(dòng)連接器引腳定義(P1/P3) ?
?三、典型測(cè)試與性能驗(yàn)證?
- ?雙脈沖測(cè)試?
- 使用NXH015P120M3F1PTG模塊,柵極電阻RG(on)=2.7 Ω、RG(off)=2.7 Ω。
- 測(cè)試結(jié)果顯示:
- 開關(guān)過程無振蕩
- 關(guān)斷時(shí)電壓過沖約360 V(對(duì)應(yīng)120 A電流)
- ?連續(xù)負(fù)載測(cè)試?
- 配置全橋電路,采用兩個(gè)NXH008P120M3F1PTG模塊,RG(on)=2 Ω、RG(off)=3.3 Ω。
- 在800 V直流鏈路電壓、80 kHz開關(guān)頻率下,輸出35 Arms電流,模塊NTC溫度達(dá)105°C(圖17)。
- ?供電方案?
- 主電源:P5接口連接5 V/1.5 A實(shí)驗(yàn)室源。
- 隔離DC/DC:默認(rèn)由VDD供電,亦可改為VINOx獨(dú)立供電(需調(diào)整圖9跳線)。
?四、應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)建議?
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