91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

onsemi NCx57080y/NCx57081y:高性能IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

h1654155282.3538 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-01 14:29 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

onsemi NCx57080y/NCx57081y:高性能IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來(lái)深入探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。

文件下載:onsemi NCD57081 柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf

產(chǎn)品概述

NCx57080y和NCx57081y具備3.75 kVrms的內(nèi)部電流隔離,專為高功率應(yīng)用中的高系統(tǒng)效率和可靠性而設(shè)計(jì)。該系列驅(qū)動(dòng)器接受互補(bǔ)輸入,并根據(jù)引腳配置提供多種選項(xiàng),如有源米勒鉗位(版本A)、負(fù)電源(版本B)以及獨(dú)立的高低(OUTH和OUTL)驅(qū)動(dòng)器輸出(版本C),為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了極大的便利。它能適應(yīng)3.3 V至20 V的寬輸入偏置電壓和信號(hào)電平范圍,并且采用窄體SOIC - 8封裝。

方框圖

顯著特性

高輸出電流能力

該驅(qū)動(dòng)器具有高達(dá)±6.5 A的高峰值輸出電流,能夠快速地對(duì)IGBT或MOSFET的柵極電容進(jìn)行充放電,從而實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,有效降低開(kāi)關(guān)損耗。

米勒鉗位功能

版本A的低鉗位電壓降消除了對(duì)負(fù)電源的需求,可防止虛假的柵極導(dǎo)通。在IGBT或MOSFET關(guān)斷期間,CLAMP引腳能夠提供鉗位功能,將米勒電流通過(guò)低阻抗的CLAMP晶體管吸收,避免因米勒效應(yīng)導(dǎo)致的器件誤開(kāi)啟。

精準(zhǔn)的傳播延遲匹配

短傳播延遲且匹配精確,確保了驅(qū)動(dòng)器在不同工作條件下都能穩(wěn)定、同步地驅(qū)動(dòng)IGBT或MOSFET,減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的時(shí)間差異,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

寬偏置電壓范圍

支持寬范圍的偏置電壓,包括負(fù)VEE2(版本B),能夠適應(yīng)不同的電源配置,增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)器的通用性和適應(yīng)性。

高抗干擾能力

具備高瞬態(tài)抗擾度和高電磁抗擾度,能夠在復(fù)雜的電磁環(huán)境中穩(wěn)定工作,減少外界干擾對(duì)驅(qū)動(dòng)器性能的影響。

安全認(rèn)證

通過(guò)了UL1577認(rèn)證,可承受3750 VACRMS 1分鐘的耐壓測(cè)試,同時(shí)DIN VDE V 0884 - 11認(rèn)證也在申請(qǐng)中,滿足了嚴(yán)格的安全和法規(guī)要求。

引腳連接與功能

輸入側(cè)引腳

  • VDD1:輸入側(cè)電源,需連接高質(zhì)量的旁路電容到GND1,且應(yīng)靠近引腳放置,以確保電源的穩(wěn)定性。欠壓鎖定(UVLO)電路確保當(dāng)電源電壓高于VuvLo1 - OUT - ON時(shí),器件才能正常工作。
  • IN+和IN -:非反相和反相柵極驅(qū)動(dòng)器輸入,內(nèi)部有鉗位和等效的上拉/下拉電阻,確保在無(wú)輸入信號(hào)時(shí)輸出為低電平。同時(shí),輸入信號(hào)需要滿足最小正或負(fù)脈沖寬度要求,驅(qū)動(dòng)器輸出才會(huì)響應(yīng)。
  • GND1:輸入側(cè)接地參考。

輸出側(cè)引腳

  • VDD2:輸出側(cè)正電源,工作范圍從UVLO2到其最大允許值,同樣需要連接高質(zhì)量的旁路電容到GND2。
  • GND2:輸出側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)參考,連接到IGBT發(fā)射極或MOSFET源極。
  • OUT(版本A和B):驅(qū)動(dòng)器輸出,為IGBT/MOSFET柵極提供合適的驅(qū)動(dòng)電壓和源/灌電流,啟動(dòng)時(shí)OUT會(huì)主動(dòng)拉低。
  • OUTH和OUTL(版本C):分別為高和低驅(qū)動(dòng)器輸出,為IGBT/MOSFET柵極提供相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電壓和源/灌電流,啟動(dòng)時(shí)OUTL會(huì)主動(dòng)拉低。
  • CLAMP(版本A):在關(guān)斷期間為IGBT/MOSFET柵極提供鉗位保護(hù),當(dāng)該引腳電壓低于VCLAMP - THR時(shí),內(nèi)部N FET導(dǎo)通。
  • VEE2(版本B):輸出側(cè)負(fù)電源,需連接高質(zhì)量的旁路電容到GND2。

電氣特性

電源電壓相關(guān)特性

驅(qū)動(dòng)器的UVLO電路確保了在電源電壓低于或高于特定閾值時(shí),輸出能夠正確地開(kāi)啟或關(guān)閉。例如,VUVLO1 - OUT - ON和VUVLO1 - OUT - OFF分別定義了輸入側(cè)電源的輸出使能和禁用閾值,而VUVLO2 - OUT - ON和VUVLO2 - OUT - OFF則對(duì)應(yīng)輸出側(cè)電源。

邏輯輸入和輸出特性

輸入信號(hào)的高低電平閾值(VIL和VIH)與VDD1相關(guān),且具有一定的輸入滯后電壓(VIN - HYST),以提高抗干擾能力。同時(shí),輸入信號(hào)需要滿足最小脈沖寬度要求,才能保證驅(qū)動(dòng)器輸出的正確響應(yīng)。

驅(qū)動(dòng)器輸出特性

驅(qū)動(dòng)器輸出的高低狀態(tài)電壓(VOUTH1和VOUTL1)以及峰值驅(qū)動(dòng)電流(IPK - SNK1和IPK - SRC1)等參數(shù),決定了其對(duì)IGBT或MOSFET的驅(qū)動(dòng)能力。在不同的負(fù)載電流和溫度條件下,這些參數(shù)會(huì)有一定的變化范圍。

動(dòng)態(tài)特性

傳播延遲、上升時(shí)間和下降時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對(duì)于驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)速度和同步性至關(guān)重要。NCx57080y和NCx57081y在不同的輸入電壓和負(fù)載電容條件下,都能保持相對(duì)穩(wěn)定的傳播延遲和快速的上升/下降時(shí)間。

典型應(yīng)用

電機(jī)控制

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該驅(qū)動(dòng)器能夠快速、準(zhǔn)確地驅(qū)動(dòng)IGBT或MOSFET,實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效調(diào)速和精確控制,提高電機(jī)的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。

不間斷電源(UPS)

為UPS中的功率開(kāi)關(guān)器件提供可靠的驅(qū)動(dòng),確保在市電中斷時(shí)能夠迅速切換到備用電源,保障負(fù)載設(shè)備的正常運(yùn)行。

汽車(chē)應(yīng)用

滿足汽車(chē)電子系統(tǒng)對(duì)可靠性和安全性的嚴(yán)格要求,可用于電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理等系統(tǒng)中。

工業(yè)電源

在工業(yè)電源中,驅(qū)動(dòng)器能夠提高電源的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,減少功率損耗,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

太陽(yáng)能逆變器

為太陽(yáng)能逆變器中的IGBT或MOSFET提供高效的驅(qū)動(dòng),將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,并入電網(wǎng)或供負(fù)載使用。

設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

電源去耦

為了確保驅(qū)動(dòng)器的穩(wěn)定工作,需要在電源引腳(VDD1、VDD2和VEE2)附近連接合適的去耦電容。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用,建議使用100 nF + 4.7μF低ESR陶瓷電容的并聯(lián)組合;對(duì)于柵極電容超過(guò)10 nF的IGBT模塊,可能需要更高的去耦電容值(如100 nF + 10μF)。

輸入保護(hù)

當(dāng)應(yīng)用中使用獨(dú)立或分離的電源為控制單元和驅(qū)動(dòng)器輸入側(cè)供電時(shí),所有輸入引腳都應(yīng)通過(guò)串聯(lián)電阻進(jìn)行保護(hù),以防止在驅(qū)動(dòng)器電源故障時(shí),輸入保護(hù)電路過(guò)載而損壞驅(qū)動(dòng)器。

布局設(shè)計(jì)

合理的布局設(shè)計(jì)對(duì)于減少電磁干擾和提高驅(qū)動(dòng)器性能至關(guān)重要。應(yīng)盡量縮短引腳之間的連線長(zhǎng)度,特別是CLAMP引腳與IGBT/MOSFET柵極之間的連線,以降低寄生電感和電阻的影響。同時(shí),參考推薦的布局圖(如圖35)進(jìn)行設(shè)計(jì),能夠更好地保證驅(qū)動(dòng)器的穩(wěn)定性和可靠性。

綜上所述,onsemi的NCx57080y和NCx57081y系列柵極驅(qū)動(dòng)器憑借其出色的性能、豐富的功能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,為電子工程師在設(shè)計(jì)高功率應(yīng)用系統(tǒng)時(shí)提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的需求和工作條件,合理選擇驅(qū)動(dòng)器的版本和配置,并注意相關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用類(lèi)似的柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),遇到過(guò)哪些問(wèn)題或有什么獨(dú)特的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9675

    瀏覽量

    233592
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    263066
  • 高性能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    512

    瀏覽量

    21425
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器

    關(guān)注

    8

    文章

    1488

    瀏覽量

    40402
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美NCx5710y高性能IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器卓越

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,被廣泛應(yīng)用于各種高功率場(chǎng)景。而IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器性能,直接影響著IGBT
    的頭像 發(fā)表于 12-01 14:24 ?565次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>NCx5710y</b>:<b class='flag-5'>高性能</b><b class='flag-5'>IGBT</b>門(mén)極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>的<b class='flag-5'>卓越</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>選</b>

    安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器NCx575y0系列的深度解析

    在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的應(yīng)用極為廣泛,而其柵極驅(qū)動(dòng)器性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天我們就來(lái)深入探討安森美(
    的頭像 發(fā)表于 12-05 11:18 ?1707次閱讀
    安森美隔離式雙通道<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>:<b class='flag-5'>NCx575y</b>0系列的深度解析

    深入解析NCx57090y, NCx57091y高性能IGBT/MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)器

    在電力電子領(lǐng)域,IGBTMOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一下安森美(
    的頭像 發(fā)表于 12-09 09:37 ?1996次閱讀
    深入解析<b class='flag-5'>NCx57090y</b>, <b class='flag-5'>NCx57091y</b>:<b class='flag-5'>高性能</b><b class='flag-5'>IGBT</b>/<b class='flag-5'>MOSFET</b>門(mén)<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>

    深入解析 onsemi NCx57080y/NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

    在高功率應(yīng)用領(lǐng)域,工程師們一直在尋找能夠提升系統(tǒng)效率和可靠性的關(guān)鍵組件。onsemiNCx57080yNCx57081y 高電流單通道 IGBT/
    的頭像 發(fā)表于 12-09 10:07 ?2295次閱讀
    深入解析 <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NCx57080y</b>/<b class='flag-5'>NCx57081y</b> 高電流單通道 <b class='flag-5'>IGBT</b>/<b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>

    UCC5713x:高性能低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    UCC5713x:高性能低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器卓越 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:15 ?284次閱讀

    ISO5851-Q1:高性能隔離式IGBTMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    ISO5851-Q1:高性能隔離式IGBTMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:45 ?290次閱讀

    ISO5452:高性能隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    ISO5452:高性能隔離式IGBTMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:15 ?307次閱讀

    探索UCC2753x:高性能單通道柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    探索UCC2753x:高性能單通道柵極驅(qū)動(dòng)器卓越 在電子設(shè)計(jì)的世界里,一款出色的
    的頭像 發(fā)表于 01-09 16:00 ?647次閱讀

    UCC23514:高性能單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    UCC23514:高性能單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器卓越 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的
    的頭像 發(fā)表于 01-21 16:35 ?583次閱讀

    ISO5852S-EP:高性能隔離式IGBTMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    ISO5852S-EP:高性能隔離式IGBTMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越
    的頭像 發(fā)表于 01-22 16:50 ?364次閱讀

    ISO5451-Q1:高性能隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    ISO5451-Q1:高性能隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越
    的頭像 發(fā)表于 01-23 09:35 ?138次閱讀

    ISO5452:高性能隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    ISO5452:高性能隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:55 ?299次閱讀

    ISO5852S:高性能隔離式IGBT、MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    ISO5852S:高性能隔離式IGBTMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器卓越
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:00 ?193次閱讀

    深入解析 onsemi NCx5725y 隔離式雙通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

    深入解析 onsemi NCx5725y 隔離式雙通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 在電
    的頭像 發(fā)表于 02-09 16:20 ?140次閱讀

    深入解析onsemi NCD57001:高性能IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器卓越

    深入解析onsemi NCD57001:高性能IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器卓越
    的頭像 發(fā)表于 02-11 16:05 ?161次閱讀