威兆半導(dǎo)體推出的VS2N7002K是一款面向 60V 低壓小信號(hào)場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,采用 SOT23 小型封裝,適配低功率信號(hào)開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 小型封裝:采用 SOT23 封裝,適配緊湊型、高密度電路板設(shè)計(jì);
- 低閾值電壓:柵源閾值電壓(\(V_{GS(th)}\))典型值2.5V@250uA,適配低壓驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 60 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 連續(xù)漏極電流 | \(I_D\) | 760 | mA |
| 導(dǎo)通電阻(\(V_{GS}=10V\)) | \(R_{DS(on)}\) | 3 | Ω |
| 柵源閾值電壓 | \(V_{GS(th)}\) | 2.5@250uA | V |
| 最大功率耗散 | \(P_D\) | 1 | W |
| 工作 / 存儲(chǔ)溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景
- 封裝形式:SOT23 表面貼裝封裝,適配小型化電路設(shè)計(jì);
- 典型應(yīng)用:
- 低功率信號(hào)開關(guān)電路;
- 小型電源管理系統(tǒng)的輔助開關(guān);
- 便攜設(shè)備的低功耗負(fù)載控制。
五、信息來源
威兆半導(dǎo)體官方資料及電子元件商城公開參數(shù)(注:以上參數(shù)基于公開資料整理,實(shí)際以官方數(shù)據(jù)手冊(cè)為準(zhǔn)。)
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