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選型手冊(cè):VS2N7002K N 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司 ? 2025-12-12 15:43 ? 次閱讀
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威兆半導(dǎo)體推出的VS2N7002K是一款面向 60V 低壓小信號(hào)場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,采用 SOT23 小型封裝,適配低功率信號(hào)開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓小信號(hào)場(chǎng)景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V、I_D=500mA\)時(shí)典型值
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)760mA
    • 最大功率耗散(\(P_D\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)1W。

二、核心特性

  • 小型封裝:采用 SOT23 封裝,適配緊湊型、高密度電路板設(shè)計(jì);
  • 閾值電壓:柵源閾值電壓(\(V_{GS(th)}\))典型值2.5V@250uA,適配低壓驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景;
  • 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號(hào)數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

60V
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±20V
連續(xù)漏極電流

\(I_D\)

760mA
導(dǎo)通電阻(\(V_{GS}=10V\))

\(R_{DS(on)}\)

3Ω
柵源閾值電壓

\(V_{GS(th)}\)

2.5@250uAV
最大功率耗散

\(P_D\)

1W
工作 / 存儲(chǔ)溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+150

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

  • 封裝形式:SOT23 表面貼裝封裝,適配小型化電路設(shè)計(jì);
  • 典型應(yīng)用
    • 低功率信號(hào)開關(guān)電路;
    • 小型電源管理系統(tǒng)的輔助開關(guān);
    • 便攜設(shè)備的低功耗負(fù)載控制。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方資料及電子元件商城公開參數(shù)(注:以上參數(shù)基于公開資料整理,實(shí)際以官方數(shù)據(jù)手冊(cè)為準(zhǔn)。)

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