引言

近日，中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)公示 2025 中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新成果推薦名單，上海貝嶺自主研發(fā)的車規(guī)級(jí)、特高壓平面MOSFET BLQ3N120 成功入選。該活動(dòng)經(jīng)多方嚴(yán)格評(píng)審，從眾多產(chǎn)品中篩選優(yōu)質(zhì)芯片，BLQ3N120 的入選彰顯其技術(shù)領(lǐng)先性與產(chǎn)業(yè)適配性。

此次入選不僅是對(duì)上海貝嶺技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可，更是發(fā)展動(dòng)力。未來公司將加大研發(fā)投入，推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品，助力汽車電子產(chǎn)品供應(yīng)豐富與提升！

產(chǎn)品特性

上海貝嶺推出的車規(guī)級(jí)特高壓平面硅基MOSFET BLQ3N120，采用先進(jìn)的晶胞結(jié)構(gòu)，可降低導(dǎo)通損耗、提高開關(guān)性能并增強(qiáng)雪崩能量，在確保車規(guī)級(jí)品質(zhì)的情況下，耐壓可做到1200V。主要特點(diǎn)有：高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、低閾值電壓VTH、高結(jié)溫等，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)、特高壓平面MOSFET市場(chǎng)領(lǐng)域的空白。

優(yōu)勢(shì)特征&參數(shù)

? VDS：1200V

? ID：3A

? RDS（ON）：5Ω

? IDSS：200nA（@VDS =1200V, VGS= 0V, Tj = 25℃）

? VGS(TH)：3V ~ 5V

? Fast Switching

? Low Crss

? 100% avalanche tested

? AEC-Q101 qualified

典型應(yīng)用

基于車規(guī)級(jí)、特高壓平面MOSFET BLQ3N120特性，其可應(yīng)用于新能源汽車電池管理系統(tǒng)（BMS）的總壓檢測(cè)、絕緣檢測(cè)、粘連檢測(cè)、主驅(qū)/PTC等的輔助電源、主動(dòng)泄放電子開關(guān)等。

比如，在BMS“三大檢測(cè)”（總壓檢測(cè)、絕緣檢測(cè)、粘連檢測(cè)）采樣通道通斷控制應(yīng)用中，早期解決方案是干簧管或光MOS，但其成本高。而BLQ3N120因具備耐壓高、關(guān)斷漏電流小、成本低等特點(diǎn)，可以替換干簧管或光MOS，完全勝任BMS“三大檢測(cè)”通道通斷控制需求，而且還具有成本更低的優(yōu)勢(shì)！

MOSFET BLQ3N120在BMS“三大”檢測(cè)中的應(yīng)用

再比如，在主驅(qū)等反激輔助電源應(yīng)用中，BLQ3N120因具備耐壓高、開關(guān)頻率高等特點(diǎn)，還可以用作電子開關(guān)管。

反激輔電示意框圖