量子點發(fā)光二極管（QLED）作為新一代顯示與照明技術(shù)，其性能高度依賴于電子傳輸層（ETL）與空穴注入層（HIL）的材料特性。傳統(tǒng)有機(jī)材料及某些過渡金屬氧化物（如ZnO、MoO?）由于電阻率高、空穴濃度低等限制，性能提升有限。金屬硫化物具有組成多樣、帶隙可調(diào)、導(dǎo)電性良好等優(yōu)勢，在光電器件中展現(xiàn)出巨大潛力。Flexfilm探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。

本研究采用分子前體溶液法，成功制備了ZnS、CdS、Cu?S和Ag?S四種金屬硫化物薄膜，系統(tǒng)研究了其結(jié)構(gòu)與光電特性，為其在QLED中的應(yīng)用提供材料基礎(chǔ)。

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金屬硫化物在QLED中的研究背景

QLED通常采用p-i-n三明治結(jié)構(gòu)，其中ETL和HIL對電荷注入平衡與器件效率起關(guān)鍵作用。近年來，研究人員嘗試使用過渡金屬氧化物作為功能層，但仍受限于其電學(xué)性能。

相比之下，金屬硫化物如CdS、ZnS等已在光催化、太陽能電池中表現(xiàn)出優(yōu)異的能級匹配與界面特性，在QLED中亦具有應(yīng)用前景。本研究旨在通過溶液法可控制備多種金屬硫化物薄膜，并評價其作為QLED功能層的可行性。

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實驗方法

flexfilm

以前體溶液法合成四種金屬硫醇鹽前驅(qū)體：以乙酸鋅、乙酸鎘、乙酸銅與叔十二硫醇（DDT）在甲醇中反應(yīng)，分別制得Zn-DDT、Cd-DDT和Cu-DDT；以氧化銀與DDT在甲苯中反應(yīng)制得Ag-DDT。

前驅(qū)體經(jīng)離心、洗滌、干燥后溶于甲苯，形成澄清溶液。通過旋涂法在ITO基底上成膜，再根據(jù)熱重分析確定的溫度進(jìn)行退火（ZnS: 260 ℃、CdS: 269 ℃、Cu?S: 320 ℃、Ag?S: 300 ℃），獲得相應(yīng)硫化物薄膜。

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結(jié)果與討論

flexfilm

前驅(qū)體表征

(a-d) 四種金屬硫化物(Zn-DDT、Cd-DDT、Cu-DDT和Ag-DDT)的熱重曲線圖

(a-d) 四種金屬硫化物分子前體(Zn-DDT、Cd-DDT、Cu-DDT和Ag-DDT)的FT-IR吸收光譜圖

熱重分析（TGA）表明各前驅(qū)體在特定溫度區(qū)間發(fā)生分解，殘余質(zhì)量與目標(biāo)硫化物理論值一致。傅里葉變換紅外光譜（FT-IR）顯示在617 cm?1處出現(xiàn)C–S鍵特征峰，且未檢出S–H振動峰，證實DDT完全去質(zhì)子化并與金屬配位。

薄膜形貌與均勻性

(a) 四種金屬硫化物(Zn-DDT、Cd-DDT、Cu-DDT 和 Ag-DDT)前體溶液的照片(b)四種金屬硫化物(Zn-DDT、Cd-DDT、Cu-DDT 和 Ag-DDT)薄膜實物照片（膜厚~20 nm）

ZnS, CdS, CuxS 和 Ag2S 薄膜的(a, c, e, g)表面形態(tài)和(b, d, g, h)臺階高度圖

所得薄膜透明平整，臺階儀測試顯示表面粗糙度低、無針孔裂紋，有利于QLED中減少漏電流與器件短路。

晶體結(jié)構(gòu)與化學(xué)態(tài)分析

(a-d) ZnS、CdS、CuxS 和 Ag2S 分別在 260℃、269℃、320℃和 300℃退火后的薄膜 XRD圖

ZnS、CdS、CuxS和Ag2S薄膜的XPS圖譜(a) Zn 2p, (b) S 2p, (c) Cd 3d, (d) S 2p, (e) Cu 2p, (f) S 2p, (g) Ag 1s, (h) S 2p

XRD譜圖顯示各薄膜均為純相：ZnS為閃鋅礦結(jié)構(gòu)，CdS為纖鋅礦結(jié)構(gòu)，Cu?S與Cu?.?S?標(biāo)準(zhǔn)卡匹配，Ag?S為單斜相。

XPS進(jìn)一步證實元素價態(tài)：Zn2?/S2?、Cd2?/S2?、Ag?/S2?，而Cu?S中同時存在Cu?與Cu2?，其比例約為1.11，表明其具有混合價態(tài)特性，可能有利于空穴注入。

本研究通過分子前體溶液法成功制備了ZnS、CdS、Cu?S和Ag?S四種高質(zhì)量金屬硫化物薄膜。薄膜表現(xiàn)出良好的透明度、平整度、結(jié)晶純度及明確的化學(xué)組成。其中Cu?S的混合價態(tài)特性顯示出作為空穴注入層的潛力。該研究為金屬硫化物在QLED中的應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)，后續(xù)將開展器件集成與性能優(yōu)化研究。

Flexfilm探針式臺階儀

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在半導(dǎo)體、光伏、LED、MEMS器件、材料等領(lǐng)域，表面臺階高度、膜厚的準(zhǔn)確測量具有十分重要的價值，尤其是臺階高度是一個重要的參數(shù)，對各種薄膜臺階參數(shù)的精確、快速測定和控制，是保證材料質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率的重要手段。

• 配備500W像素高分辨率彩色攝像機(jī)
• 亞埃級分辨率，臺階高度重復(fù)性1nm
• 360°旋轉(zhuǎn)θ平臺結(jié)合Z軸升降平臺
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費(fèi)曼儀器作為國內(nèi)領(lǐng)先的薄膜厚度測量技術(shù)解決方案提供商，Flexfilm探針式臺階儀可以對薄膜表面臺階高度、膜厚進(jìn)行準(zhǔn)確測量，保證材料質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率。

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