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深入剖析MAX15090:2.7V - 18V、12A熱插拔解決方案

h1654155282.3538 ? 2026-02-09 10:40 ? 次閱讀
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深入剖析MAX15090B/MAX15090C:2.7V - 18V、12A熱插拔解決方案

大家好,今天我們來詳細探討Analog Devices推出的MAX15090B/MAX15090C芯片,這是一款針對熱插拔應(yīng)用的高性能集成解決方案,能讓電路線卡安全地插入和拔出帶電背板。

文件下載:MAX15090.pdf

一、芯片概述

集成特性

MAX15090B/MAX15090C將熱插拔控制器、6mΩ功率MOSFET電子斷路器保護集成在一個封裝中。這種高度集成大大減少了刀片服務(wù)器等對空間要求苛刻的設(shè)計中的解決方案尺寸。同時,它還集成了精確的電流檢測電路,能提供220μA/A的比例輸出電流,無需外部RSENSE就能實現(xiàn)電流報告。

工作電壓與保護功能

該芯片適用于2.7V至18V的電源電壓保護,在啟動時采用折返式電流限制,有效控制浪涌電流,降低di/dt,確保MOSFET在安全工作區(qū)(SOA)條件下運行。啟動完成后,片上比較器提供VariableSpeed/BiLevel?保護,可應(yīng)對短路和過流故障,同時對系統(tǒng)噪聲和負載瞬變具有免疫力。

二、主要特性

集成帶來的優(yōu)勢

  • 減小尺寸:集成的6mΩ內(nèi)部功率MOSFET和過壓保護等功能,減少了外部元件數(shù)量,降低了設(shè)計的復(fù)雜度和尺寸。
  • 豐富輸出:具備電源正常(Power-Good)和故障輸出(Fault Outputs),方便用戶監(jiān)測系統(tǒng)狀態(tài)。
  • 編程功能:可編程欠壓鎖定(Programmable Undervoltage Lockout)和無需外部RSENSE的電流報告功能,增加了設(shè)計的靈活性。
  • 熱保護:內(nèi)置熱保護功能,當(dāng)芯片溫度過高時,能及時關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,保護芯片安全。

靈活性設(shè)計

  • 寬電壓范圍:2.7V至18V的寬工作電壓范圍,適用于多種不同的電源系統(tǒng)。
  • 可調(diào)閾值:可調(diào)節(jié)斷路器電流/電流限制閾值,通過連接不同阻值的電阻到CB引腳,用戶可以根據(jù)實際需求設(shè)置合適的電流限制值。
  • 可編程控制:可編程的壓擺率控制和可變速度斷路器響應(yīng),能滿足不同應(yīng)用場景的需求。
  • 多種模式選擇:提供鎖定(Latchoff)或自動重試(Automatic Retry)選項,用戶可以根據(jù)系統(tǒng)要求選擇合適的故障處理模式。

安全特性

  • 高負載能力:具備12A(最大)的負載電流能力,能滿足大多數(shù)應(yīng)用的功率需求。
  • 高精度保護:斷路器閾值精度達到±10%,能提供準(zhǔn)確可靠的過流保護。
  • 浪涌電流控制:啟動時通過折返式電流限制調(diào)節(jié)浪涌電流,有效降低對系統(tǒng)的沖擊。
  • 短路檢測:具備IN - OUT短路檢測功能,能在啟動前及時發(fā)現(xiàn)短路故障,保護芯片和系統(tǒng)安全。

三、電氣特性

電源參數(shù)

  • (V{CC})和(V{IN})的工作范圍為2.7V至18V,能適應(yīng)不同的電源輸入。
  • (V{CC})在(V{IN}=3V)時的電源電流典型值為0.5mA,(V_{IN})在不同條件下的電源電流也有明確的參數(shù)。

電流限制

  • 電路斷路器精度在不同的(R{CB})阻值下有不同的表現(xiàn),通過公式(I{CB}=R_{CB} / 3333.3)可以計算出對應(yīng)的電流閾值。
  • 慢比較器響應(yīng)時間與過流程度有關(guān),過流越大,響應(yīng)時間越快。

定時參數(shù)

  • 啟動最大持續(xù)時間(t{SU})為43 - 53ms,自動重啟延遲時間(t{RESTART})為3.2s。
  • 時間延遲比較器高閾值(V{DLY_TH})為1.85 - 2.15V,時間延遲上拉電流(I{DLY})為1.6 - 2.2μA。

MOSFET參數(shù)

  • 總導(dǎo)通電阻(R_{ON})在不同溫度和電壓條件下有所變化,能滿足不同的應(yīng)用需求。
  • GATE充電電流(I_{GATE})典型值為5.7μA,可通過連接外部電容來控制輸出壓擺率。

輸出參數(shù)

  • FAULT和PG輸出的低電壓(V{OL})在低阻抗?fàn)顟B(tài)下最大為0.4V,高阻抗?fàn)顟B(tài)下的泄漏電流(I{OH})最大為1μA。

電流報告參數(shù)

  • ISENSE滿量程電流(I_{ISENSE})典型值為2.64mA,增益比為220μA/A,能提供準(zhǔn)確的電流報告。

其他參數(shù)

  • PG閾值(V{PG})為(0.9 ×V{IN}),斷言延遲(t_{PG})為12 - 20ms。
  • 熱關(guān)斷溫度(T_{SD})為+150°C,熱關(guān)斷遲滯為20°C。

四、功能詳解

使能邏輯和欠壓/過壓鎖定閾值

芯片的輸出使能取決于(V{CC})、UV和OV的狀態(tài)。當(dāng)(V{CC}>V{UVLO})、(V{UV}>V{UV_TH})且(V{OV}{ov_th})時,輸出開啟;反之則關(guān)閉。通過外部電阻分壓器,可以靈活設(shè)置欠壓>

啟動過程

輸出使能后,芯片以約10V/ms的默認速率向負載供電,同時主動限制浪涌電流。用戶可以通過連接外部電容到GATE引腳來編程壓擺率。啟動時,折返式電流限制保護內(nèi)部MOSFET。當(dāng)OUT電壓超過預(yù)充電閾值((0.9 ×V{IN}))且((V{GATE }-V_{OUT })>3 ~V)時,啟動完成,電源正常輸出(PG)變?yōu)楦咦杩埂?/p>

VariableSpeed/BiLevel故障保護

在正常運行時,該保護機制通過不同閾值和響應(yīng)時間的比較器監(jiān)測負載電流。當(dāng)發(fā)生故障時,MAX15090C進入自動重試模式,而MAX15090B則鎖定關(guān)閉。

使能輸入(EN)

啟動成功且電源正常輸出后,EN輸入必須在(t_{DLY})延遲內(nèi)拉低至少1ms,否則芯片將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET。通過連接電容到CDLY和GND可以設(shè)置超時延遲。

電荷泵

集成的電荷泵為內(nèi)部功率MOSFET提供柵極驅(qū)動電壓,確保在正常狀態(tài)下MOSFET的低導(dǎo)通電阻運行。啟動時,以固定的5.7μA電流驅(qū)動MOSFET的GATE引腳,用戶可以通過連接外部電容來控制輸出壓擺率。

斷路器比較器和電流限制

通過連接外部電阻到CB和GND,可以設(shè)置斷路器閾值。當(dāng)負載電流超過閾值時,斷路器比較器會在一定時間后觸發(fā)保護動作,響應(yīng)時間與過流程度成反比。同時,芯片還具備災(zāi)難性短路保護功能。

自動重試和鎖定故障管理

發(fā)生故障時,芯片會關(guān)閉內(nèi)部MOSFET。MAX15090C在(t_{RESTART})延遲后進入自動重試模式,而MAX15090B則鎖定關(guān)閉,直到UV輸入循環(huán)關(guān)閉和打開。

故障狀態(tài)輸出(FAULT)

FAULT是一個開漏輸出,當(dāng)出現(xiàn)電流限制、過熱、啟動時IN - OUT短路或啟動超時等情況時,F(xiàn)AULT會拉低,直到下一個啟動周期。

電源正常(PG)延遲

PG是一個開漏輸出,在(t{PG})延遲后斷言,表示OUT電壓已達到((0.9 ×V{IN}))且((V{GATE }-V{OUT })>3 ~V)。

內(nèi)部穩(wěn)壓器輸出(REG)

芯片內(nèi)部的線性穩(wěn)壓器在REG引腳輸出3.3V電壓,為內(nèi)部電路塊供電。REG引腳需要連接至少1μF的電容到地,且不能外接負載(除了一個大于50kΩ的電阻連接到EN)。

電流報告輸出(ISENSE)

ISENSE引腳是一個精確電流檢測放大器的輸出,提供與負載電流成比例的源電流。通過連接電阻到ISENSE和地,可以產(chǎn)生一個縮放電壓信號,用于ADC數(shù)字化處理。

熱保護

當(dāng)芯片因功耗過大或環(huán)境溫度過高而過熱時,內(nèi)部熱保護電路會關(guān)閉內(nèi)部功率MOSFET。當(dāng)結(jié)溫下降20°C(典型值)時,芯片會從熱關(guān)斷模式中恢復(fù)。

IN - OUT短路保護

啟動時,芯片會立即檢查IN - OUT短路故障。如果VOUT大于(V_{IN})的90%,內(nèi)部MOSFET無法開啟,F(xiàn)AULT斷言,MAX15090C在3.2s后進入自動重試模式,而MAX15090B則鎖定關(guān)閉。

五、應(yīng)用信息

設(shè)置欠壓閾值

芯片的內(nèi)部MOSFET通過獨立的UV控制進行開關(guān)。默認欠壓鎖定閾值為2.5V(典型值),用戶可以通過電阻分壓器從IN到UV、OV和GND來編程欠壓鎖定閾值。

設(shè)置過壓閾值

芯片還具備獨立的OV控制,用于控制內(nèi)部MOSFET的過壓保護。當(dāng)VOV超過1.23V(典型值)時,內(nèi)部MOSFET關(guān)閉。用戶可以通過電阻分壓器來編程過壓鎖定閾值。

晶圓級封裝(WLP)應(yīng)用信息

對于WLP的最新應(yīng)用細節(jié),包括構(gòu)造、尺寸、載帶信息、PCB技術(shù)、凸塊焊盤布局、推薦的回流溫度曲線以及可靠性測試結(jié)果等,用戶可以參考相關(guān)的應(yīng)用筆記。

六、總結(jié)

MAX15090B/MAX15090C芯片憑借其高度集成、靈活設(shè)計和豐富的保護功能,為熱插拔應(yīng)用提供了可靠的解決方案。在實際設(shè)計中,工程師們可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理利用芯片的各項特性,優(yōu)化系統(tǒng)性能。大家在使用這款芯片的過程中遇到過哪些問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享交流。

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