什么是DRAM動態(tài)隨機存取存儲器？
DRAM動態(tài)隨機存取存儲器，全稱為Dynamic Random Access Memory，是一種典型的易失性半導(dǎo)體存儲器。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器可以隨機地對存儲單元進行讀寫操作，而不需要像順序存儲器那樣按照特定的順序進行訪問。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器的“動態(tài)”二字源于它的工作特性：必須通過周期性刷新來維持數(shù)據(jù)。這與利用電荷陷阱存儲數(shù)據(jù)的NAND閃存有著本質(zhì)區(qū)別，DRAM主要用于系統(tǒng)運行時的臨時數(shù)據(jù)存儲與高速緩存，直接決定了電子設(shè)備的運行速度和多任務(wù)處理能力。

DRAM動態(tài)隨機存取存儲器的存儲原理是什么？
DRAM動態(tài)隨機存取存儲器簡單來說就是一個由“晶體管+電容”組成的基本存儲單元（1T1C）。動態(tài)隨機存儲器（DRAM）是利用存儲元電路中的柵極電容上的電荷來存儲信息的，常見的DRAM的基本存儲電路通常分為三管式和單管式。當(dāng)電容處于充電狀態(tài)時，代表二進制“1”；當(dāng)電容放電時，則代表二進制“0”。DRAM采用了地址復(fù)用技術(shù)。它將地址線數(shù)量減半，通過分時傳送行地址和列地址來定位存儲單元，有效減少了芯片的引腳數(shù)量。

DRAM動態(tài)隨機存取存儲器的刷新機制：
DRAM存儲信息的電容存在物理特性上的漏電現(xiàn)象，其上的電荷通常只能維持極短的時間（約1-2ms）。為了防止數(shù)據(jù)丟失，必須在電荷泄漏殆盡前對其進行補充或重寫，這個過程就是“刷新”。這也解釋了為什么DRAM斷電后數(shù)據(jù)會立即丟失。由于電容的電荷保持特性，刷新操作是DRAM工作的核心環(huán)節(jié)。

常見的刷新策略有三種：
1.集中刷新：DRAM動態(tài)隨機存取存儲器會在特定的刷新周期內(nèi)，集中所有時間對所有行逐一刷新。此期間無法進行正常讀寫，會產(chǎn)生一段“死時間”。
2.分散刷新：將刷新操作分散到每個存取周期中。這消除了“死時間”，但延長了存取周期，一定程度上降低了系統(tǒng)性能。
3.異步刷新：結(jié)合了前兩者的優(yōu)點，將刷新操作分散在整個刷新周期內(nèi)進行，既保證了數(shù)據(jù)的有效保持，又最大限度地減少了對正常訪問的影響。

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審核編輯 黃宇