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TPS25925x/6x eFuse保護(hù)開關(guān):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析

lhl545545 ? 2026-02-28 09:55 ? 次閱讀
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TPS25925x/6x eFuse保護(hù)開關(guān):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,電路保護(hù)和電源管理是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。德州儀器TI)的TPS25925x/6x系列eFuse保護(hù)開關(guān),為我們提供了一種高度集成的解決方案。今天,我們就來深入探討一下這款產(chǎn)品的特點(diǎn)、應(yīng)用以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

文件下載:tps25925.pdf

一、產(chǎn)品概述

TPS25925x/6x系列包括TPS259250、TPS259251、TPS259260和TPS259261等型號(hào)。其中,TPS25926x適用于12V系統(tǒng),而TPS25925x則針對(duì)5V系統(tǒng)。該系列產(chǎn)品具有以下顯著特點(diǎn):

  1. 集成MOSFET:內(nèi)置30mΩ的導(dǎo)通電阻,有效降低功耗。
  2. 過壓保護(hù):提供固定的過壓鉗位功能,TPS25925x為6.1V,TPS25926x為15V。
  3. 可調(diào)電流限制:可在2A至5A之間進(jìn)行調(diào)節(jié),精度為±15%。
  4. 編程輸出壓擺率:通過dV/dT引腳,可使用單個(gè)電容來控制輸出電壓的上升速率。
  5. 熱關(guān)斷保護(hù):內(nèi)置熱傳感器,當(dāng)溫度超過150°C時(shí),自動(dòng)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET。
  6. 安全認(rèn)證:獲得UL 2367認(rèn)證,在單點(diǎn)故障測(cè)試(UL60950)中表現(xiàn)安全。
  7. 小尺寸封裝:采用10引腳的VSON封裝,尺寸僅為3mm x 3mm。

二、應(yīng)用場(chǎng)景

TPS25925x/6x系列適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:

  1. 硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)和固態(tài)硬盤(SSD:保護(hù)驅(qū)動(dòng)器免受電壓和電流波動(dòng)的影響。
  2. 機(jī)頂盒:確保穩(wěn)定的電源供應(yīng),提高設(shè)備的可靠性。
  3. 服務(wù)器和輔助電源:為服務(wù)器提供可靠的電源保護(hù)。
  4. PCI和PCIe卡:保護(hù)高速數(shù)據(jù)傳輸卡免受電源故障的影響。
  5. 適配器供電設(shè)備:為各種適配器供電設(shè)備提供過流和過壓保護(hù)。

三、詳細(xì)特性分析

3.1 引腳功能

引腳編號(hào) 引腳名稱 類型 描述
1 dV/dT O 連接電容到GND,控制輸出電壓的上升速率
2 EN/UVLO I 控制內(nèi)部MOSFET的開關(guān)狀態(tài),同時(shí)可用于設(shè)置欠壓鎖定(UVLO)閾值
3 - 5 VIN I 輸入電源電壓
6 - 8 OUT O 設(shè)備的輸出
9 NC NC 內(nèi)部未連接,可懸空或接地
10 ILIM O 通過連接到GND的電阻設(shè)置過載和短路電流限制

3.2 電氣特性

3.2.1 輸入電源

  • 欠壓鎖定(UVLO)閾值:上升閾值為4.15 - 4.45V,具有5%的滯后。
  • 電源電流:啟用時(shí),TPS25926x為0.3 - 0.55mA,TPS25925x為0.35 - 0.6mA;關(guān)閉時(shí)為0.13 - 0.225mA。
  • 過壓鉗位:TPS25926x為13.8 - 16.5V,TPS25925x為5.25 - 6.75V。

3.2.2 使能/欠壓鎖定輸入

  • 使能閾值電壓:上升閾值為1.37 - 1.44V,下降閾值為1.32 - 1.39V。
  • 輸入泄漏電流:在0 - 5V范圍內(nèi)為 -100 - 100nA。

3.2.3 輸出壓擺率控制

  • 充電電流:典型值為220nA。
  • 放電電阻:EN/UVLO = 0V時(shí)為50 - 100Ω。
  • 最大電容電壓:5.5V。
  • 增益:dV/dT到OUT的增益為4.85V/V。

3.2.4 電流限制編程

  • 偏置電流:典型值為10μA。
  • 過載電流限制:可通過ILIM引腳的電阻進(jìn)行設(shè)置,不同電阻值對(duì)應(yīng)不同的電流限制。
  • 短路電流限制:在不同條件下有相應(yīng)的限制值。

3.2.5 輸出

  • 導(dǎo)通延遲:典型值為220μs。
  • FET導(dǎo)通電阻:25°C時(shí)為21 - 39mΩ,125°C時(shí)為40 - 50mΩ。
  • 關(guān)斷狀態(tài)下的輸出偏置電流:源電流為 -5 - 1.2μA,吸收電流為10 - 20μA。

3.2.6 熱關(guān)斷

  • 熱關(guān)斷閾值:上升閾值為150°C,具有10°C的滯后。
  • 熱故障響應(yīng):TPS259250/60為鎖存模式,TPS259251/61為自動(dòng)重試模式。

3.3 工作模式

TPS25925x/6x的工作模式主要包括啟動(dòng)、正常運(yùn)行和故障保護(hù)三個(gè)階段。

  1. 啟動(dòng)階段:當(dāng)VIN超過欠壓鎖定閾值(VUVR)時(shí),設(shè)備檢測(cè)EN/UVLO引腳。如果該引腳為高電平,內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通,電流從VIN流向OUT。用戶可以通過在dV/dT引腳和GND之間連接電容來調(diào)整輸出電壓的上升時(shí)間。
  2. 正常運(yùn)行階段:設(shè)備持續(xù)監(jiān)測(cè)負(fù)載電流和輸入電壓,確保不超過可調(diào)的過載電流限制IOL,并將輸入電壓尖峰安全地鉗位到VOVC水平。
  3. 故障保護(hù)階段:當(dāng)設(shè)備溫度超過熱關(guān)斷閾值(TSHDN)時(shí),內(nèi)部MOSFET關(guān)閉,斷開負(fù)載與電源的連接。TPS259250/60在故障排除前保持輸出斷開,而TPS259251/61在溫度下降到TSHDN - 10°C后開始自動(dòng)重試。

四、應(yīng)用設(shè)計(jì)

4.1 典型應(yīng)用電路

典型應(yīng)用電路中,需要注意以下幾點(diǎn):

  • 輸入電容CIN:可選,推薦值為0.1μF,用于抑制PCB布線電感或輸入布線引起的瞬態(tài)。
  • 電阻RILIM:用于設(shè)置過載電流限制,計(jì)算公式為 (R_{ILIM}=frac{ILIM - 0.7}{3 × 10^{-5}})。
  • 電阻R1和R2:用于設(shè)置欠壓鎖定閾值,計(jì)算公式為 (V{(UV)}=frac{R{1}+R{2}}{R{2}} × V_{ENR})。
  • 電容CdVdT:用于控制輸出電壓的上升速率,計(jì)算公式為 (frac{dV{OUT}}{dt}=frac{I{dVdT} × GAIN{dVdT}}{C{dVdT}+C_{INT}})。

4.2 設(shè)計(jì)步驟

4.2.1 編程電流限制閾值

根據(jù)所需的過載電流限制ILIM,計(jì)算并選擇合適的RILIM電阻。例如,當(dāng)ILIM = 3.7A時(shí),RILIM = 100kΩ。

4.2.2 設(shè)置欠壓鎖定閾值

通過外部電阻分壓器R1和R2來調(diào)整欠壓鎖定閾值。對(duì)于默認(rèn)的UVLO閾值VUVR = 4.3V,可選擇R2 = OPEN,R1 = 1MΩ。

4.2.3 設(shè)置輸出電壓上升時(shí)間

考慮兩種情況:

  • 啟動(dòng)無負(fù)載:僅輸出電容Cout在啟動(dòng)時(shí)充電,計(jì)算啟動(dòng)時(shí)的平均功耗 (P{D(INRUSH)}=0.5 × V{(IN)} × I{(INRUSH)}),其中 (I{(INRUSH)}=C{(OUT)} × frac{V{(IN)}}{T_{dVdT}})。
  • 啟動(dòng)有負(fù)載:輸出電容Cout和負(fù)載在啟動(dòng)時(shí)都消耗電流,計(jì)算總功耗 (P{D(STARTUP)}=P{D(INRUSH)}+P{D(LOAD)}),其中 (P{D(LOAD)}=left(frac{1}{6}right) × frac{V^{2}(N)}{R_{L(SU)}})。

4.2.4 選擇支持組件

  • CIN:旁路電容,推薦值為0.001 - 0.1μF,用于控制瞬態(tài)電壓、單位發(fā)射和局部電源噪聲。

五、布局注意事項(xiàng)

5.1 布局指南

  • 去耦電容:在IN和GND之間推薦使用0.01μF或更大的陶瓷去耦電容,對(duì)于熱插拔應(yīng)用,可根據(jù)情況減少或消除該電容。
  • 高電流路徑:高電流承載的電源路徑連接應(yīng)盡可能短,并能承載至少兩倍的滿載電流。
  • 接地:GND引腳應(yīng)連接到PCB的接地平面,PCB接地應(yīng)為銅平面或島。
  • 支持組件:RILIM、CdVdT和ENUV的電阻應(yīng)靠近其連接引腳,并以最短的走線連接到GND引腳。
  • 保護(hù)器件:保護(hù)器件(如TVS、電容、二極管等)應(yīng)靠近被保護(hù)的設(shè)備,并使用短走線以減少電感。

5.2 布局示例

提供了一個(gè)PCB布局示例,展示了如何合理安排各個(gè)組件的位置,以確保良好的性能。

六、總結(jié)

TPS25925x/6x系列eFuse保護(hù)開關(guān)是一款功能強(qiáng)大、集成度高的電路保護(hù)和電源管理解決方案。它具有多種保護(hù)功能、可調(diào)的電流限制和輸出壓擺率,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。在設(shè)計(jì)過程中,需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇組件參數(shù),并注意布局和布線,以確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。你在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似產(chǎn)品的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和問題。

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