Wolfspeed 300 mm 碳化硅技術(shù):下一代 AI 與高性能計(jì)算先進(jìn)封裝的材料基礎(chǔ)
作者:Elif Balkas,Wolfspeed 首席技術(shù)官
人工智能 (AI) 工作負(fù)載的快速增加,正在從根本上重塑數(shù)據(jù)中心的架構(gòu),推動(dòng)封裝尺寸、功率密度和集成復(fù)雜度達(dá)到前所未有的水平。在持續(xù)的高工作負(fù)載條件下,傳統(tǒng)封裝材料受到其熱學(xué)、機(jī)械和電氣性能極限的制約。本文探討了 Wolfspeed 的 300 mm 碳化硅 (SiC) 技術(shù)平臺(tái)如何為下一代人工智能 (AI) 和高性能計(jì)算 (HPC) 異構(gòu)封裝架構(gòu)提供可規(guī)?;牟牧匣A(chǔ),從而在熱管理、機(jī)械完整性和電氣集成方面實(shí)現(xiàn)新的突破,并與行業(yè)制造基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)齊。
1. 人工智能 (AI) 與高性能計(jì)算 (HPC) 的封裝挑戰(zhàn)
人工智能 (AI) 與高性能計(jì)算 (HPC) 的集成發(fā)展路線要求封裝解決方案的尺寸增大至三倍,集成更多樣化的功能,并支持高達(dá)五倍的功率耗散。這些趨勢(shì)正將現(xiàn)有封裝架構(gòu)推向可用材料的極限,導(dǎo)致熱梯度、機(jī)械可靠性風(fēng)險(xiǎn)以及功率傳輸效率低下等問題,而這些問題使用傳統(tǒng)的硅或有機(jī)基板難以解決。
2. 為什么碳化硅是答案
單晶碳化硅獨(dú)特地結(jié)合了其他任何可規(guī)?;?a target="_blank">半導(dǎo)體基板所不具備的材料特性:
熱性能:熱導(dǎo)率為 370 – 490 W/m·K,是硅的三倍,可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的橫向和縱向熱擴(kuò)散。
機(jī)械穩(wěn)健性:高硬度、高強(qiáng)度和高熱穩(wěn)定性支持大面積多芯片芯粒 (chiplet) 組裝和高帶寬內(nèi)存 (HBM) 堆疊。
電氣性能:高電阻率和介電強(qiáng)度可實(shí)現(xiàn)更高的布線密度、低損耗信號(hào)傳輸,并簡(jiǎn)化功率傳輸和隔離結(jié)構(gòu)的集成。
這些特性的融合使得在單個(gè)可擴(kuò)展封裝材料平臺(tái)內(nèi),能夠在熱學(xué)、機(jī)械和電氣領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)性能的協(xié)同提升。
3. 為什么 300 mm 至關(guān)重要
向 300 mm 碳化硅晶圓尺寸的轉(zhuǎn)型,使先進(jìn)封裝材料與前沿的半導(dǎo)體制造和晶圓級(jí)封裝工藝保持一致,并充分利用了現(xiàn)有的行業(yè)工具和基礎(chǔ)設(shè)施。這不僅實(shí)現(xiàn)了可重復(fù)、大規(guī)模生產(chǎn)的可制造性,同時(shí)也支持成本優(yōu)化和生態(tài)系統(tǒng)兼容性。
此外,300 mm 平臺(tái)使得制造更大的中介層和熱擴(kuò)散組件成為可能,從而支持行業(yè)向日益增大的封裝尺寸和更復(fù)雜的異構(gòu)集成方向發(fā)展。
4. 先進(jìn)封裝創(chuàng)新的更大價(jià)值
Wolfspeed 的碳化硅平臺(tái)在封裝堆疊的多個(gè)層面都創(chuàng)造了價(jià)值:
碳化硅熱擴(kuò)散組件能夠?qū)崿F(xiàn)多向熱傳導(dǎo),增加有效冷卻面積并緩解局部熱點(diǎn)。
碳化硅基中介層增強(qiáng)了橫向和縱向熱擴(kuò)散,解決了人工智能 (AI) 持續(xù)工作負(fù)載下的散熱瓶頸問題。
新興的異構(gòu)集成趨勢(shì)進(jìn)一步放大了碳化硅在系統(tǒng)層面的影響:
直接芯片(Direct-to-chip, D2C)液體冷卻:允許設(shè)計(jì)工程化的表面結(jié)構(gòu),以改善芯片到冷卻劑的熱傳遞。
封裝內(nèi)功率傳輸(In-package power delivery, IPPD):支持集成功率傳輸和隔離結(jié)構(gòu),縮短功率傳輸路徑并改善電壓調(diào)節(jié)。
5. 展望未來
隨著行業(yè)朝更高功率計(jì)算解決方案邁進(jìn),Wolfspeed 300 mm 碳化硅平臺(tái)為下一代人工智能 (AI) 和高性能計(jì)算 (HPC) 系統(tǒng)提供了可靠的基礎(chǔ)。通過與正在合作的伙伴評(píng)估計(jì)劃,Wolfspeed 與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及研究機(jī)構(gòu)緊密協(xié)作,共同評(píng)估技術(shù)可行性、性能優(yōu)勢(shì)、可靠性以及集成路徑。這種協(xié)作方式旨在加速學(xué)習(xí)進(jìn)程,降低采用風(fēng)險(xiǎn),并幫助行業(yè)為未來人工智能 (AI) 工作負(fù)載所需的碳化硅-硅混合封裝架構(gòu)做好準(zhǔn)備。
關(guān)于 Wolfspeed, Inc.
Wolfspeed(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)在全球范圍內(nèi)推動(dòng)碳化硅技術(shù)采用方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位,這些碳化硅技術(shù)為全球最具顛覆性的創(chuàng)新成果提供了動(dòng)力支持。作為碳化硅領(lǐng)域的引領(lǐng)者和全球最先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新者,我們致力于為人人享有的美好世界賦能。Wolfspeed 通過面向各種應(yīng)用的碳化硅材料、功率模塊、分立功率器件和功率裸芯片產(chǎn)品,助您實(shí)現(xiàn)夢(mèng)想,成就非凡 (The Power to Make It Real)。
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3771瀏覽量
69657 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3498瀏覽量
52496 -
Wolfspeed
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
101瀏覽量
8839
原文標(biāo)題:Wolfspeed 300mm 碳化硅技術(shù):下一代 AI 與高性能計(jì)算先進(jìn)封裝的材料基礎(chǔ)
文章出處:【微信號(hào):WOLFSPEED,微信公眾號(hào):WOLFSPEED】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
技術(shù)突圍與市場(chǎng)破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級(jí)路徑
Wolfspeed發(fā)布300mm碳化硅AI數(shù)據(jù)中心先進(jìn)封裝平臺(tái)
200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響
SiC碳化硅功率電子在下一代太空光伏基礎(chǔ)設(shè)施中的戰(zhàn)略集成
Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓
破局300mm!Wolfspeed碳化硅晶圓取得關(guān)鍵突破
Wolfspeed發(fā)布E4MS系列分立式碳化硅MOSFET
Wolfspeed發(fā)布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET
禾望電氣選擇 Wolfspeed,憑借先進(jìn)的碳化硅技術(shù)助力風(fēng)能未來
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用
Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用
派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用
Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊
Wolfspeed 300mm碳化硅技術(shù)為下一代AI與HPC系統(tǒng)提供可靠基礎(chǔ)
評(píng)論