AI 算力黑洞來(lái)襲 ，存儲(chǔ)需求呈爆炸式增長(zhǎng)

AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的爆發(fā)成為存儲(chǔ)芯片需求的核心驅(qū)動(dòng)力，單臺(tái) AI服務(wù)器 DRAM 用量是普通服務(wù)器的 8-10倍，HBM更是成為高端AI芯片的標(biāo)配組件。2026年全球AI 服務(wù)器出貨量預(yù)計(jì)同比激增 180%，云廠 商資本開支同比提升40%至6000億美 元 ，算力建設(shè)的加速直接推動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求進(jìn)入指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)階段。

與此同時(shí)，全球頭部云廠商、AI 企業(yè)對(duì)高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的搶單行為持續(xù)升級(jí)，為保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定，多家企業(yè)與存儲(chǔ)大廠簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議，進(jìn)一步推高行業(yè)景氣度 。AI 應(yīng)用從訓(xùn)練端向推理端快速落地 ，邊緣計(jì)算、 智能終端等場(chǎng)景的存儲(chǔ)需求同步釋放 ，形成全場(chǎng)景需求共振 ，存儲(chǔ)芯片行業(yè)迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇 。

供給端： 產(chǎn)能受限 + 結(jié)構(gòu)調(diào)整 ，短缺格局難逆轉(zhuǎn)

全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)呈現(xiàn)總產(chǎn)能無(wú)新增 、先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端的雙重供給約束 。2026 年行業(yè)幾乎無(wú)新增產(chǎn)能落地 ，核心原因在于存儲(chǔ)芯片產(chǎn)線建設(shè)周期長(zhǎng)達(dá) 18-24 個(gè)月，前期行業(yè)下行周期的擴(kuò)產(chǎn)放緩直接導(dǎo)致 當(dāng)前產(chǎn)能缺口 。 同時(shí) ，三星 、SK 海力士 、 美光三大全球存儲(chǔ)巨頭的 70%以上先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 HBM、 高端服務(wù)器 DRAM 等高毛利率產(chǎn)品 ， 消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)能被大幅擠壓 ，結(jié)構(gòu)性短缺問題凸顯。

此外，三大巨頭當(dāng)前庫(kù)存僅維持在3-4周水平 ，遠(yuǎn)低于 8-12周的行業(yè)安全庫(kù)存線 ，庫(kù)存低位疊加產(chǎn)能調(diào)倉(cāng)，使得存儲(chǔ)芯片供給端的緊張局面在2027年上半年前難以緩解 。

價(jià)格端： 全線大漲 ，漲價(jià)趨勢(shì)延續(xù)

在供需失衡的推動(dòng)下 ，存儲(chǔ)芯片價(jià)格開啟超級(jí)漲價(jià)周期 。2026年開年以來(lái) ，DRAM和NAND Flash 價(jià)格創(chuàng) 下 2016 年以來(lái)最高水平，部分型號(hào)累計(jì)漲幅高達(dá) 369%;三星 、SK 海力士等大廠 Q1 DRAM 供應(yīng)價(jià)格漲幅超 100% ，NAND Flash 主流型號(hào)漲價(jià)超 50% ，HBM 因 技術(shù)壁壘高 、產(chǎn)能稀缺 ，價(jià)格漲幅 突破 170%。

機(jī)構(gòu)一致判斷 ，存儲(chǔ)芯片漲價(jià)趨勢(shì)至少延續(xù)至 2027 年上半年 ，核心邏輯在于供需缺口的持續(xù)存在 ，以及 AI 算力 、數(shù)據(jù)中心等下游需求的長(zhǎng)期增長(zhǎng)支撐 。

國(guó)產(chǎn)替代加速 ，全產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)發(fā)展良機(jī)

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片行業(yè)國(guó)產(chǎn)化率從 2023年的12% 快速提升至2026年的 29% ，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 、 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 DRAM、NAND Flash 領(lǐng)域的產(chǎn)能持續(xù)爬坡 ，核心產(chǎn)品良率穩(wěn)步提升 ，逐步實(shí)現(xiàn)對(duì)消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)市場(chǎng)的進(jìn)口替代，部分高端產(chǎn)品已進(jìn)入服務(wù)器、AI終端供應(yīng)鏈。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的 突破不僅帶動(dòng)設(shè)計(jì)、 制造環(huán)節(jié)發(fā)展 ，更推動(dòng)模組、 封測(cè) 、材料 、設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)迎來(lái)爆發(fā) ，國(guó) 內(nèi)企業(yè)在存儲(chǔ)模組 、 內(nèi)存接 口 芯片 、 先進(jìn)封裝 、 光刻膠 、CMP 拋光液等領(lǐng)域的市場(chǎng)份額持續(xù)提升 ， 國(guó)產(chǎn)替代成為行業(yè)發(fā)展的重要主線。

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兆易創(chuàng)新 (603986)

核心定位： 國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)龍頭 ， NOR Flash 全球領(lǐng)先 ， DRAM 實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)突破 。 核心優(yōu)勢(shì) ： 全球 NOR Flash 市占率位居前列 ， 車規(guī)級(jí) 、 工業(yè)級(jí)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力突出 ; 自研DRAM 產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) ，逐步切入消費(fèi)級(jí) 、工業(yè)級(jí)市場(chǎng) ， 國(guó)產(chǎn)替代空間巨大; 受益于存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲 ， 2026 年業(yè)績(jī)有望實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。

瀾起科技 (688008)

核心定位 ：全球內(nèi)存接口芯片絕對(duì)龍頭 ，AI 存儲(chǔ)配套核心企業(yè) 。核心優(yōu)勢(shì)： 內(nèi)存接口芯片全球市占率超 40%，是三星、SK 海力士、美光等大廠的核心供應(yīng)商;針對(duì) AI 服務(wù)器推出的新一代內(nèi)存接口芯片 、 緩沖芯片已批量出貨 ， 單臺(tái) AI 服務(wù)器配套價(jià)值量較普通服務(wù)器大幅提升 ， 業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)動(dòng)力強(qiáng)勁。

江波龍 (301308)

核心定位： 國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組領(lǐng)軍企業(yè) ， 企業(yè)級(jí) SSD 核心供應(yīng)商 。 核心優(yōu)勢(shì)： 產(chǎn)品線覆蓋消費(fèi)級(jí) 、 工業(yè)級(jí) 、 企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)模組 ， 客戶覆蓋全球主流云廠商 、 消費(fèi)電子品牌; 企業(yè)級(jí) SSD 產(chǎn)品在 AI 服務(wù)器 、 數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的需求快速增長(zhǎng) ， 疊加存儲(chǔ)芯片漲價(jià)帶來(lái)的產(chǎn)品提價(jià) ， 盈利能力持續(xù)提升。

佰維存儲(chǔ) (688525)

核心定位： 國(guó)內(nèi)消費(fèi)級(jí) + 工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)模組龍頭 ， AI 存儲(chǔ)模組核心配套商 。 核心優(yōu)勢(shì) ：深耕消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ) 、 工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域 ，在固態(tài)硬盤 、嵌入式存儲(chǔ)等產(chǎn)品上具備競(jìng)爭(zhēng)力; AI 服務(wù)器存儲(chǔ)模組 、車載存儲(chǔ)產(chǎn)品出貨量快速增長(zhǎng)，2026 年 1-2 月凈利潤(rùn)預(yù)增 9 倍+ ， 業(yè)績(jī)兌現(xiàn)能力突出。

長(zhǎng)電科技 (600584)

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核心定位： 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料龍頭 ，存儲(chǔ)芯片材料核心配套商 。核心優(yōu)勢(shì) ：在光刻膠、

前驅(qū)體 、 電子特氣等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)突破 ，產(chǎn)品覆蓋存儲(chǔ)芯片制造 、封裝全流程; 是三星、長(zhǎng)江存儲(chǔ) 、 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等企業(yè)的核心材料供應(yīng)商 ， 存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能擴(kuò)張直接推動(dòng)公司產(chǎn)品需求增長(zhǎng) ， 毛利率穩(wěn)步提升。

免責(zé)聲明：以上信息出自匯陽(yáng)研究部，內(nèi)容不做具體操作指導(dǎo)，客戶亦不應(yīng)將其作為投資決策的唯一參考因素。據(jù)此買入，責(zé)任自負(fù)，股市有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。

審核編輯 黃宇