深入剖析 FCP190N65F - N 溝道 SuperFET? II FRFET? MOSFET

在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能優(yōu)劣直接影響到整個電路的性能。今天我們就來深入剖析一下飛兆半導(dǎo)體的 FCP190N65F - N 溝道 SuperFET? II FRFET? MOSFET，了解它的特性、應(yīng)用以及相關(guān)參數(shù)。

文件下載：FCP190N65FCN-D.pdf

飛兆半導(dǎo)體與安森美半導(dǎo)體整合說明

由于飛兆半導(dǎo)體已并入安森美半導(dǎo)體，部分飛兆可訂購的零件編號需更改以符合安森美半導(dǎo)體的系統(tǒng)要求。安森美半導(dǎo)體的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（）的零件命名，因此飛兆零件編號中的下劃線（）將改為破折號（-）。大家可查看安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站以驗證更新后的器件編號，最新的訂購信息可在 www.onsemi.com 上獲取。若有關(guān)于系統(tǒng)集成的問題，可發(fā)郵件至 Fairchild_questions@onsemi.com。

FCP190N65F MOSFET 特性

電氣性能優(yōu)越

• 耐壓與電流：該 MOSFET 漏極 - 源極電壓（V_DSS）可達(dá) 650V，在 T_J=150°C 時能承受 700V。連續(xù)漏極電流（I_D）在 T_C=25°C 時為 20.6A，T_C=100°C 時為 13.1A，脈沖漏極電流（I_DM）可達(dá) 61.8A，能滿足不同電路的電流需求。
• 低導(dǎo)通電阻：典型值 R_DS(on)=168mΩ，最大 190mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗，提高電路效率。
  • 低柵極電荷和低輸出電容：超低柵極電荷（典型值 Q_g=60nC）和低有效輸出電容（典型值 C_oss(eff.)=186 pF），有助于實現(xiàn)快速開關(guān)，降低開關(guān)損耗。

可靠性高

• 雪崩測試：100% 經(jīng)過雪崩測試，能承受單脈沖雪崩能量（E_AS）400mJ，重復(fù)雪崩能量（E_AR）2.1mJ，增強了器件在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性。
• 符合標(biāo)準(zhǔn)：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保，符合現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

FCP190N65F 適用于多種領(lǐng)域，如 LCD / LED / PDP TV、太陽能逆變器和 AC - DC 電源等。在這些應(yīng)用中，其低導(dǎo)通損耗和優(yōu)越的開關(guān)性能能夠有效提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。大家在設(shè)計這些類型的電路時，是否會優(yōu)先考慮這款 MOSFET 呢？

詳細(xì)參數(shù)解讀

絕對最大額定值

熱性能

電氣特性

• 關(guān)斷特性：漏極 - 源極擊穿電壓（BV_DSS）在 T_J=25°C 時為 650V，T_J=150°C 時為 700V，擊穿電壓溫度系數(shù)為 0.71V/°C，零柵極電壓漏極電流（I_DSS）在不同條件下有不同值，柵極 - 體漏電流（I_GSS）為 ±100nA。
• 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓（V_GS(th)）為 3 - 5V，漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）在 V_GS=10V，I_D=10A 時為 168 - 190mΩ，正向跨導(dǎo)（g_FS）為 18S。
• 動態(tài)特性：輸入電容（C_iss）、輸出電容（C_oss）、反向傳輸電容（C_rss）等參數(shù)在不同條件下有相應(yīng)值，10V 電壓的柵極電荷總量（Q_g(tot)）為 60 - 78nC。
• 開關(guān)特性：導(dǎo)通延遲時間（t_d(on)）、導(dǎo)通上升時間（t_r）、關(guān)斷延遲時間（t_d(off)）和關(guān)斷下降時間（t_f）等參數(shù)決定了其開關(guān)速度。
• 漏極 - 源極二極管特性：漏極 - 源極二極管最大正向連續(xù)電流（I_S）為 20.6A，最大正向脈沖電流（I_SM）為 61.8A，正向電壓（V_SD）為 1.2V，反向恢復(fù)時間（t_rr）為 105ns，反向恢復(fù)電荷（Q_rr）為 515nC。

典型性能特征

文檔中給出了多個典型性能特征圖，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系等。這些特性圖有助于工程師更直觀地了解該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，從導(dǎo)通電阻變化與溫度的關(guān)系圖中，可以看到隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的變化趨勢，從而在設(shè)計電路時考慮溫度對器件性能的影響。大家在實際設(shè)計中，是否會經(jīng)常參考這些典型性能特征圖呢？

封裝標(biāo)識與定購信息

測試電路與波形

文檔還給出了柵極電荷測試電路與波形、阻性開關(guān)測試電路與波形、非箝位電感開關(guān)測試電路與波形以及二極管恢復(fù) dv/dt 峰值測試電路與波形等。這些測試電路和波形圖為工程師在實際測試和驗證該 MOSFET 性能時提供了參考。在進(jìn)行電路測試時，大家是否會嚴(yán)格按照這些測試電路和波形來進(jìn)行呢？

綜上所述，F(xiàn)CP190N65F - N 溝道 SuperFET? II FRFET? MOSFET 以其優(yōu)越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為電子工程師在設(shè)計相關(guān)電路時的一個不錯選擇。但在實際應(yīng)用中，還需要根據(jù)具體的電路要求和工作條件，對其各項參數(shù)進(jìn)行仔細(xì)評估和驗證。希望本文能對大家在使用這款 MOSFET 時有所幫助。