探索FQA11N90-F109 N溝道功率MOSFET的卓越性能
探索FQA11N90-F109 N溝道功率MOSFET的卓越性能
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及電子燈鎮(zhèn)流器等眾多場景。今天，我們就來深入探討一款由安森美（onsemi）出品的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET——FQA11N90-F109。
文件下載：FQA11N90_F109-D.PDF
產(chǎn)品概述
FQA11N90 - F109采用安森美專有的平面條紋和DMOS技術(shù)制造。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)經(jīng)過特別優(yōu)化，顯著降低了導(dǎo)通電阻，同時(shí)具備出色的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。這些特性使其在各類電源應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
關(guān)鍵特性
電參數(shù)特性
- 高耐壓大電流：能夠承受900V的漏源電壓（$V{DSS}$），連續(xù)漏極電流（$I{D}$）在$T{C}=25^{circ}C$ 時(shí)可達(dá)11.4A ，$T{C}=100^{circ}C$時(shí)仍有7.2A，脈沖漏極電流（$I_{DM}$）最大可達(dá)45.6A。這使得它在高電壓、大電流的應(yīng)用場景中表現(xiàn)穩(wěn)定。
- 低導(dǎo)通電阻：在$V{GS}=10V$ ，$I{D}=5.7A$ 的條件下，導(dǎo)通電阻$R_{DS(on)}$最大僅為960 mΩ，典型值為0.75Ω，有效降低了功率損耗。
- 低柵極電荷：典型柵極電荷（$Q_{g}$）為72nC，有助于降低驅(qū)動(dòng)損耗，提高開關(guān)效率。
- 低反饋電容：反向傳輸電容$C_{rss}$典型值為30pF，有利于改善開關(guān)速度和減少開關(guān)損耗。
可靠性特性
- 雪崩測試：經(jīng)過100%雪崩測試，單脈沖雪崩能量（$E{AS}$）達(dá)到1000mJ，重復(fù)雪崩能量（$E{AR}$）為30mJ，具備出色的抗雪崩能力，增強(qiáng)了器件在復(fù)雜工況下的可靠性。
- 環(huán)保合規(guī)：該器件符合無鉛、無鹵化物及RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
電氣及熱特性分析
電氣特性
| 特性分類 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | 漏源擊穿電壓$BVDSS$ | $V{GS}=0V$，$I{D}=250mu A$ | 900 | - | - | V |
| 擊穿電壓溫度系數(shù)$frac{partial BVDSS}{partial T_{J}}$ | $I_{D}=250mu A$，參考25°C | 1.0 | - | - | V/°C | |
| 零柵壓漏極電流$IDSS$ | $V{DS}=900V$，$V{GS}=0V$ | - | - | 10 | $mu A$ | |
| 零柵壓漏極電流$IDSS$ | $V{DS}=720V$，$T{C}=125^{circ}C$ | - | - | 100 | $mu A$ | |
| 柵源正向漏電流$IGSSF$ | $V{GS}=30V$，$V{DS}=0V$ | - | - | 100 | nA | |
| 柵源反向漏電流$IGSSR$ | $V{GS}=-30V$，$V{DS}=0V$ | - | - | -100 | nA | |
| 導(dǎo)通特性 | 柵極閾值電壓$VGS(th)$ | $V{GS}=V{DS}$，$I_{D}=250mu A$ | 3.0 | - | 5.0 | V |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻$RDS(on)$ | $V{GS}=10V$，$I{D}=5.7A$ | - | 0.75 | 0.96 | Ω | |
| 正向跨導(dǎo)$Q_{gFS}$ | $V{DS}=50V$，$I{D}=5.7A$ | - | 12 | S | ||
| 動(dòng)態(tài)特性 | 輸入電容$Ciss$ | $V{DS}=25V$，$V{GS}=0V$，$f = 1.0MHz$ | - | 2700 | 3500 | pF |
| 輸出電容$Coss$ | - | - | 260 | 340 | pF | |
| 反向傳輸電容$Crss$ | - | - | 30 | 40 | pF | |
| 開關(guān)特性 | 導(dǎo)通延遲時(shí)間$td(on)$ | $R{G}=25Omega$，$V{DD}=450V$，$I_{D}=11.4A$ | - | 65 | 140 | ns |
| 導(dǎo)通上升時(shí)間$tr$ | - | - | 135 | 280 | ns | |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間$td(off)$ | - | - | 165 | 340 | ns | |
| 關(guān)斷下降時(shí)間$tf$ | - | - | 90 | 190 | ns | |
| 總柵極電荷$Qg$ | $V{DS}=720V$，$I{D}=11.4A$，$V_{GS}=10V$ | 72 | - | 94 | nC | |
| 柵源電荷$Qgs$ | - | - | 16 | nC | ||
| 柵漏電荷$Qgd$ | - | - | - | 35 | nC | |
| 漏源二極管特性 | 最大連續(xù)漏源二極管正向電流$IS$ | - | - | - | 11.4 | A |
| 最大脈沖漏源二極管正向電流$ISM$ | - | - | - | 45.6 | A | |
| 漏源二極管正向電壓$VSD$ | $V_{GS}=0V$，$IS = 11.4A$ | - | - | 1.4 | V | |
| 反向恢復(fù)時(shí)間$trr$ | $V_{GS}=0V$，$IS = 11.4A$，$dIF/dt = 100A/mu s$ | - | - | 850 | ns | |
| 反向恢復(fù)電荷$Qrr$ | - | - | - | 11.2 | $mu C$ |
熱特性
- 結(jié)到外殼的熱阻$R{θJC}$最大為0.42°C/W，結(jié)到環(huán)境的熱阻$R{θJA}$最大為40°C/W。合理的熱阻設(shè)計(jì)有助于器件在工作過程中有效散熱，保證穩(wěn)定運(yùn)行。
典型特性曲線解讀
通過數(shù)據(jù)手冊中的典型特性曲線，我們可以更直觀地了解器件的性能隨各種參數(shù)的變化情況。這些曲線反映了器件在不同溫度、電壓和電流條件下的工作特性，對(duì)于工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)中進(jìn)行參數(shù)選型和性能評(píng)估具有重要參考價(jià)值。例如，從導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化曲線，我們可以確定在不同工作電流和驅(qū)動(dòng)電壓下器件的導(dǎo)通損耗；從擊穿電壓隨溫度的變化曲線，我們可以評(píng)估器件在不同溫度環(huán)境下的耐壓能力。
封裝與訂購信息
該器件采用TO - 3P - 3LD封裝，每管裝450個(gè)。對(duì)于需要了解卷帶包裝規(guī)格的用戶，可以參考文檔BRD8011/D。這種封裝形式便于安裝和散熱，適合多種應(yīng)用場景。
應(yīng)用場景與注意事項(xiàng)
應(yīng)用場景
FQA11N90 - F109適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及電子燈鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能能夠有效提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。
注意事項(xiàng)
在使用過程中，需要注意不要超過器件的最大額定值，否則可能會(huì)損壞器件并影響其可靠性。同時(shí)，由于產(chǎn)品的性能可能會(huì)受到實(shí)際工作條件的影響，因此在不同的應(yīng)用場景中，需要對(duì)產(chǎn)品的性能進(jìn)行驗(yàn)證。
作為電子工程師，我們在選擇功率MOSFET時(shí)，需要綜合考慮器件的各項(xiàng)性能指標(biāo)、封裝形式以及應(yīng)用場景等因素。FQA11N90 - F109憑借其出色的性能和可靠性，無疑是眾多電源應(yīng)用的理想選擇。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否使用過類似的MOSFET呢？在使用過程中又遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
-
功率MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
502瀏覽量
23137 -
電源應(yīng)用
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
57瀏覽量
9900
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論