ECH8660 Power MOSFET：高性能互補雙MOSFET的技術(shù)解析

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的電子元件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天，我們將深入探討 ON Semiconductor 推出的 ECH8660 Power MOSFET，它是一款具有高性能的互補雙 MOSFET，為電子工程師提供了更多的設(shè)計選擇。

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1. 產(chǎn)品概述

ECH8660 集成了一個 N 溝道 MOSFET 和一個 P 溝道 MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性，這使得它非常適合高密度安裝的應(yīng)用場景。同時，它支持 4V 驅(qū)動，并且符合無鹵標(biāo)準(zhǔn)。

2. 產(chǎn)品規(guī)格

2.1 絕對最大額定值

在 $Ta = 25^{circ}C$ 的條件下，ECH8660 的各項絕對最大額定值如下：	參數(shù)	符號	條件	N 溝道	P 溝道
漏源電壓	$V_{DSS}$	-	30	- 30	V
柵源電壓	$V_{GSS}$	-	±20	±20	V
漏極電流（直流）	$I_{D}$	-	4.5	- 4.5	A
漏極電流（脈沖）	$I_{DP}$	$PWleq10mu s$，占空比 $leq1%$	30	- 30	A
允許功耗	$P_{D}$	安裝在陶瓷基板（$1200mm^2×0.8mm$）上，1 單元	1.3	-	W
總功耗	$P_{T}$	安裝在陶瓷基板（$1200mm^2×0.8mm$）上	1.5	-	W
溝道溫度	$T_{ch}$	-	150	-	$^{circ}C$
存儲溫度	$T_{stg}$	-	- 55 至 +150	-	$^{circ}C$

需要注意的是，超過最大額定值的應(yīng)力可能會損壞器件，并且在推薦工作條件以上的功能操作并不意味著能正常工作，長時間暴露在推薦工作條件以上的應(yīng)力下可能會影響器件的可靠性。

2.2 電氣特性

ECH8660 的電氣特性涵蓋了多個方面，以下是 N 溝道和 P 溝道的部分關(guān)鍵參數(shù)：

N 溝道

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	$V_{(BR)DSS}$	$I{D}=1mA$，$V{GS}=0V$	30	-	-	V
零柵壓漏極電流	$I_{DSS}$	$V{DS}=30V$，$V{GS}=0V$	-	-	-	$mu A$
柵源泄漏電流	$I_{GSS}$	$V{GS}=±16V$，$V{DS}=0V$	±10	-	-	$mu A$
截止電壓	$V_{GS(off)}$	$V{DS}=10V$，$I{D}=1mA$	1.2	2.6	-	V
正向傳輸導(dǎo)納	$vert y_{fs}vert$	$V{DS}=10V$，$I{D}=2A$	1.66	-	-	S
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	$R_{DS(on)1}$	$I{D}=2A$，$V{GS}=10V$	45	59	-	$mOmega$
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	$R_{DS(on)2}$	$I{D}=1A$，$V{GS}=4.5V$	85	119	-	$mOmega$
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	$R_{DS(on)3}$	$I{D}=1A$，$V{GS}=4V$	110	155	240	$mOmega$
輸入電容	$C_{iss}$	$V_{DS}=10V$，$f = 1MHz$	-	-	-	pF
輸出電容	$C_{oss}$	$V_{DS}=10V$，$f = 1MHz$	-	45	-	pF
反向傳輸電容	$C_{rss}$	$V_{DS}=10V$，$f = 1MHz$	-	30	-	pF
導(dǎo)通延遲時間	$t_{d(on)}$	見指定測試電路	6.2	-	-	ns
上升時間	$t_{r}$	見指定測試電路	11	-	-	ns
關(guān)斷延遲時間	$t_{d(off)}$	見指定測試電路	17	-	-	ns
下降時間	$t_{f}$	見指定測試電路	7.5	-	-	ns
總柵極電荷	$Q_{g}$	$V{DS}=10V$，$V{GS}=10V$，$I_{D}=4.5A$	4.4	-	-	nC
柵源電荷	$Q_{gs}$	$V{DS}=10V$，$V{GS}=10V$，$I_{D}=4.5A$	1.1	-	-	nC
柵漏“米勒”電荷	$Q_{gd}$	$V{DS}=10V$，$V{GS}=10V$，$I_{D}=4.5A$	0.64	-	-	nC
二極管正向電壓	$V_{SD}$	$I{S}=4.5A$，$V{GS}=0V$	0.84	-	1.2	V

P 溝道

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	$V_{(BR)DSS}$	$I{D}= - 1mA$，$V{GS}=0V$	- 30	-	-	V
零柵壓漏極電流	$I_{DSS}$	$V{DS}= - 30V$，$V{GS}=0V$	-	-	-	$mu A$
柵源泄漏電流	$I_{GSS}$	$V{GS}=±16V$，$V{DS}=0V$	±10	-	-	$mu A$
截止電壓	$V_{GS(off)}$	$V{DS}= - 10V$，$I{D}= - 1mA$	- 1.2	- 2.3	-	V
正向傳輸導(dǎo)納	$vert y_{fs}vert$	$V{DS}= - 10V$，$I{D}= - 2A$	2.5	4.2	-	S
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	$R_{DS(on)1}$	$I{D}= - 2A$，$V{GS}= - 10V$	45	59	-	$mOmega$
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	$R_{DS(on)2}$	$I{D}= - 1A$，$V{GS}= - 4.5V$	71	100	-	$mOmega$
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	$R_{DS(on)3}$	$I{D}= - 1A$，$V{GS}= - 4V$	82	115	-	$mOmega$
輸入電容	$C_{iss}$	$V_{DS}= - 10V$，$f = 1MHz$	-	-	430	pF
輸出電容	$C_{oss}$	$V_{DS}= - 10V$，$f = 1MHz$	-	105	-	pF
反向傳輸電容	$C_{rss}$	$V_{DS}= - 10V$，$f = 1MHz$	-	75	-	pF
導(dǎo)通延遲時間	$t_{d(on)}$	見指定測試電路	7.5	-	-	ns
上升時間	$t_{r}$	見指定測試電路	26	-	-	ns
關(guān)斷延遲時間	$t_{d(off)}$	見指定測試電路	45	-	-	ns
下降時間	$t_{f}$	見指定測試電路	35	-	-	ns
總柵極電荷	$Q_{g}$	$V{DS}= - 10V$，$V{GS}= - 10V$，$I_{D}= - 4.5A$	10	-	-	nC
柵源電荷	$Q_{gs}$	$V{DS}= - 10V$，$V{GS}= - 10V$，$I_{D}= - 4.5A$	2.0	-	-	nC
柵漏“米勒”電荷	$Q_{gd}$	$V{DS}= - 10V$，$V{GS}= - 10V$，$I_{D}= - 4.5A$	2.5	-	-	nC
二極管正向電壓	$V_{SD}$	$I{S}= - 4.5A$，$V{GS}=0V$	- 0.85	-	- 1.2	V

這些電氣特性為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù)，例如在選擇合適的驅(qū)動電壓、評估開關(guān)速度等方面都具有重要意義。大家在實際應(yīng)用中，是否會根據(jù)這些參數(shù)來優(yōu)化電路設(shè)計呢？

3. 封裝與包裝信息

3.1 封裝

ECH8660 采用 ECH8 封裝，符合 JEITA、JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。其封裝尺寸如下（單位：mm，典型值）：（此處可插入封裝尺寸的相關(guān)圖片，由于文本形式限制，無法直接展示）

3.2 包裝

最小包裝數(shù)量為 3000 件/卷，包裝類型為 TL。包裝格式包括載帶、內(nèi)盒和外盒，具體信息如下：	包裝名稱	載帶容納器件數(shù)量（pcs）	最大包裝數(shù)量
ECH8	CPH6	3000/15000/90000	5 卷裝于內(nèi)盒，6 個內(nèi)盒裝于外盒
內(nèi)盒尺寸（mm，外部）	183×72×185	-	-
外盒尺寸（mm，外部）	440×195×210	-	-

同時，載帶尺寸和器件放置方向也有明確規(guī)定，這些信息對于產(chǎn)品的存儲和運輸都非常重要。

4. 使用注意事項

由于 ECH8660 是 MOSFET 產(chǎn)品，在使用時應(yīng)避免將其放置在高電荷物體附近，以免對器件造成損壞。

此外，ON Semiconductor 對產(chǎn)品的知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)品變更、保修等方面也有相關(guān)說明。例如，公司保留對產(chǎn)品進行更改的權(quán)利，并且不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任?！暗湫汀眳?shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，客戶需要對所有操作參數(shù)進行驗證。同時，該產(chǎn)品不適合用于外科植入人體、支持或維持生命等應(yīng)用場景。

5. 總結(jié)

ECH8660 Power MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)特性和無鹵設(shè)計，為電子工程師在高密度安裝的電路設(shè)計中提供了一個優(yōu)秀的選擇。通過對其規(guī)格參數(shù)、封裝包裝信息以及使用注意事項的了解，工程師可以更好地將其應(yīng)用到實際項目中。在實際設(shè)計過程中，大家是否還遇到過其他 MOSFET 應(yīng)用的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。

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ECH8660 Power MOSFET：高性能互補雙MOSFET的技術(shù)解析

1. 產(chǎn)品概述

2. 產(chǎn)品規(guī)格

2.1 絕對最大額定值

2.2 電氣特性

N 溝道

P 溝道

3. 封裝與包裝信息

3.1 封裝

3.2 包裝

4. 使用注意事項

5. 總結(jié)

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