深入解析 onsemi ECH8663R 雙 N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi ECH8663R 雙 N 溝道 MOSFET
在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET 作為一種關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天我們就來詳細探討 onsemi 推出的 ECH8663R 雙 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
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一、產(chǎn)品特性亮點
低導(dǎo)通電阻
ECH8663R 具備低導(dǎo)通電阻的特性，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，它能夠有效降低功率損耗，提高電路的效率。特別是在 2.5V 驅(qū)動時，其導(dǎo)通電阻表現(xiàn)出色，為電路設(shè)計提供了更優(yōu)的選擇。
2.5V 驅(qū)動能力
支持 2.5V 驅(qū)動，使得該 MOSFET 在低電壓應(yīng)用場景中具有良好的適應(yīng)性，能夠滿足一些對電壓要求較為嚴格的電路設(shè)計需求。
共漏極類型
采用共漏極類型的設(shè)計，方便在電路中進行布局和連接，簡化了電路設(shè)計的復(fù)雜度。
內(nèi)置保護功能
內(nèi)置保護二極管和柵極保護電阻，能夠有效保護 MOSFET 免受過壓、過流等異常情況的影響，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
適合鋰電池充放電開關(guān)
該產(chǎn)品特別適合用于鋰電池的充放電開關(guān)，能夠精準控制鋰電池的充放電過程，保障鋰電池的安全和性能。
無鹵合規(guī)
符合無鹵標準，滿足環(huán)保要求，符合現(xiàn)代電子設(shè)備對環(huán)保的追求。
二、規(guī)格參數(shù)詳解
絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 30 | V | |
| 柵源電壓 | (V_{GSS}) | ±12 | V | |
| 漏極電流（直流） | (I_{D}) | 8 | A | |
| 漏極電流（脈沖） | (I_{DP}) | (PWleq10mu s)，占空比 ≤ 1% | 60 | A |
| 允許功率耗散 | (P_{D}) | 安裝在陶瓷基板（(900mm^2times0.8mm)）1 單元 | 1.4 | W |
| 總功率耗散 | (P_{T}) | 安裝在陶瓷基板（(900mm^2times0.8mm)） | 1.5 | W |
| 溝道溫度 | (T_{ch}) | 150 | °C | |
| 存儲溫度 | (T_{stg}) | -55 至 +150 | °C |
需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
導(dǎo)通電阻
| 條件 | (R_{DS(on)}) MAX |
|---|---|
| 30V，8A | |
| 3.1V 驅(qū)動 | 23 mΩ |
| 2.5V 驅(qū)動 | 28 mΩ |
不同驅(qū)動電壓下的導(dǎo)通電阻值為電路設(shè)計提供了重要參考，工程師可以根據(jù)實際需求選擇合適的驅(qū)動電壓。
電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | (V_{(BR)DSS}) | (I{D}=1mA)，(V{GS}=0V) | 30 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | (I_{DSS}) | (V{DS}=30V)，(V{GS}=0V) | 1 | μA | ||
| 柵源泄漏電流 | (I_{GSS}) | (V{GS}= +8V)，(V{DS}=0V) | ±10 | μA | ||
| 截止電壓 | (V_{GS(off)}) | (V{DS}=10V)，(I{D}=1mA) | 0.5 | 1.3 | V | |
| 正向傳輸導(dǎo)納 | (y_{fs}) | (V{DS}=10V)，(I{D}=4A) | 5 | 8.5 | S | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 1 | (R_{DS(on)1}) | (I{D}=4A)，(V{GS}=4.5V) | 10.5 | 15.5 | 20.5 | mΩ |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 2 | (R_{DS(on)2}) | (I{D}=4A)，(V{GS}=4.0V) | 11 | 16 | 21 | mΩ |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 3 | (R_{DS(on)3}) | (I{D}=2A)，(V{GS}=3.1V) | 12 | 17.5 | 23 | mΩ |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 4 | (R_{DS(on)4}) | (I{D}=2A)，(V{GS}=2.5V) | 12 | 20 | 28 | mΩ |
| 開啟延遲時間 | (t_{d(on)}) | 見指定測試電路 | 1 | 320 | ns | |
| 上升時間 | (t_{r}) | 850 | ns | |||
| 關(guān)斷延遲時間 | (t_{d(off)}) | 4200 | ns | |||
| 下降時間 | (t_{f}) | 1800 | ns | |||
| 總柵極電荷 | (Q_{g}) | (V{DS}=10V)，(V{GS}=4.5V)，(I_{D}=8A) | 12.3 | nC | ||
| 柵源電荷 | (Q_{gs}) | 2.4 | nC | |||
| 柵漏“米勒”電荷 | (Q_{gd}) | 2.8 | nC | |||
| 二極管正向電壓 | (V_{SD}) | (I{S}=8A)，(V{GS}=0V) | 0.75 | 1.2 | V |
這些電氣特性參數(shù)對于評估 MOSFET 在不同工作條件下的性能至關(guān)重要，工程師在設(shè)計電路時需要根據(jù)具體需求進行合理選擇。
三、測試電路與特性曲線
開關(guān)時間測試電路
文檔中給出了開關(guān)時間測試電路的具體參數(shù)，如 (V{DD}=15V)，(V{IN}=4.5V)，(I{D}=4A)，(R{L}=3.75Omega) 等。通過這個測試電路，可以準確測量 MOSFET 的開關(guān)時間特性。
特性曲線
文檔中還提供了一系列特性曲線，包括 (I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{a})、(vert y{fs}vert -I{D})、(I{S}-V{SD})、(SW Time - I{D})、(V{GS}-Q{g})、(ASO) 和 (P{D}-T_{a}) 等。這些曲線直觀地展示了 MOSFET 在不同工作條件下的性能變化，幫助工程師更好地理解和應(yīng)用該器件。
四、封裝與訂購信息
封裝形式
ECH8663R 采用 SOT - 28FL / ECH8 封裝，這種封裝形式具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性，方便在電路板上進行安裝和焊接。
訂購信息
產(chǎn)品型號為 ECH8663R - TL - H，采用無鉛和無鹵封裝，每盤 3000 個，采用卷帶包裝。如需了解卷帶規(guī)格的詳細信息，可參考相關(guān)的卷帶包裝規(guī)格手冊。
五、總結(jié)與思考
onsemi 的 ECH8663R 雙 N 溝道 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻、2.5V 驅(qū)動、內(nèi)置保護功能等諸多優(yōu)勢，非常適合鋰電池充放電開關(guān)等應(yīng)用場景。在電路設(shè)計過程中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其規(guī)格參數(shù)和特性曲線，合理選擇工作條件，以確保電路的性能和可靠性。同時，也要注意遵守產(chǎn)品的使用規(guī)范，避免超過最大額定值，從而保證器件的正常工作。大家在實際應(yīng)用中是否遇到過類似 MOSFET 的選型問題呢？又是如何解決的呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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深入解析 onsemi NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET
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