深入解析ECH8690互補雙功率MOSFET

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種極為重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天，我們就來詳細(xì)解析一下 onsemi 公司的 ECH8690 互補雙功率 MOSFET。

文件下載：ECH8690-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

ECH8690 是一款采用 onsemi 溝槽技術(shù)生產(chǎn)的功率 MOSFET，該技術(shù)專門設(shè)計用于降低導(dǎo)通電阻，非常適合對導(dǎo)通電阻要求較低的應(yīng)用場景。它具有 N 溝道和 P 溝道 MOSFET，并且是無鉛、無鹵素且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)保產(chǎn)品。

二、產(chǎn)品特性

1. 導(dǎo)通電阻特性

N 溝道：典型導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)1}) 為 42 mΩ 。
P 溝道：典型導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)1}) 為 73 mΩ 。

2. 保護(hù)二極管

內(nèi)部集成了保護(hù)二極管，增強了器件的可靠性。

3. 驅(qū)動電壓

支持 4V 驅(qū)動，方便與各種控制電路配合使用。

三、引腳與電氣連接

ECH8690 采用 SOT - 28FL/ECH8 封裝，引腳定義如下：

Source1
Gate1
Source2
Gate2
Drain2
Drain2
Drain1
Drain1

四、絕對最大額定值

在 (T_{A}=25^{circ}C) 的條件下，ECH8690 的絕對最大額定值如下：	參數(shù)	N 溝道	P 溝道
(V_{DSS})（漏源電壓）	60	-60	V
(V_{GSS})（柵源電壓）	±20	±20	V
(I_{D})（直流漏極電流）	4.7	-3.5	A
(I_{DP})（脈沖漏極電流）（(PW ≤10 μs)，占空比 ≤1%）	30	-30	A
(P_{D})（允許功率耗散，安裝在陶瓷基板（(1200 mm^2×0.8 mm)）上）	1.5	-	W
(P_{T})（總耗散，安裝在陶瓷基板（(1200 mm^2×0.8 mm)）上）	1.8	-	W
(T_{ch})（溝道溫度）	150	-	°C
(T_{stg})（存儲溫度）	-55 至 +150	-	°C

需要注意的是，超過這些最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

五、電氣特性

1. N 溝道電氣特性

參數(shù)	條件	最小值	典型值	最大值	單位
(V_{(BR)DSS})（漏源擊穿電壓）	(I{D}=1 mA)，(V{GS}=0 V)	60	-	-	V
(I_{DSS})（零柵壓漏極電流）	(V{DS}=60 V)，(V{GS}=0 V)	-	-	1	μA
(I_{GSS})（柵源泄漏電流）	(V{GS}=±16 V)，(V{DS}=0 V)	-	-	±10	nA
(V_{GS(off)})（截止電壓）	(V{DS}=10 V)，(I{D}=1 mA)	1.2	2.6	-	V
(	y_{fs}	)（正向傳輸導(dǎo)納）	(V{DS}=10 V)，(I{D}=2 A)	-	4.2	-	S
(R_{DS(on)1})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）	(I{D}=2 A)，(V{GS}=10 V)	-	42	55	mΩ
(R_{DS(on)2})	(I{D}=1 A)，(V{GS}=4.5 V)	-	53	74	mΩ
(R_{DS(on)3})	(I{D}=1 A)，(V{GS}=4 V)	-	61	85	mΩ
(C_{iss})（輸入電容）	(V_{DS}=20 V)，(f = 1 MHz)	-	955	-	pF
(C_{oss})（輸出電容）	-	-	58	-	pF
(C_{rss})（反向傳輸電容）	-	-	45	-	pF
(t_{d(on)})（導(dǎo)通延遲時間）	見指定測試電路	7	-	-	ns
(t_{r})（上升時間）	-	8.4	-	ns
(t_{d(off)})（關(guān)斷延遲時間）	-	-	76	ns
(t_{f})（下降時間）	-	23	-	ns
(Q_{g})（總柵極電荷）	(V{DS}=30 V)，(V{GS}=10 V)，(I_{D}=4.7 A)	-	18	-	nC
(Q_{gs})（柵源電荷）	-	3	-	nC
(Q_{gd})（柵漏“米勒”電荷）	-	2.8	-	nC
(V_{SD})（二極管正向電壓）	(I{S}=4.7 A)，(V{GS}=0 V)	0.82	-	1.2	V

2. P 溝道電氣特性

參數(shù)	條件	最小值	典型值	最大值	單位
(V_{(BR)DSS})（漏源擊穿電壓）	(I{D}=-1 mA)，(V{GS}=0 V)	-60	-	-	V
(I_{DSS})（零柵壓漏極電流）	(V{DS}=-60 V)，(V{GS}=0 V)	-	-	-1	μA
(I_{GSS})（柵源泄漏電流）	(V{GS}=±16 V)，(V{DS}=0 V)	-	-	±10	nA
(V_{GS(off)})（截止電壓）	(V{DS}=-10 V)，(I{D}=-1 mA)	-1.2	-2.6	-	V
(	y_{fs}	)（正向傳輸導(dǎo)納）	(V{DS}=-10 V)，(I{D}=-1.5 A)	-	3.4	-	S
(R_{DS(on)1})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）	(I{D}=-1 A)，(V{GS}=-10 V)	-	73	94	mΩ
(R_{DS(on)2})	(I{D}=-0.5 A)，(V{GS}=-4.5 V)	-	97	135	mΩ
(R_{DS(on)3})	(I{D}=-0.5 A)，(V{GS}=4 V)	-	108	153	mΩ
(C_{iss})（輸入電容）	(V_{DS}=-20 V)，(f = 1 MHz)	-	790	-	pF
(C_{oss})（輸出電容）	-	-	63	-	pF
(C_{rss})（反向傳輸電容）	-	-	45	-	pF
(t_{d(on)})（導(dǎo)通延遲時間）	見指定測試電路	-	10	-	ns
(t_{r})（上升時間）	-	8.8	-	ns
(t_{d(off)})（關(guān)斷延遲時間）	-	-	84	ns
(t_{f})（下降時間）	-	29	-	ns
(Q_{g})（總柵極電荷）	(V{DS}=-30 V)，(V{GS}=-10 V)，(I_{D}=-3.5 A)	-	15	-	nC
(Q_{gs})（柵源電荷）	-	2.6	-	nC
(Q_{gd})（柵漏“米勒”電荷）	-	2.2	-	nC
(V_{SD})（二極管正向電壓）	(I{S}=-3.5 A)，(V{GS}=0 V)	-	-0.83	-1.2	V

六、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括 (I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A}) 等曲線。這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，對于工程師進(jìn)行電路設(shè)計和性能評估非常有幫助。例如，通過 (R{DS(on)}-V{GS}) 曲線，我們可以了解到導(dǎo)通電阻隨柵源電壓的變化情況，從而選擇合適的驅(qū)動電壓來降低導(dǎo)通損耗。

七、訂購信息

ECH8690 的產(chǎn)品編號為 ECH8690 - TL - H，采用 SOT - 28FL / ECH8 封裝，以 3000 個/卷帶和卷軸的形式發(fā)貨。關(guān)于卷帶和卷軸的規(guī)格，可參考 BRD8011/D 手冊。

八、使用注意事項

由于 ECH8690 是 MOSFET 產(chǎn)品，應(yīng)避免在高電荷物體附近使用。除指定應(yīng)用外，如需使用請聯(lián)系銷售部門。

綜上所述，ECH8690 是一款性能優(yōu)良的互補雙功率 MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、集成保護(hù)二極管等優(yōu)點，適用于多種對導(dǎo)通電阻要求較低的應(yīng)用場景。在實際設(shè)計中，工程師可以根據(jù)其電氣特性和典型特性曲線，合理選擇工作條件，以實現(xiàn)最佳的電路性能。大家在使用過程中有沒有遇到過類似的 MOSFET 器件呢？它們之間又有哪些不同之處呢？歡迎在評論區(qū)交流分享。

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。舉報投訴

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一、產(chǎn)品概述

二、產(chǎn)品特性

1. 導(dǎo)通電阻特性

2. 保護(hù)二極管

3. 驅(qū)動電壓

三、引腳與電氣連接

四、絕對最大額定值

五、電氣特性

1. N 溝道電氣特性

2. P 溝道電氣特性

六、典型特性曲線

七、訂購信息

八、使用注意事項

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二、產(chǎn)品特性

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2. 保護(hù)二極管

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四、絕對最大額定值

五、電氣特性

1. N 溝道電氣特性

2. P 溝道電氣特性

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七、訂購信息

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