華潤微代理商 - 華潤微授權(quán)佰祥電子為中國區(qū)華潤微代理商，佰祥電子本期為大家?guī)砣A潤微專為高壓功率開關(guān)場景匠心打造的 Planar N-MOSFET——CS18N20A8RZ-G，以 200V 高耐壓、0.12Ω 低導(dǎo)通電阻、18A 大電流、TO-220 通用封裝等核心優(yōu)勢，破解高壓開關(guān)場景中器件導(dǎo)通損耗高、開關(guān)速度慢、雪崩耐受能力弱、環(huán)保合規(guī)性不足的行業(yè)痛點。

CRTM900P10LQ PDFN5x6 封裝尺寸與引腳布局圖

一、原生適配：專為高壓功率開關(guān)場景匠心定制

CRTM900P10LQ 轉(zhuǎn)移特性曲線（驅(qū)動性能示意）

CS18N20A8RZ-G 并非普通 N-MOSFET 器件的簡單設(shè)計，而是立足高壓功率開關(guān)全場景使用需求的定制化 Planar 工藝研發(fā)，完美適配各類適配器功率開關(guān)電路、充電器電源模塊、高壓電源控制電路等設(shè)備，在低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性、高雪崩可靠性、環(huán)保合規(guī)、通用封裝適配之間實現(xiàn)最優(yōu)平衡，一站式提供 200V 額定耐壓、0.12Ω 低導(dǎo)通電阻、18A 持續(xù)電流、Planar 先進工藝、100% 雪崩測試的完整功率開關(guān)一體化解決方案。

二、七大核心亮點，重新定義高壓功率開關(guān)場景 N-MOSFET 應(yīng)用標桿

CRTM900P10LQ 擊穿電壓 - 溫度特性曲線（寬溫域穩(wěn)定示意）

先進 Planar 工藝，0.12Ω 低導(dǎo)阻降損耗

采用華潤微自主研發(fā)的自對準 Planar 平面工藝，原生實現(xiàn) 0.12Ω 典型導(dǎo)通電阻，大幅降低高壓開關(guān)場景下的器件導(dǎo)通損耗，直接提升電源轉(zhuǎn)換效率；工藝優(yōu)化器件溝道結(jié)構(gòu)，減少電荷存儲效應(yīng)，兼顧低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性，完美適配高壓適配器、充電器的高頻開關(guān)需求；器件一致性優(yōu)異，批量生產(chǎn)過程中電氣參數(shù)波動小，保障整機產(chǎn)品性能穩(wěn)定性。

200V 高耐壓特性，高壓場景穩(wěn)定性拉滿

額定漏源擊穿電壓 200V，耐壓余量充足，完美適配 150-200V 高壓功率控制的電壓需求；擊穿電壓溫度系數(shù)達 0.24V/℃，寬溫域內(nèi)耐壓性能穩(wěn)定，無明顯參數(shù)漂移，有效抵御高壓供電環(huán)境下的電壓波動風(fēng)險；器件經(jīng)過嚴苛的高壓應(yīng)力測試，在適配器、充電器等復(fù)雜高壓場景下運行更可靠，適配多場景電壓動態(tài)變化需求。

18A 大電流承載，72A 脈沖超裕量

25℃工況下支持 18A 持續(xù)漏極電流，100℃高溫環(huán)境下仍保持 11.3A 持續(xù)電流輸出，充分滿足高壓功率開關(guān)場景的電流需求；25℃下脈沖漏極電流可達 72A，脈沖電流裕量充足，適配瞬時大電流功率控制場景；器件功率 dissipation 達 100W，25℃以上降額系數(shù) 0.8W/℃，大電流工況下溫升控制優(yōu)異，無需額外擴流器件即可穩(wěn)定運行。

TO-220 通用封裝，適配性強易量產(chǎn)

采用 TO-220 通用封裝，兼容主流散熱片安裝方式，散熱性能優(yōu)異，結(jié)殼熱阻僅 1.25℃/W，可快速散除高壓開關(guān)工況下產(chǎn)生的熱量；封裝引腳布局標準化，完美兼容主流 SMT 貼片工藝與插件工藝，適配不同生產(chǎn)流程需求，量產(chǎn)良率高；TO-220 封裝通用性強，可直接替換同規(guī)格其他品牌器件，降低產(chǎn)品升級與替換成本，縮短研發(fā)周期。

快速開關(guān)特性，低柵極電荷省驅(qū)動

CRTM900P10LQ 柵極電荷特性曲線（低驅(qū)動損耗示意）

優(yōu)化器件動態(tài)特性，柵極總電荷（Qg）典型值僅 20.4nC，反向傳輸電容（Crss）16.4pF，柵極驅(qū)動損耗大幅降低，開關(guān)響應(yīng)速度快；開通延遲時間 19ns，關(guān)斷延遲時間 35ns，上升時間 33ns，下降時間 8ns，高頻開關(guān)性能優(yōu)異，適配高壓場景的高頻化設(shè)計需求；低柵極電荷特性減少驅(qū)動芯片負荷，可搭配低成本驅(qū)動方案，簡化外圍驅(qū)動電路設(shè)計。

500mJ 高雪崩能量，全項嚴苛測試高可靠

單脈沖雪崩能量達 500mJ，經(jīng)過 100% 單脈沖雪崩能量測試，抗浪涌、抗沖擊能力突出，在電感負載開關(guān)等場景下可有效吸收瞬時能量，避免器件損壞；峰值二極管恢復(fù) dv/dt 達 5.0V/ns，抗電壓尖峰能力強，適配復(fù)雜高壓開關(guān)環(huán)境；柵源極支持 ±30V 電壓，過壓耐受能力優(yōu)異，在異常供電工況下可有效保護器件，全場景運行更安全。

環(huán)保合規(guī)設(shè)計，適配全球市場需求

采用無鹵素環(huán)保設(shè)計，符合 RoHS 標準，有害物質(zhì)含量嚴格控制在限值以內(nèi)，適配全球環(huán)保法規(guī)要求；封裝材料與工藝經(jīng)過環(huán)保認證，滿足高端電源產(chǎn)品的綠色生產(chǎn)需求；產(chǎn)品生產(chǎn)流程符合國際環(huán)保標準，可直接應(yīng)用于出口型電子產(chǎn)品，無需額外進行環(huán)保整改，拓寬市場覆蓋范圍。

三、主流應(yīng)用場景

CRTM900P10LQ 漏極電流降額曲線（車載級可靠性示意）

適配器功率開關(guān)電路

充電器電源模塊

高壓電源控制電路

工業(yè)級高壓功率開關(guān)

消費電子高壓供電模塊

電感負載開關(guān)電路

四、總結(jié)

CS18N20A8RZ-G 是一款采用先進 Planar 工藝、200V 高耐壓、0.12Ω 低導(dǎo)通電阻、18A 大電流承載、TO-220 通用封裝的高性能高壓 N-MOSFET，在導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、雪崩可靠性、封裝適配性、環(huán)保合規(guī)性上實現(xiàn)全維度突破，相比同類型產(chǎn)品更能滿足高壓功率開關(guān)場景的低損耗、高可靠、易量產(chǎn)應(yīng)用需求，依托華潤微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)積累，成為高壓功率開關(guān)場景 N-MOSFET 應(yīng)用的標桿之選。

佰祥電子作為華潤微官方授權(quán)代理商，常備 CS18N20A8RZ-G 原廠現(xiàn)貨，可提供完整規(guī)格書、定制化應(yīng)用方案、全流程硬件調(diào)試指導(dǎo)、樣品快速申請及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持，正品保障、價格優(yōu)勢顯著、交貨周期短，助力客戶高壓功率相關(guān)產(chǎn)品高效開發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn)、快速搶占市場。

面向功率半導(dǎo)體市場高壓化、高頻化、環(huán)保化、高可靠的發(fā)展趨勢，CS18N20A8RZ-G 以 200V 高耐壓、0.12Ω 低導(dǎo)通電阻、18A 大電流、500mJ 高雪崩能量、TO-220 通用封裝、快速開關(guān)特性、環(huán)保合規(guī)設(shè)計的核心優(yōu)勢，成為高壓功率開關(guān)場景 N-MOSFET 應(yīng)用的全新標桿方案。

審核編輯 黃宇