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ON Semiconductor BMS4007 N-Channel Power MOSFET:技術(shù)剖析與應(yīng)用指南

lhl545545 ? 2026-04-02 09:30 ? 次閱讀
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ON Semiconductor BMS4007 N-Channel Power MOSFET:技術(shù)剖析與應(yīng)用指南

在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET是至關(guān)重要的器件,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源管理和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。今天我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的BMS4007 N - 通道功率MOSFET,它具備出色的性能參數(shù),能滿足多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

文件下載:BMS4007-D.PDF

產(chǎn)品概述

BMS4007是一款75V、60A、7.8mΩ的N - 通道功率MOSFET,采用TO - 220ML(LS)封裝。其具有低導(dǎo)通電阻和低輸入電容等優(yōu)點(diǎn),適用于各種功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

BMS4007的典型導(dǎo)通電阻RDS(on)為6mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的功率損耗較低,能夠有效提高系統(tǒng)的效率。低導(dǎo)通電阻還能減少發(fā)熱,提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

低輸入電容

輸入電容Ciss典型值為9700 pF,在10V驅(qū)動(dòng)下,能夠快速響應(yīng)輸入信號(hào),實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作,降低開(kāi)關(guān)損耗。

規(guī)格參數(shù)

絕對(duì)最大額定值

在環(huán)境溫度Ta = 25°C的條件下,BMS4007的各項(xiàng)絕對(duì)最大額定值如下: 參數(shù) 符號(hào) 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDSS - 75 V
柵源電壓 VGSS - ±20 V
漏極電流(直流) ID - 60 A
漏極電流(脈沖) IDP PW≤10μs,占空比≤1% 240 A
允許功率耗散 PD Tc = 25°C 30 W
通道溫度 Tch - 150 °C
存儲(chǔ)溫度 Tstg - -55 to +150 °C
雪崩能量(單脈沖) EAS (V{DD}=48 V),(L = 100 μH),(I{AV}=48 A) 299 mJ
雪崩電流 IAV (L_{s} 100 μH),單脈沖 48 A

需要注意的是,超過(guò)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件,并且在推薦工作條件以上的功能操作并不被保證。長(zhǎng)時(shí)間暴露在推薦工作條件以上的應(yīng)力下可能會(huì)影響器件的可靠性。

電氣特性

在Ta = 25°C的條件下,BMS4007的電氣特性如下: 參數(shù) 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS ID = 1mA,VGS = 0V 75 - - V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS = 75V,VGS = 0V - - 10 μA
柵源泄漏電流 IGSS VGS = ±16V,VDS = 0V - - ±10 μA
截止電壓 VGS(off) VDS = 10V,ID = 1mA 2 - 4 V
正向傳輸導(dǎo)納 (vert yfs vert) VDS = 10V,ID = 30A - 110 - S
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 RDS(on) ID = 30A,VGS = 10V 6 7.8 -
輸入電容 Ciss VDS = 20V,f = 1MHz - 9700 - pF
輸出電容 Coss - - 540 - pF
反向傳輸電容 Crss - - 360 - pF
導(dǎo)通延遲時(shí)間 td(on) - - 100 - ns
上升時(shí)間 tr - - 180 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) - - 460 - ns
下降時(shí)間 tf - - 160 - ns
總柵極電荷 Qg VDS = 48V,VGS = 10V,ID = 60A - 160 - nC
柵源電荷 Qgs - - 40 - nC
柵漏“米勒”電荷 Qgd - - 40 - nC
二極管正向電壓 VSD IS = 60A,VGS = 0V 0.9 - 1.2 V
反向恢復(fù)時(shí)間 trr IS = 60A,VGS = 0V,di/dt = 100A/μs - 70 - ns
反向恢復(fù)電荷 Qrr - - 183 - nC

應(yīng)用注意事項(xiàng)

由于BMS4007是MOSFET產(chǎn)品,在使用時(shí)應(yīng)避免將其放置在高電荷物體附近,以免受到靜電或其他電磁干擾的影響。

此外,ON Semiconductor提醒用戶,產(chǎn)品的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化,實(shí)際性能也可能隨時(shí)間而變化。因此,所有工作參數(shù),包括“典型值”,都必須由客戶的技術(shù)專(zhuān)家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。同時(shí),該產(chǎn)品不適合用于外科植入人體、支持或維持生命的系統(tǒng),以及任何產(chǎn)品故障可能導(dǎo)致人身傷害或死亡的應(yīng)用。

總結(jié)

BMS4007 N - 通道功率MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、低輸入電容和良好的開(kāi)關(guān)特性,為電子工程師在功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供了一個(gè)可靠的選擇。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇和使用該器件,并嚴(yán)格遵循其規(guī)格參數(shù)和應(yīng)用注意事項(xiàng),以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在使用類(lèi)似MOSFET器件時(shí),是否也遇到過(guò)一些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

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