ON Semiconductor BMS4007 N-Channel Power MOSFET:技術(shù)剖析與應(yīng)用指南
在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET是至關(guān)重要的器件,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源管理和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。今天我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的BMS4007 N - 通道功率MOSFET,它具備出色的性能參數(shù),能滿足多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
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產(chǎn)品概述
BMS4007是一款75V、60A、7.8mΩ的N - 通道功率MOSFET,采用TO - 220ML(LS)封裝。其具有低導(dǎo)通電阻和低輸入電容等優(yōu)點(diǎn),適用于各種功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻
BMS4007的典型導(dǎo)通電阻RDS(on)為6mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的功率損耗較低,能夠有效提高系統(tǒng)的效率。低導(dǎo)通電阻還能減少發(fā)熱,提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
低輸入電容
輸入電容Ciss典型值為9700 pF,在10V驅(qū)動(dòng)下,能夠快速響應(yīng)輸入信號(hào),實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作,降低開(kāi)關(guān)損耗。
規(guī)格參數(shù)
絕對(duì)最大額定值
| 在環(huán)境溫度Ta = 25°C的條件下,BMS4007的各項(xiàng)絕對(duì)最大額定值如下: | 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | - | 75 | V | |
| 柵源電壓 | VGSS | - | ±20 | V | |
| 漏極電流(直流) | ID | - | 60 | A | |
| 漏極電流(脈沖) | IDP | PW≤10μs,占空比≤1% | 240 | A | |
| 允許功率耗散 | PD | Tc = 25°C | 30 | W | |
| 通道溫度 | Tch | - | 150 | °C | |
| 存儲(chǔ)溫度 | Tstg | - | -55 to +150 | °C | |
| 雪崩能量(單脈沖) | EAS | (V{DD}=48 V),(L = 100 μH),(I{AV}=48 A) | 299 | mJ | |
| 雪崩電流 | IAV | (L_{s} 100 μH),單脈沖 | 48 | A |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件,并且在推薦工作條件以上的功能操作并不被保證。長(zhǎng)時(shí)間暴露在推薦工作條件以上的應(yīng)力下可能會(huì)影響器件的可靠性。
電氣特性
| 在Ta = 25°C的條件下,BMS4007的電氣特性如下: | 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | ID = 1mA,VGS = 0V | 75 | - | - | V | |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS = 75V,VGS = 0V | - | - | 10 | μA | |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = ±16V,VDS = 0V | - | - | ±10 | μA | |
| 截止電壓 | VGS(off) | VDS = 10V,ID = 1mA | 2 | - | 4 | V | |
| 正向傳輸導(dǎo)納 | (vert yfs vert) | VDS = 10V,ID = 30A | - | 110 | - | S | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on) | ID = 30A,VGS = 10V | 6 | 7.8 | - | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS = 20V,f = 1MHz | - | 9700 | - | pF | |
| 輸出電容 | Coss | - | - | 540 | - | pF | |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | - | 360 | - | pF | |
| 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | td(on) | - | - | 100 | - | ns | |
| 上升時(shí)間 | tr | - | - | 180 | - | ns | |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | - | - | 460 | - | ns | |
| 下降時(shí)間 | tf | - | - | 160 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS = 48V,VGS = 10V,ID = 60A | - | 160 | - | nC | |
| 柵源電荷 | Qgs | - | - | 40 | - | nC | |
| 柵漏“米勒”電荷 | Qgd | - | - | 40 | - | nC | |
| 二極管正向電壓 | VSD | IS = 60A,VGS = 0V | 0.9 | - | 1.2 | V | |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | IS = 60A,VGS = 0V,di/dt = 100A/μs | - | 70 | - | ns | |
| 反向恢復(fù)電荷 | Qrr | - | - | 183 | - | nC |
應(yīng)用注意事項(xiàng)
由于BMS4007是MOSFET產(chǎn)品,在使用時(shí)應(yīng)避免將其放置在高電荷物體附近,以免受到靜電或其他電磁干擾的影響。
此外,ON Semiconductor提醒用戶,產(chǎn)品的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化,實(shí)際性能也可能隨時(shí)間而變化。因此,所有工作參數(shù),包括“典型值”,都必須由客戶的技術(shù)專(zhuān)家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。同時(shí),該產(chǎn)品不適合用于外科植入人體、支持或維持生命的系統(tǒng),以及任何產(chǎn)品故障可能導(dǎo)致人身傷害或死亡的應(yīng)用。
總結(jié)
BMS4007 N - 通道功率MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、低輸入電容和良好的開(kāi)關(guān)特性,為電子工程師在功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供了一個(gè)可靠的選擇。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇和使用該器件,并嚴(yán)格遵循其規(guī)格參數(shù)和應(yīng)用注意事項(xiàng),以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在使用類(lèi)似MOSFET器件時(shí),是否也遇到過(guò)一些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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