深入解析 onsemi NVTFS6H860N N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它直接影響著電路的性能和效率。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 出品的 NVTFS6H860N 這款 N 溝道功率 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

NVTFS6H860N 是 onsemi 推出的一款單 N 溝道功率 MOSFET，具有 80V 的耐壓、21.1mΩ 的導(dǎo)通電阻以及 33A 的電流承載能力。其采用了 3.3 x 3.3mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品特性

尺寸與設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)

它的小尺寸封裝（3.3 x 3.3mm）為緊湊型設(shè)計(jì)提供了可能，在一些對(duì)空間要求較高的應(yīng)用中，如便攜式設(shè)備、小型電源模塊等，能夠有效節(jié)省電路板空間。

低損耗特性

• 低導(dǎo)通電阻：低 (R_{DS(on)}) 可以最大程度地減少導(dǎo)通損耗，提高電路的效率。這意味著在相同的電流下，MOSFET 自身的發(fā)熱會(huì)更小，減少了散熱設(shè)計(jì)的難度和成本。
• 低電容：低電容特性則有助于降低驅(qū)動(dòng)損耗，使得驅(qū)動(dòng)電路更加高效。這對(duì)于高頻應(yīng)用場(chǎng)景尤為重要，能夠減少開關(guān)過(guò)程中的能量損耗。

質(zhì)量與合規(guī)性

該產(chǎn)品有 NVTFS6H860NWF 可焊?jìng)?cè)翼版本，并且通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證，具備 PPAP 能力。同時(shí)，它是無(wú)鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS} = 0V)，(I_D = 250mu A) 時(shí)為 80V。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{GS} = 0V)，(TJ = 25^{circ}C)，(V{DS} = 80V) 時(shí)為 10(mu A)；在 (T_J = 125^{circ}C) 時(shí)為 250(mu A)。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{DS} = 0V)，(V_{GS} = 20V) 時(shí)為 100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS} = V_{DS})，(I_D = 30A) 時(shí)為 2.0 - 4.0V。
• 漏源導(dǎo)通電阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS} = 10V)，(I_D = 5A) 時(shí)為 17.3 - 21.1mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：(g{FS}) 在 (V{DS} = 15V)，(I_D = 10A) 時(shí)為 41S。

電荷與電容特性

• 輸入電容：(C{iss}) 在 (V{GS} = 0V)，(f = 1.0MHz)，(V_{DS} = 40V) 時(shí)為 510pF。
• 輸出電容：(C_{oss}) 為 78pF。
• 反向傳輸電容：(C_{rss}) 為 4.2pF。
• 閾值柵極電荷：(Q{G(TH)}) 在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 40V)，(I_D = 10A) 時(shí)為 1.8nC。
• 柵源電荷：(Q_{GS}) 為 2.8nC。
• 柵漏電荷：(Q_{GD}) 為 1.6nC。
• 總柵極電荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 40V)，(I_D = 10A) 時(shí)為 8.7nC。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：(t_{d(on)}) 為 8.0ns。
• 上升時(shí)間：(t_r) 為 14ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：(t_{d(off)}) 為 18ns。
• 下降時(shí)間：(t_f) 為 5.0ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：(V{SD}) 在 (V{GS} = 0V)，(I_S = 5A)，(T_J = 25^{circ}C) 時(shí)為 0.8 - 1.2V；在 (T_J = 125^{circ}C) 時(shí)為 0.7V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：(t_{RR}) 為 29ns。
• 充電時(shí)間：(t_a) 為 20ns。
• 放電時(shí)間：(t_b) 為 9.0ns。
• 反向恢復(fù)電荷：(Q_{RR}) 為 24nC。

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，通過(guò)“導(dǎo)通區(qū)域特性曲線”可以了解到在不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系；“轉(zhuǎn)移特性曲線”則展示了不同結(jié)溫下，漏極電流與柵源電壓的變化情況。這些曲線對(duì)于工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，準(zhǔn)確把握 MOSFET 的性能和工作范圍非常有幫助。

封裝與訂購(gòu)信息

封裝尺寸

該產(chǎn)品有 WDFN8 3.3x3.3, 0.65P（CASE 511AB）和 WDFNW8 3.3x3.3, 0.65P（Full - Cut 8FL WF，CASE 515AN）兩種封裝形式，并詳細(xì)給出了封裝的尺寸參數(shù)，包括長(zhǎng)、寬、高以及引腳間距等信息，方便工程師進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)。

訂購(gòu)信息

目前可訂購(gòu)的型號(hào)為 NVTFS6H860NTAG，標(biāo)記為 860N，采用 WDFN8 3.3x3.3, 0.65P（無(wú)鉛）封裝，每盤 1500 個(gè)，采用卷帶包裝。不過(guò)需要注意的是，部分型號(hào)已停產(chǎn)，在選擇時(shí)需要仔細(xì)確認(rèn)。

總結(jié)

onsemi 的 NVTFS6H860N N 溝道功率 MOSFET 憑借其小尺寸、低損耗等特性，在電子設(shè)計(jì)中具有很大的優(yōu)勢(shì)。但在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路需求，結(jié)合其各項(xiàng)參數(shù)和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用過(guò)程中有沒(méi)有遇到過(guò)類似 MOSFET 的應(yīng)用難題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。