來(lái)源：感謝國(guó)家02重大科技專項(xiàng)技術(shù)總師，中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春在2018中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會(huì)暨第二十一屆中國(guó)集成電路制造年會(huì)的演講，半導(dǎo)體行業(yè)觀察現(xiàn)場(chǎng)整理

當(dāng)下，集成電路已經(jīng)成為我國(guó)的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，國(guó)家對(duì)其發(fā)展高度重視。在政府和產(chǎn)學(xué)研界的共同努力下，已經(jīng)并正在取得著一系列的成績(jī)，與此同時(shí)，與發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)相比，我們?nèi)匀淮嬖谥毕莺筒蛔?，需要不懈地努力，去完善、解決。

面對(duì)著當(dāng)今的發(fā)展環(huán)境和機(jī)遇，我們應(yīng)該如何規(guī)劃、實(shí)施？從國(guó)家02重大科技專項(xiàng)技術(shù)總師，中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春的講解和分析中，或許能找到答案。

集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展已成成為國(guó)家重點(diǎn)戰(zhàn)略

1、集成電路已成為支撐中國(guó)發(fā)展的戰(zhàn)略物資

2、集成電路技術(shù)是國(guó)家實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略制高點(diǎn)

3、市場(chǎng)需求提供了歷史性的產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇與空間

“十一五”：突破產(chǎn)品核心技術(shù)；開(kāi)發(fā)關(guān)鍵產(chǎn)品；構(gòu)建創(chuàng)新體系；培育產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

“十二五”：掌握核心技術(shù)；開(kāi)發(fā)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品；形成創(chuàng)新特色；提高產(chǎn)業(yè)實(shí)力。

“十三五”：開(kāi)發(fā)創(chuàng)新技術(shù)；確立優(yōu)勢(shì)地位；進(jìn)入世界前列；實(shí)現(xiàn)同步發(fā)展。

國(guó)家科技重大專項(xiàng)和產(chǎn)業(yè)投資基金引領(lǐng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展到了一個(gè)新的高度。

國(guó)家科技重大專項(xiàng)實(shí)施進(jìn)展：

1、中國(guó)集成電路形成了技術(shù)體系，建立了產(chǎn)業(yè)鏈，產(chǎn)業(yè)生態(tài)和競(jìng)爭(zhēng)力得到了完善和提升。

2、高端芯片設(shè)計(jì)能力大幅提高。

3、制造工藝取得長(zhǎng)足進(jìn)步，65、40、28納米工藝量產(chǎn)，14納米技術(shù)研發(fā)突破，特色工藝競(jìng)爭(zhēng)力提高。

4、集成電路封裝從中低端進(jìn)入高端，競(jìng)爭(zhēng)力大幅提升。

5、關(guān)鍵裝備和材料實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有，整體水平達(dá)到28納米，部分產(chǎn)品進(jìn)入14-7納米，被國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)線采用。

6、培養(yǎng)了一批富有創(chuàng)新活力，具備一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的骨干企業(yè)。

自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)大幅提升，處處受制于人局面得到改變。

1、集成電路制造、封測(cè)、材料、設(shè)備等產(chǎn)業(yè)專利申請(qǐng)數(shù)量快速增長(zhǎng)，專項(xiàng)支持比例占企業(yè)新增專利量的50%；

2、專項(xiàng)實(shí)施期間企業(yè)累計(jì)申請(qǐng)發(fā)明專利43292項(xiàng)，其中依托專項(xiàng)申請(qǐng)發(fā)明專利25138項(xiàng)。

制造工藝發(fā)展自主權(quán)提高：從“引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新”轉(zhuǎn)為“自主研發(fā)加國(guó)際合作”。

3D NAND技術(shù)研發(fā)取得重大進(jìn)展和創(chuàng)新。

以自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)為基礎(chǔ)開(kāi)展研發(fā)，提出新構(gòu)架 XTacking。這是一個(gè)里程碑：中國(guó)企業(yè)首次在集成電路領(lǐng)域提出重要的新構(gòu)架和技術(shù)路徑。

1、國(guó)內(nèi)大容量高密度NAND型存儲(chǔ)器零的突破。

2、實(shí)現(xiàn)NOR到NAND、2D到3D、SLC到TLC三方面的技術(shù)跨越。

中國(guó)封測(cè)產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步，技術(shù)覆蓋率達(dá)到90%。

中國(guó)封測(cè)產(chǎn)業(yè)變化，封測(cè)銷(xiāo)售產(chǎn)品中先進(jìn)封裝技術(shù)占比由2008年不足5%到2017年超過(guò)。

封測(cè)發(fā)展的機(jī)遇

一、上下游產(chǎn)業(yè)相互滲透與融合

（一）芯片代工廠向封裝延伸，如TSMC的INFO技術(shù)；

（二）封裝業(yè)借助芯片制造工藝，如Middle-end工藝（晶圓級(jí)封裝、3D TSV等）；

（三）基板制造業(yè)向封裝滲透，如嵌入式基板。

二、應(yīng)用/終端驅(qū)動(dòng)

（一）產(chǎn)品多元化：從智能手機(jī)到物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、人工智能、無(wú)人駕駛、虛擬現(xiàn)實(shí)等；

（二）針對(duì)性的封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)。

未來(lái)發(fā)展的思考

原創(chuàng)性的封裝技術(shù)來(lái)源于IDM，芯片設(shè)計(jì)公司以及不具有封測(cè)能力的終端廠商必然尋求與高水平的封裝代工廠的戰(zhàn)略合作——虛擬IDM模式。

封裝代工廠需要緊跟先進(jìn)的制造工藝和設(shè)計(jì)公司的新產(chǎn)品。

通過(guò)對(duì)所使用材料、設(shè)備的大規(guī)模量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)成本的優(yōu)化，完成封裝技術(shù)和工藝的創(chuàng)新。

滿足終端廠商和設(shè)計(jì)公司的根本需求，實(shí)現(xiàn)從第二供應(yīng)商到第一供應(yīng)商的轉(zhuǎn)變。

行業(yè)創(chuàng)新合作平臺(tái)開(kāi)始發(fā)揮作用。

華進(jìn)研發(fā)中心：通過(guò)多家國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)及供應(yīng)商資質(zhì)審核并建立長(zhǎng)期合作關(guān)系，包括Intel、微軟、ADM、Synaptic、LittleFuse、TDK-EPCOS、華為、美新、德毫光電等，已啟動(dòng)ISO17025資質(zhì)認(rèn)證；

與航天科技、中電科技、中國(guó)科學(xué)院等集團(tuán)下屬研究院（所）保持穩(wěn)定的合作關(guān)系，支持多項(xiàng)國(guó)家重大工程；

新技術(shù)產(chǎn)品包括射頻通訊系統(tǒng)集成、MEMS加速度計(jì)封裝、指紋傳感器封裝、TSV-CIS封裝、77G汽車(chē)?yán)走_(dá)封裝、硅基MEMS濾波器、高速傳輸光引擎、無(wú)中微子雙貝塔衰變探測(cè)器等。

裝備和材料是產(chǎn)業(yè)的基石，是推動(dòng)集成電路技術(shù)創(chuàng)新的引擎。

一代技術(shù)依賴于一代工藝，一代工藝依賴一代設(shè)備和材料來(lái)實(shí)現(xiàn)

國(guó)際上集成電路裝備壟斷趨勢(shì)加劇。

任務(wù)部署——裝備整機(jī)

國(guó)內(nèi)集成電路裝備已進(jìn)行了系統(tǒng)部署，主要種類(lèi)已涵蓋。

高端關(guān)鍵裝備和材料從無(wú)到有，形成一定支撐能力

20種芯片制造關(guān)鍵裝備、17種先進(jìn)封裝設(shè)備和103種關(guān)鍵材料產(chǎn)品通過(guò)大生產(chǎn)線驗(yàn)證進(jìn)入海內(nèi)外銷(xiāo)售；

芯片制造關(guān)鍵裝備品種覆蓋率達(dá)到31.1%，新建生產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到13%；先進(jìn)封裝關(guān)鍵裝備品種覆蓋率和國(guó)產(chǎn)化率均達(dá)到80%；

裝備及材料主要進(jìn)展情況

產(chǎn)品細(xì)分系列不斷豐富，工藝覆蓋率持續(xù)提升。

1、邏輯產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)裝備工藝覆蓋率持續(xù)提升；

2、PVD、介質(zhì)刻蝕機(jī)、LPCVD等6種裝備進(jìn)入14nm線驗(yàn)證，進(jìn)展順利，介質(zhì)刻蝕等部分產(chǎn)品通過(guò)7nm驗(yàn)證；

3、存儲(chǔ)器產(chǎn)品，國(guó)產(chǎn)裝備工藝覆蓋率約15-25%。

核心零部件在泛半導(dǎo)體大批量使用，在IC裝備的應(yīng)用逐步提高。

反應(yīng)腔室及金屬零部件等大批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)；

2018年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)1億美元銷(xiāo)售；

干泵批量進(jìn)入裝備及國(guó)內(nèi)主要FAB線，成為主要供應(yīng)商之一；

流量計(jì)、機(jī)械手、陶瓷部件等在泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大批量使用，逐步提升IC領(lǐng)域的市場(chǎng)比例；

分子泵、靜電卡盤(pán)、射頻電源、壓力計(jì)等零部件驗(yàn)證中。

IC裝備銷(xiāo)售額連續(xù)增長(zhǎng)，企業(yè)規(guī)模和競(jìng)爭(zhēng)能力逐步提升。

國(guó)產(chǎn)裝備和材料對(duì)泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起到了顯著的輻射帶動(dòng)作用。

光伏、LED等產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵設(shè)備大批量國(guó)產(chǎn)化，推動(dòng)了產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力的大幅提升，在這些產(chǎn)業(yè)規(guī)模躍居世界第一的過(guò)程中發(fā)揮了顯著作用。

LED：LED生產(chǎn)線國(guó)內(nèi)具備整線配套能力?？涛g機(jī)、PVD等裝備市占率達(dá)到80%左右，中微MOCVD實(shí)現(xiàn)大批量供貨，成為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主流，打破該設(shè)備長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面。

光伏：國(guó)產(chǎn)裝備成為國(guó)際市場(chǎng)主流，具備整線配套能力。

先進(jìn)封裝：國(guó)產(chǎn)裝備采購(gòu)比例達(dá)到79%，節(jié)約設(shè)備采購(gòu)資金30%以上。

微顯示：具備成套供貨能力，國(guó)產(chǎn)設(shè)備有望支撐微顯示器件行業(yè)，形成國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的中國(guó)系統(tǒng)解決方案。

晶圓制造材料領(lǐng)域?qū)ｍ?xiàng)布局

2008年之前，8-12英寸晶圓制造材料幾乎100%依賴進(jìn)口，目前關(guān)鍵材料品種覆蓋率達(dá)到25%，國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到20%。

在專項(xiàng)實(shí)施及帶動(dòng)下，攻克了一批制約材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的成套技術(shù)，開(kāi)發(fā)了一批高端集成電路制造用關(guān)鍵產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，一些材料成為國(guó)內(nèi)制造企業(yè)的基線產(chǎn)品，部分企業(yè)步入快速發(fā)展通道，初步形成了我國(guó)集成電路制造用材料供應(yīng)鏈雛形。

專項(xiàng)實(shí)施對(duì)材料產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)成效。

“中興事件”只是最新的一個(gè)案例。

2015年4月，美國(guó)商務(wù)決定對(duì)中國(guó)四家國(guó)家超級(jí)計(jì)算機(jī)中心禁售至強(qiáng)PHI計(jì)算卡；

2016年1月，美國(guó)外商投資委員會(huì)（CFIUS）否決了中國(guó)投資者收購(gòu)飛利浦旗下子公司的照明業(yè)務(wù)；

2016年2月，紫光股份因CFIUS審查而放棄收購(gòu)西部數(shù)據(jù)；

2016年3月，美國(guó)商務(wù)部宣布對(duì)中興通信實(shí)施制裁；

2016年10月，德國(guó)政府撤回對(duì)中資企業(yè)收購(gòu)Aixtron的批準(zhǔn)；

2016年11月，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)珮尼 · 普利茲克警告，中國(guó)政府主導(dǎo)在半導(dǎo)體領(lǐng)域大規(guī)模投資扭曲全球集成電路市場(chǎng)，破壞行業(yè)創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)；

2017年1月，美國(guó)總統(tǒng)科學(xué)技術(shù)咨詢委員會(huì)向美國(guó)新政府提交的最新報(bào)告建議對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)行限制；

2018年4月，美國(guó)政府宣布啟動(dòng)對(duì)中興通訊制裁，斷絕其美國(guó)供應(yīng)鏈。

從自身發(fā)展到全球格局，中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)都需要再定位。

1、“從無(wú)到有”進(jìn)行產(chǎn)業(yè)鏈布局后，中國(guó)需要“升級(jí)版的發(fā)展戰(zhàn)略”，不能再一味追求建廠擴(kuò)產(chǎn)了；

2、下階段戰(zhàn)略是“以產(chǎn)品為中心，以行業(yè)解決方案為突破口”。系統(tǒng)應(yīng)用、設(shè)計(jì)、制造和裝備材料必須更有力的措施，實(shí)現(xiàn)融合發(fā)展；

3、從“追趕戰(zhàn)略”轉(zhuǎn)向“創(chuàng)新戰(zhàn)略”，在全球產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈中形成自己的特色。以中國(guó)市場(chǎng)引領(lǐng)全球市場(chǎng)，重塑全球產(chǎn)業(yè)鏈。

立足中國(guó)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)世界水平創(chuàng)新，在若干核心技術(shù)領(lǐng)域形成具有特色的創(chuàng)新技術(shù)和創(chuàng)新產(chǎn)品。

通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，技術(shù)創(chuàng)新與商業(yè)模式創(chuàng)新并行。

集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)樹(shù)。

亟待解決的幾個(gè)問(wèn)題

1、產(chǎn)業(yè)模式單一，需要在無(wú)晶圓設(shè)計(jì)和芯片代工制造基礎(chǔ)上，根據(jù)產(chǎn)品特點(diǎn)發(fā)展多元的模式，尤其是IDM。

2、裝備和材料仍然是短板；28nm以上的產(chǎn)品工藝和特色工藝種類(lèi)覆蓋仍然不夠；尖端工藝的追趕難度變大。

3、協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)需要近快形成，“系統(tǒng)—芯片—工藝—裝備—材料”緊密協(xié)同對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。

4、產(chǎn)業(yè)布局的無(wú)序競(jìng)爭(zhēng)、碎片化與同質(zhì)化傾向，與國(guó)際整合趨勢(shì)背道而馳。

5、隨著技術(shù)差距的縮短，“短兵相接”的企業(yè)研發(fā)壓力和投入成倍增長(zhǎng)，倍感吃力。長(zhǎng)遠(yuǎn)看，基礎(chǔ)研究和前瞻技術(shù)布局不足，創(chuàng)新跨越缺乏支撐。

6、產(chǎn)業(yè)政策仍有缺失；已有政策落實(shí)也未到位；對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的非正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)缺乏制止手段。