深入解析onsemi NVMTS001N06CL N溝道MOSFET
深入解析onsemi NVMTS001N06CL N溝道MOSFET
在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應用于各類電路中。今天我們來深入了解onsemi公司的NVMTS001N06CL N溝道MOSFET，看看它有哪些獨特的性能和特點。
文件下載：NVMTS001N06CL-D.PDF
產(chǎn)品特性
設(shè)計優(yōu)勢
NVMTS001N06CL采用了8x8 mm的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設(shè)計，能夠滿足對空間要求較高的應用場景。同時，它采用了行業(yè)標準的Power 88封裝，方便與現(xiàn)有設(shè)計進行集成。此外，該器件的引腳采用了可焊側(cè)翼電鍍工藝，有助于增強光學檢測效果，提高生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制。
電氣性能優(yōu)勢
從電氣性能方面來看，這款MOSFET具有低導通電阻（(R{DS (on) })）的特點，能夠有效降低傳導損耗，提高電路效率。同時，它的柵極電荷（(Q{G})）和電容較低，可減少驅(qū)動損耗，降低對驅(qū)動電路的要求。而且，該器件通過了AEC - Q101認證，并具備生產(chǎn)件批準程序（PPAP）能力，適用于汽車等對可靠性要求較高的應用領(lǐng)域。另外，它還符合無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑（BFR）以及RoHS標準，滿足環(huán)保要求。
關(guān)鍵參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 60 | V |
| 柵源電壓 | (V_{GS}) | ±20 | V |
| 連續(xù)漏極電流（(T_{C}=25^{circ}C)） | (I_{D}) | 398.2 | A |
| 連續(xù)漏極電流（(T_{C}=100^{circ}C)） | (I_{D}) | 281.6 | A |
| 功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)） | (P_{D}) | 244.0 | W |
| 功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)） | (P_{D}) | 122.0 | W |
| 脈沖漏極電流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)） | (I_{DM}) | 900 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | (T{J})，(T{stg}) | - 55 to +175 | °C |
| 源極電流（體二極管） | (I_{S}) | 203.4 | A |
| 單脈沖漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 30 A)） | (E_{AS}) | 887 | mJ |
| 焊接用引腳溫度（距管殼1/8英寸，10秒） | (T_{L}) | 260 | °C |
熱阻參數(shù)
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到殼熱阻（穩(wěn)態(tài)） | (R_{theta JC}) | 0.614 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻（穩(wěn)態(tài)） | (R_{theta JA}) | 30.1 | °C/W |
需要注意的是，整個應用環(huán)境會影響熱阻參數(shù)，這些值并非恒定不變，僅在特定條件下有效。
電氣特性
關(guān)斷特性
- 漏源擊穿電壓（(V{GS}=0 V)，(I{D}=250mu A)）：(V_{(BR)DSS}=60 V)，溫度系數(shù)為25 mV/°C。
- 零柵壓漏極電流（(V{GS}=0 V)，(V{DS}=60 V)）：(T{J}=25^{circ}C)時為10(mu A)，(T{J}=125^{circ}C)時為250(mu A)。
- 柵源泄漏電流（(V{DS}=0 V)，(V{GS}=±20 V)）：100 nA。
導通特性
- 柵極閾值電壓（(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250mu A)）：1.2 - 2.2 V，閾值溫度系數(shù)為 - 5.53 mV/°C。
- 漏源導通電阻（(V{GS}=10 V)，(I{D}=50 A)）：0.73 - 0.81 m(Omega)；（(V{GS}=4.5 V)，(I{D}=50 A)）：0.94 - 1.05 m(Omega)。
- 正向跨導（(V{DS}=15 V)，(I{D}=50 A)）：275 S。
電荷、電容及柵極電阻
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | (C_{Iss}) | (V{GS}=0V)，(f = 1 MHz)，(V{DS}=25 V) | 12300 | pF |
| 輸出電容 | (C_{oss}) | 6225 | pF | |
| 反向傳輸電容 | (C_{rss}) | 130 | pF | |
| 總柵極電荷（(V{GS}=10 V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50 A)） | (Q_{G(TOT)}) | 165 | nC | |
| 總柵極電荷（(V{GS}=4.5 V)，(V{DS}=30 V)，(I_{D}=50 A)） | (Q_{G(TOT)}) | 74.3 | nC | |
| 閾值柵極電荷 | (Q_{G(TH)}) | 15.6 | nC | |
| 柵源電荷 | (Q_{GS}) | 28.7 | nC | |
| 柵漏電荷 | (Q_{GD}) | 14.7 | nC | |
| 平臺電壓 | (V_{GP}) | 2.59 | V |
開關(guān)特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 開啟延遲時間 | (t_{d(ON)}) | (V{GS}=4.5 V)，(V{DS}=30 V)，(I{D}=50 A)，(R{G}= 2.5Omega) | 47.2 | ns |
| 上升時間 | (t_{r}) | 25.2 | ns | |
| 關(guān)斷延遲時間 | (t_{d(OFF)}) | 70.7 | ns | |
| 下降時間 | (t_{f}) | 23.3 | ns |
漏源二極管特性
- 正向二極管電壓（(V{GS}=0 V)，(I{S}=50 A)）：(T{J}=25^{circ}C)時為0.77 - 1.2 V，(T{J}=125^{circ}C)時為0.63 V。
- 反向恢復時間：98.9 ns。
- 充電時間：66.8 ns。
- 放電時間：32.1 ns。
- 反向恢復電荷：229 nC。
典型特性曲線
文檔中還給出了一系列典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，通過“導通區(qū)域特性曲線”可以看到不同柵源電壓下漏極電流與漏源電壓的關(guān)系；“轉(zhuǎn)移特性曲線”則反映了漏極電流與柵源電壓在不同結(jié)溫下的變化情況。這些曲線對于工程師在設(shè)計電路時進行參數(shù)選擇和性能評估具有重要的參考價值。
封裝與訂購信息
NVMTS001N06CL采用TDFNW8封裝，尺寸為8.30x8.40x1.10，引腳間距為2.00 mm。訂購信息方面，器件型號為NVMTS001N06CLTXG，標記為001N06CL，采用3000個/卷帶包裝。
總結(jié)
onsemi的NVMTS001N06CL N溝道MOSFET以其小尺寸、低損耗、高可靠性等特點，為電子工程師在設(shè)計功率電路時提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應用中，工程師需要根據(jù)具體的電路要求，結(jié)合該器件的各項參數(shù)和特性曲線，進行合理的設(shè)計和優(yōu)化。同時，要注意遵循相關(guān)的安全和環(huán)保標準，確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。大家在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過一些特殊的問題或者有獨特的應用經(jīng)驗呢？歡迎在評論區(qū)分享。
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