onsemi NVMFS5826NL N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計與高效性能的完美結(jié)合
onsemi NVMFS5826NL N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計與高效性能的完美結(jié)合
在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵元件，對電路的性能和效率起著至關(guān)重要的作用。今天，我們將深入探討onsemi推出的NVMFS5826NL N溝道MOSFET，這款產(chǎn)品以其卓越的特性和出色的性能，為緊湊設(shè)計和高效應(yīng)用提供了理想解決方案。
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產(chǎn)品特性
緊湊設(shè)計
NVMFS5826NL采用了5x6 mm的小尺寸封裝，非常適合對空間要求較高的緊湊型設(shè)計。這種小尺寸封裝不僅節(jié)省了電路板空間，還能滿足現(xiàn)代電子設(shè)備小型化的發(fā)展趨勢。
低導(dǎo)通損耗
該MOSFET具有低 (R_{DS(on)}) 特性，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高電路的效率。在實際應(yīng)用中，低導(dǎo)通損耗意味著更少的能量浪費，從而延長設(shè)備的電池續(xù)航時間或降低功耗。
低驅(qū)動損耗
低 (Q_{G}) 和電容特性使得NVMFS5826NL在驅(qū)動過程中能夠減少驅(qū)動損耗，提高開關(guān)速度。這對于高頻應(yīng)用尤為重要，能夠有效提升電路的性能。
可焊側(cè)翼產(chǎn)品
NVMFS5826NLWF為可焊側(cè)翼產(chǎn)品，這種設(shè)計有助于提高焊接的可靠性和可檢測性，確保產(chǎn)品在生產(chǎn)過程中的質(zhì)量。
汽車級認證
產(chǎn)品通過了AEC - Q101認證，并且具備PPAP能力，適用于汽車電子等對可靠性要求較高的應(yīng)用場景。
環(huán)保合規(guī)
NVMFS5826NL是無鉛器件，符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。
主要參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 60 | V |
| 柵源電壓 | (V_{GS}) | ±20 | V |
| 連續(xù)漏極電流（(T_{mb}=25^{circ}C)） | (I_{D}) | 26 | A |
| 連續(xù)漏極電流（(T_{mb}=100^{circ}C)） | (I_{D}) | 19 | A |
| 功率耗散（(T_{mb}=25^{circ}C)） | (P_{D}) | 39 | W |
| 功率耗散（(T_{mb}=100^{circ}C)） | (P_{D}) | 19 | W |
| 脈沖漏極電流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)） | (I_{DM}) | 130 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度 | (T{J})，(T{stg}) | -55 to +175 | °C |
| 源極電流（體二極管） | (I_{S}) | 32 | A |
| 單脈沖漏源雪崩能量（(T{J}=25^{circ}C)，(V{DD}=24V)，(V{GS}=10V)，(I{L(pk)}=20A)，(L = 0.1mH)，(R_{G}=25Omega)） | (E_{AS}) | 20 | mJ |
| 焊接引腳溫度（距外殼1/8英寸，10s） | (T_{L}) | 260 | °C |
熱阻參數(shù)
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到安裝板（頂部）穩(wěn)態(tài)熱阻 | (R_{J - mb}) | 3.9 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境穩(wěn)態(tài)熱阻 | (R_{JA}) | 42 | °C/W |
電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | (V_{(BR)DSS}) | (V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A) | 60 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流（(T_{J}=25^{circ}C)） | (I_{DSS}) | (V{GS}=0V)，(V{DS}=60V) | - | - | 1.0 | (mu A) |
| 零柵壓漏極電流（(T_{J}=125^{circ}C)） | (I_{DSS}) | (V{GS}=0V)，(V{DS}=60V) | - | - | 10 | (mu A) |
| 柵源泄漏電流 | (I_{GSS}) | (V{DS}=0V)，(V{GS}=pm 20V) | - | - | ±100 | nA |
| 漏源導(dǎo)通電阻（(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250mu A)） | (R_{DS(on)}) | - | 18 | 24 | mΩ | |
| 輸入電容 | (C_{iss}) | (V_{Gs}=0V)，(f = 1MHz) | 850 | - | - | pF |
| 輸出電容 | (C_{oss}) | (V_{Ds}=25V) | - | - | 85 | pF |
| 反向傳輸電容 | (C_{rss}) | - | - | - | 50 | pF |
| 總柵極電荷（(V{Gs}=4.5V)，(V{ps}=48V)，(I_{p}=10A)） | (Q_{G(TOT)}) | - | - | 9.1 | nC | |
| 閾值柵極電荷 | (Q_{G(TH)}) | - | - | 1.0 | nC | |
| 柵源電荷 | (Q_{GS}) | - | - | 3.0 | nC | |
| 柵漏電荷 | (Q_{GD}) | - | - | 4.0 | nC | |
| 總柵極電荷（(V{Gs}=10V)，(V{ps}=48V)，(I_{p}=10A)） | (Q_{G(TOT)}) | - | - | 17 | nC | |
| 正向二極管電壓（(V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=25^{circ}C)） | (V_{SD}) | - | 0.8 | 1.2 | V | |
| 正向二極管電壓（(V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=125^{circ}C)） | (V_{SD}) | - | 0.7 | - | V | |
| 反向恢復(fù)時間（(t_{a})） | (t_{RR}) | (V{GS}=0V)，(dI{s}/dt = 100A/mu s)，(I_{S}=10A) | - | 11 | - | ns |
| 反向恢復(fù)時間（(t_)） | (t_{RR}) | (V{GS}=0V)，(dI{s}/dt = 100A/mu s)，(I_{S}=10A) | - | 4.0 | - | ns |
| 反向恢復(fù)電荷 | (Q_{RR}) | (V{GS}=0V)，(dI{s}/dt = 100A/mu s)，(I_{S}=10A) | - | 11 | - | nC |
典型特性曲線
導(dǎo)通區(qū)域特性
從圖1可以看出，不同柵源電壓下，漏源電阻隨漏極電流和漏源電壓的變化關(guān)系。這有助于工程師在不同工作條件下選擇合適的柵源電壓，以實現(xiàn)最佳的導(dǎo)通性能。
傳輸特性
圖2展示了漏極電流與柵源電壓的關(guān)系，不同結(jié)溫下的曲線表明了溫度對器件性能的影響。工程師可以根據(jù)實際應(yīng)用中的溫度條件，合理設(shè)計電路，確保器件在不同溫度下都能穩(wěn)定工作。
導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系
圖3顯示了導(dǎo)通電阻隨柵源電壓的變化情況。在設(shè)計電路時，工程師可以根據(jù)所需的導(dǎo)通電阻選擇合適的柵源電壓，以優(yōu)化電路性能。
導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系
圖4展示了導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系。這對于評估器件在不同負載電流下的性能非常有幫助，工程師可以根據(jù)負載電流和柵極電壓的要求，選擇合適的工作點。
導(dǎo)通電阻隨溫度變化
圖5顯示了導(dǎo)通電阻隨結(jié)溫的變化情況。了解導(dǎo)通電阻的溫度特性，有助于工程師在設(shè)計電路時考慮溫度對器件性能的影響，采取相應(yīng)的散熱措施，確保器件在不同溫度環(huán)境下都能正常工作。
漏源泄漏電流與電壓關(guān)系
圖6展示了漏源泄漏電流與漏源電壓的關(guān)系。在實際應(yīng)用中，漏源泄漏電流會影響電路的功耗和穩(wěn)定性，因此了解其特性對于優(yōu)化電路設(shè)計至關(guān)重要。
電容變化特性
圖7顯示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容隨漏源電壓的變化情況。電容特性對于開關(guān)速度和驅(qū)動損耗有重要影響，工程師可以根據(jù)這些特性優(yōu)化驅(qū)動電路的設(shè)計。
柵源電壓與總電荷關(guān)系
圖8展示了柵源電壓與總柵極電荷的關(guān)系。這對于設(shè)計驅(qū)動電路，確定合適的驅(qū)動電壓和電荷，以實現(xiàn)快速開關(guān)和低驅(qū)動損耗非常有幫助。
電阻性開關(guān)時間與柵極電阻關(guān)系
圖9顯示了電阻性開關(guān)時間隨柵極電阻的變化情況。工程師可以根據(jù)開關(guān)時間的要求，選擇合適的柵極電阻，以優(yōu)化開關(guān)性能。
二極管正向電壓與電流關(guān)系
圖10展示了二極管正向電壓與電流的關(guān)系。了解二極管的正向特性，有助于工程師在設(shè)計電路時合理選擇二極管的工作點，確保其正常工作。
最大額定正向偏置安全工作區(qū)
圖11顯示了最大額定正向偏置安全工作區(qū)，這對于確保器件在不同工作條件下的安全性和可靠性非常重要。工程師在設(shè)計電路時，必須確保器件的工作點在安全工作區(qū)內(nèi)。
最大雪崩能量與起始結(jié)溫關(guān)系
圖12展示了最大雪崩能量與起始結(jié)溫的關(guān)系。了解雪崩能量特性，有助于工程師在設(shè)計電路時考慮器件在雪崩情況下的可靠性，采取相應(yīng)的保護措施。
熱響應(yīng)特性
圖13顯示了有效瞬態(tài)熱阻隨脈沖時間的變化情況。這對于評估器件在不同脈沖條件下的熱性能非常有幫助，工程師可以根據(jù)熱響應(yīng)特性設(shè)計合適的散熱方案。
訂購信息
| 目前，NVMFS5826NL有以下型號可供選擇： | 器件型號 | 標記 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|---|---|
| NVMFS5826NLWFT1G | 5826LW | DFN5 (Pb - Free) | 1500 / Tape & Reel |
需要注意的是，部分型號（如NVMFS5826NLT1G、NVMFS5826NLT3G、NVMFS5826NLWFT3G）已停產(chǎn)，不建議用于新設(shè)計。
總結(jié)
onsemi的NVMFS5826NL N溝道MOSFET以其緊湊的設(shè)計、低導(dǎo)通損耗、低驅(qū)動損耗等特性，為電子工程師提供了一個高性能的解決方案。在實際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)產(chǎn)品的參數(shù)和典型特性曲線，合理設(shè)計電路，確保器件在不同工作條件下都能穩(wěn)定、高效地工作。同時，產(chǎn)品的汽車級認證和環(huán)保合規(guī)性，也使其適用于更廣泛的應(yīng)用場景。你在使用這款MOSFET時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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