集成電路上游材料多晶硅片正迎來(lái)國(guó)產(chǎn)化

近日，國(guó)家電投集團(tuán)黃河水電公司宣布已有能力規(guī)模生產(chǎn)電子級(jí)多晶硅，發(fā)展成國(guó)內(nèi)唯一一家集成電路應(yīng)用的高純電子級(jí)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)，打破了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)長(zhǎng)期由國(guó)外公司壟斷的格局，經(jīng)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)，其產(chǎn)品質(zhì)量與德國(guó)、日本知名多晶硅質(zhì)量相當(dāng)。

在國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展下，集成電路上游材料半導(dǎo)體級(jí)硅片一直處于一片難求的狀態(tài)，然而，近日國(guó)內(nèi)多個(gè)半導(dǎo)體用多晶硅項(xiàng)目的規(guī)劃、落地，正預(yù)示著多晶硅片正迎來(lái)國(guó)產(chǎn)化。

海外并購(gòu)助力彎道超車：關(guān)注泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游頭部公司

9月11日，日本半導(dǎo)體廠商瑞薩電子（Renesas）宣布，將以67億美元的總額收購(gòu)美國(guó)半導(dǎo)體廠商Integrated Device Technology（IDT），以提升其在自動(dòng)駕駛汽車技術(shù)方面的競(jìng)爭(zhēng)力。而就在去年，瑞薩電子斥資32億美元收購(gòu)另一家美國(guó)半導(dǎo)體廠商Intersil。

瑞薩電子此番大動(dòng)作引發(fā)了外界對(duì)“沉寂”多年的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否開(kāi)始走向復(fù)興的討論。一次收購(gòu)或許并不能體現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和公司發(fā)展的走向，但在受訪者看來(lái)，并購(gòu)確實(shí)可以在取得技術(shù)和客戶方面實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。此外，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日趨成熟的背景下，并購(gòu)在對(duì)公司規(guī)模的支撐上亦可以發(fā)揮重要作用，而規(guī)模正是半導(dǎo)體公司在全球市場(chǎng)的關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)力之一。

在當(dāng)前中國(guó)大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的背景下，并購(gòu)可為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展帶來(lái)顯著的動(dòng)力。在并購(gòu)的過(guò)程中，除追求技術(shù)、客戶和規(guī)模之外，關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的突破也對(duì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重要意義。

2030年人才缺口最高可達(dá)50萬(wàn)人 集成電路產(chǎn)業(yè)呼喚中國(guó)“芯”

集成電路是信息產(chǎn)業(yè)的基石。我國(guó)自行生產(chǎn)的集成電路品種和數(shù)量還遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了需求，亟需突破核心技術(shù)、實(shí)現(xiàn)自主可控，造出中國(guó)“芯”。在此過(guò)程中，人才的補(bǔ)充成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。由于到2030年集成電路人才缺口預(yù)計(jì)將達(dá)30萬(wàn)至50萬(wàn)人，因此吸引、培養(yǎng)和留住人才，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展亟待突破的難點(diǎn)——

“與迅猛發(fā)展的、龐大的、多樣化的市場(chǎng)需求相比，我國(guó)自行生產(chǎn)的集成電路品種和數(shù)量還遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了需求，許多核心器件難以擺脫受制于人的境地?！比涨埃谟芍袊?guó)科協(xié)和中國(guó)電子信息行業(yè)聯(lián)合會(huì)等單位主辦的“新時(shí)期中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略論壇”上，中科院院士、北京大學(xué)教授王陽(yáng)元表示，我國(guó)必須充分利用不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)資源，在產(chǎn)業(yè)機(jī)制、資本投入、市場(chǎng)開(kāi)拓和人才培育等方面，逐步與國(guó)際接軌。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)：未來(lái)十年將持續(xù)增加研發(fā)投入

對(duì)于一個(gè)多月前在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受中國(guó)證券報(bào)記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入。

英特爾大連第2期NAND Flash工廠投產(chǎn) 將生產(chǎn)96層堆疊產(chǎn)品

處理器大廠英特爾（Intel）在2015年宣布，其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造為NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠之后，現(xiàn)在宣布已經(jīng)正式投產(chǎn)。未來(lái)，主要將生產(chǎn)96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器，積極追趕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的市占率。