InSense即將問世的10軸單芯片慣性（運(yùn)動(dòng)）MEMS傳感器，包括3軸加速度計(jì)+3軸陀螺儀+3軸地磁+壓力傳感器據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，InSense（盈感電子科技）是一家總部位于美國硅谷的MEMS創(chuàng)業(yè)公司，專注于加速度計(jì)、陀螺儀等新一代慣性MEMS傳感器的開發(fā)和量產(chǎn)。InSense創(chuàng)始人源自美國斯坦福大學(xué)和英特爾（Intel），在MEMS器件和工藝開發(fā)方面深耕多年。InSense的MEMS技術(shù)具有顛覆現(xiàn)有慣性傳感器產(chǎn)品的創(chuàng)新性，相比傳統(tǒng)硅MEMS器件在性能上有極大地提高，同時(shí)成本獲得了大幅降低。

其早期MEMS傳感器原型產(chǎn)品在斯坦福MEMS納米制造實(shí)驗(yàn)室開發(fā)。目前，InSense已經(jīng)獲得了三家機(jī)構(gòu)的風(fēng)險(xiǎn)投資，投資方包括New Enterprise Associates（全球第一大VC）、Walden International（華登國際）和斯坦福基金?，F(xiàn)在，MEMS器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車產(chǎn)業(yè)。市場對于集成多用元件的需求正在高速增長，分立式MEMS器件市場開始放緩。在組合式MEMS應(yīng)用中，多個(gè)MEMS器件被集成于單個(gè)芯片，例如多自由度慣性傳感器，這些微機(jī)械加工的MEMS結(jié)構(gòu)（比如加速度計(jì)、陀螺儀以及磁力計(jì)）全部集成在同一個(gè)封裝體內(nèi),以獲得更小的器件尺寸、更低的成本以及更低的功耗，因此，這些對單芯片集成提出了新的要求。然而，目前上述慣性傳感器芯片集成通常以混合方式實(shí)現(xiàn)，其中含有多顆MEMS芯片和ASIC芯片，這些芯片單獨(dú)制造并組裝以形成所需的產(chǎn)品。

由于集成是在器件級(jí)而非晶圓級(jí)上進(jìn)行，這種方案的相關(guān)成本通常很高。此外，由于需要許多層布線和鍵合，因而使得器件整體尺寸較大。這些瓶頸可以由在CMOS襯底上直接制造MEMS器件來解決。不過，硅是目前制造MEMS 器件的主要材料，其沉積與CMOS襯底的所需熱預(yù)算（thermal budget）不兼容，CMOS襯底無法承受任何高于450℃的工藝溫度。InSense的專利技術(shù)通過使用電鍍銅（electroplated copper，e-Cu）作為結(jié)構(gòu)材料，在低于 450℃下直接沉積在ASIC互連層上形成MEMS結(jié)構(gòu)，以單片方式提供了晶圓級(jí)集成。隨后的微制造步驟限定固定到金屬互連體的MEMS器件，從而提供直接電氣接觸。使用目前用于ASIC金屬互連的e-Cu作為結(jié)構(gòu)材料，可以實(shí)現(xiàn)更容易的布線，得益于銅的高密度可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的機(jī)械結(jié)構(gòu)和更小的尺寸。并且由于不需要晶圓鍵合，因此器件成本更低，可以在單個(gè)芯片上集成多個(gè)傳感器。此外，更小的寄生效應(yīng)，可以提供低噪聲和更高的性能。

InSense發(fā)明專利中的一個(gè)實(shí)施例，通過ASIC互連層上的直接工藝在CMOS襯底上進(jìn)行直接制造InSense這項(xiàng)技術(shù)曾于2016年獲得美國國家科學(xué)基金會(huì)（NSF）給予的749,942美元項(xiàng)目（SBIR）支持，該項(xiàng)目已經(jīng)進(jìn)入第二階段。從NSF官方給出的信息看到，該項(xiàng)目的首席調(diào)查員（Principal Investigator）是InSense董事長兼首席執(zhí)行官（CEO）：Noureddine Tayebi。

InSense獲得美國國家科學(xué)基金會(huì)的項(xiàng)目支持

InSense董事長兼首席執(zhí)行官Noureddine TayebiInSense為其創(chuàng)新技術(shù)在美國、歐洲和中國都申請了發(fā)明專利，其專利技術(shù)有望顛覆目前的慣性MEMS產(chǎn)業(yè)格局。InSense近日展示的10軸單芯片慣性（運(yùn)動(dòng)）MEMS傳感器（3軸加速度計(jì)+3軸陀螺儀+3軸地磁+壓力傳感器）目前正在專業(yè)代工廠調(diào)試，預(yù)計(jì)將于2019年問世，讓我們一起拭目以待！