熱輔助磁記錄技術(shù)是通過激光加熱磁存儲介質(zhì)以減小介質(zhì)矯頑力，從而使得磁頭易于對存儲介質(zhì)進(jìn)行磁化的一種技術(shù)。因超順磁效應(yīng)問題，為了達(dá)到超高密度存儲的目標(biāo)則需大幅提高介質(zhì)的矯頑力，由此顯著增加了磁頭寫入的困難性。采用HAMR技術(shù)可 有效提高磁頭在微場強條件下的高密度信息寫入能力，從而被認(rèn)為是可間接應(yīng)對超順磁效應(yīng)的下一 代超高密度存儲技術(shù)途徑之一。

熱輔助磁記錄技術(shù)的特點是熱能和寫入磁場同時作用于記錄位的磁性顆粒上。其中，熱能可以由激光二極管提供，或者由高溫探針提供，而寫入磁場由磁頭或者線圈提供。實現(xiàn)熱磁寫入，熱源（光頭或探針）和磁頭分別位于盤片的兩側(cè)。

相比于商用硬盤所采用的縱向磁記錄技術(shù)和即將采用的垂直磁記錄技術(shù).1999年提出的熱輔助磁記錄技術(shù)仍然處于實驗研究階段。從理論上講，熱輔助磁記錄技術(shù)能解決信息寫入和長久保存的問題，可以實現(xiàn)非常高的記錄密度;但這項技術(shù)能否應(yīng)用到產(chǎn)品上，替代即將推出高用產(chǎn)品的垂直磁記錄技術(shù)還有很多不確定的因素。如最終將以何種方式實現(xiàn)對磁記錄的熱輔助作用，以及熱埔助磁記錄能否實現(xiàn)1-10Tbit/in2超高面記錄密度，在投入大量資源進(jìn)行工業(yè)規(guī)劃之前，細(xì)致地研究每一個可能出現(xiàn)的問題，提出解決方案并加以驗證。是這項技術(shù)實用化前需要做的工作。