▌半導(dǎo)體：十年產(chǎn)業(yè)投資大機(jī)會(huì)

中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模占全球比重持續(xù)提高。

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)等統(tǒng)計(jì)，2017年受存儲(chǔ)器漲價(jià)影響和物聯(lián)網(wǎng)需求推動(dòng)，全球半導(dǎo)體收入約4122.21億美元，同比增長(zhǎng)16%。

預(yù)計(jì)2018年全球半導(dǎo)體收入達(dá)到4779.36億美元，實(shí)現(xiàn)連續(xù)3年穩(wěn)步增長(zhǎng)。

其中，中國(guó)為全球需求增長(zhǎng)最快的地區(qū)。2017年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為1102.02億美元，同比增長(zhǎng)19.9%。

隨著5G、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等下游產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步興起，疊加全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移，中國(guó)將持續(xù)成為全球最大和貿(mào)易最活躍的半導(dǎo)體市場(chǎng)。預(yù)計(jì)2018我國(guó)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額再增20%，達(dá)到1322億美元。

我國(guó)集成電路市場(chǎng)增速全球第一。

2016年我國(guó)集成電路銷(xiāo)售額624.98億美元，2017年為828.15億美元，同比增長(zhǎng)32%，是全球集成電路產(chǎn)業(yè)增速最快的區(qū)域。預(yù)計(jì)2018再增20%，達(dá)到993.1億美元。

統(tǒng)計(jì)2000年以來(lái)18年間集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模年均增速，中國(guó)CAGR為20.6%，全球CAGR為4.8%。中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)擴(kuò)大，在全球的占比持續(xù)提高，已成為全球主要消費(fèi)市場(chǎng)。

中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)增速在17Q3至18Q1曾短暫低于全球增速，主要由于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)仍處于突破初期，而本輪半導(dǎo)體景氣度主要推手為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，所以導(dǎo)致國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)增速短暫低于全球增速，但長(zhǎng)期來(lái)看我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占全球比重提升的大趨勢(shì)沒(méi)有改變，長(zhǎng)期增速將始終維持較高水平。

產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移，中國(guó)占比不斷提高。從我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遷移歷史來(lái)看，各細(xì)分板塊均經(jīng)歷了技術(shù)突破、份額提升、國(guó)際領(lǐng)先三個(gè)階段，其中光伏、顯示面板、LED等泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，均已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

目前半導(dǎo)體封裝測(cè)試、IC設(shè)計(jì)等產(chǎn)業(yè)已經(jīng)站穩(wěn)腳跟，進(jìn)入份額提升期。半導(dǎo)體制造、設(shè)備、材料等方面，我國(guó)相關(guān)技術(shù)不斷突破，有望在區(qū)域聚集屬性下，重演產(chǎn)業(yè)遷移之路。

▌國(guó)之重器、大投入加快推進(jìn)

國(guó)產(chǎn)化需求快速提升，各大領(lǐng)域不斷突破

國(guó)內(nèi)現(xiàn)狀:自給率亟待提升，產(chǎn)業(yè)鏈布局完善

中國(guó)集成電路市場(chǎng)增速全球第一，三業(yè)發(fā)展日趨均衡，雖然核心芯片自給率仍然較低，但產(chǎn)業(yè)鏈布局齊全。

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)集成電路行業(yè)銷(xiāo)售額從2013年的2508.5億元增長(zhǎng)至2017年5411.3億元，四年間翻了一番，是全球發(fā)展最快的區(qū)域。

但核心芯片(如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)CPU/MPU、通用電子統(tǒng)FPGA/EPLD/DSP、通信裝備嵌入式MPU/DSP、存儲(chǔ)、顯示及視頻驅(qū)動(dòng))自給率低。

據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2017年我國(guó)芯片自給率約11.2%，預(yù)計(jì)2020年國(guó)產(chǎn)化比例15%。

從設(shè)計(jì)、晶圓代工、封測(cè)、設(shè)備四方面來(lái)看:

Fabless為三業(yè)中發(fā)展最快，高端產(chǎn)品空白有待填補(bǔ)。

我國(guó)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模從1999年的3億元增長(zhǎng)到2018年的2576億元，GAGR~+42%。存儲(chǔ)、邏輯、模擬、射頻、傳感、功率半導(dǎo)體等產(chǎn)品線及其細(xì)分領(lǐng)域均有布局，但高端芯片如WIFI芯片，藍(lán)牙芯片，交換機(jī)芯片，F(xiàn)PGA芯片等國(guó)產(chǎn)化率接近零。

向高性能、高端產(chǎn)品轉(zhuǎn)變、領(lǐng)導(dǎo)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)，獲取產(chǎn)品生命周期中利潤(rùn)最豐厚的關(guān)鍵時(shí)段，是未來(lái)IC設(shè)計(jì)方向國(guó)產(chǎn)化突破方向。

晶圓代工國(guó)產(chǎn)化率為三業(yè)中最高。以中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體為代表的大陸晶圓代工廠漸露曙光。2018上半年，中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體分別以17.28億美元和4.33億美元營(yíng)收位列全球十大晶圓代工第五和第九。

新增需求來(lái)自于物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用電子、云端運(yùn)算、人工智能、消費(fèi)性電子等終端以及本土Fabless崛起促進(jìn)晶圓代工服務(wù)需求增加。

本土封測(cè)業(yè)高速增長(zhǎng)，規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大。

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)封裝分會(huì)統(tǒng)計(jì)，2017年國(guó)內(nèi)集成電路測(cè)試產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額由2016年的1523,2億元增至1816.6億元，同比增長(zhǎng)19.3%。

然而先進(jìn)封裝技術(shù)、綜合技術(shù)水平仍存在相當(dāng)差距，自主創(chuàng)新能力仍顯不足。

國(guó)內(nèi)封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈不甚健全，對(duì)設(shè)備、材料的依賴，裝備和材料的國(guó)產(chǎn)化水平有待提高。

設(shè)備方面，據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2018年全球設(shè)備銷(xiāo)售金額超600億美元，其中我國(guó)僅次于韓國(guó)，以118億美元市場(chǎng)和43.5%的增長(zhǎng)率排名第二。

預(yù)計(jì)2020年我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到663.96億元。

目前，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)仍非常依賴進(jìn)口，但從產(chǎn)業(yè)布局角度來(lái)看，國(guó)內(nèi)廠商布局極為完善，幾乎覆蓋半導(dǎo)體生產(chǎn)制造過(guò)程中每個(gè)環(huán)節(jié)所需的所有主要設(shè)備。

拉晶、光刻、沉積、刻蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等各個(gè)環(huán)節(jié)均有多家國(guó)內(nèi)廠商布局覆蓋。

存儲(chǔ):大國(guó)市場(chǎng)縱深孕育關(guān)鍵產(chǎn)品突破

寡頭格局下的默契聯(lián)盟

寡頭格局下，理性競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系有望長(zhǎng)期維持。

以本次存儲(chǔ)景氣度主要抓手DRAM為例，三星、海力士、美光三巨頭享有DRAM市場(chǎng)95%以上的份額，綜合考慮份額、制程、成本、護(hù)城河、市場(chǎng)成長(zhǎng)性、下游穩(wěn)定性、擴(kuò)產(chǎn)能力、公司口徑等八項(xiàng)因素，我們認(rèn)為目前的寡頭格局仍然牢固，供給端大概率將延續(xù)目前理性的競(jìng)爭(zhēng)格局，盲目擴(kuò)產(chǎn)可能性較小，供需關(guān)系有望長(zhǎng)期維持健康結(jié)構(gòu)。

DRAM市場(chǎng)目前整體仍呈現(xiàn)“三星、海力士、美光占據(jù)90%以上份額，***省廠商走利基路線”的局面。

18Q2三星、海力士、美光市場(chǎng)份額為43.6%、29.9%、21.6%。供需方面，DRAM產(chǎn)業(yè)鏈供需優(yōu)秀，Q2淡季同步補(bǔ)庫(kù)存，如純DRAM廠商南亞科，庫(kù)存回補(bǔ)同步于營(yíng)收增長(zhǎng)。

產(chǎn)能方面，我們結(jié)合各家定期報(bào)告與Gartner等研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2018全球平均DRAM產(chǎn)能為1250kWPM，同比成長(zhǎng)7%。

其中三星產(chǎn)能460kWPM，增幅來(lái)自于產(chǎn)品組合優(yōu)化和平澤一廠二層;海力士在17年底M10/14廠和西安廠共計(jì)325kWPM的基礎(chǔ)上，產(chǎn)能再增10%，到達(dá)350kWPM;而美光由于制程稍落后，擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力不足，月產(chǎn)能345kWPM，增幅4%。

DRAM位元增速趨緩，預(yù)計(jì)18全年位元增速~20%。18Q2值制程遷移攻關(guān)，各存儲(chǔ)龍頭廠商進(jìn)度不同程度放緩，新廠在建。

美光預(yù)計(jì)，年均位元增速將達(dá)12年來(lái)低點(diǎn)。但考慮Q3下游智能手機(jī)新功能發(fā)布、云服務(wù)器DRAM需求，預(yù)計(jì)18全年DRAM位元增速~20%。

CapEx方面，美光統(tǒng)計(jì)十年來(lái)年位元增長(zhǎng)率。單位位元增長(zhǎng)率所需CapEx持續(xù)走高，CapEx和位元產(chǎn)出差距擴(kuò)大。

18Q2，美光、三星等CapEx策略偏向制程遷移和新品研發(fā)，海力士、南亞科等偏向新建廠間和產(chǎn)能擴(kuò)張。三星2017全年DRAM資本支出達(dá)78億美元，主要用于DRAM制程轉(zhuǎn)移，以及填補(bǔ)制程轉(zhuǎn)移損失的容量消耗，金額和年成長(zhǎng)幅度創(chuàng)新高。

DRAM廠商擴(kuò)產(chǎn)步伐放緩，意在保持盈利能力。三星此前計(jì)劃在華城部分產(chǎn)能用于DRAM，并且在平澤二樓新增1ynmDRAM產(chǎn)能，但是擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃始終未落實(shí)。

海力士M14的產(chǎn)能計(jì)劃主要用于NAND生產(chǎn)，新增的DRAM主要由無(wú)錫工廠提供，而無(wú)錫工廠預(yù)計(jì)要2019年才能提供營(yíng)收貢獻(xiàn)。

美光一直沒(méi)有晶圓擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，而是專(zhuān)注于技術(shù)進(jìn)步帶來(lái)位元增長(zhǎng)和成本降低。

同時(shí)，南亞科也在法人說(shuō)明會(huì)是表示投片將“依據(jù)DRAM應(yīng)用需求增加，持續(xù)觀察產(chǎn)能增加情況”，再次表明業(yè)內(nèi)廠商對(duì)盈利能力的關(guān)注。

制程方面，三星目前仍處于絕對(duì)領(lǐng)先地位，主力制程18nm良率已經(jīng)超過(guò)85%，估計(jì)三星內(nèi)部占比將接近五成，正往七成的比重邁進(jìn)。而在17年12月份，三星更是宣布正式量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別1Ynm8GbDDR4芯片，性能提高10%同時(shí)功耗降低15%，DieSize下降約30%。

SK海力士目前以21nm制程為主，估計(jì)占比約七成，其余為25nm制程。

17年受限于工廠空間，21nm制程已無(wú)再提升比重的計(jì)劃。

17年底海力士18nm制程將進(jìn)入量產(chǎn)階段，也預(yù)計(jì)2018年將會(huì)用18nm制程擴(kuò)大產(chǎn)出量與占比。M10廠由于工廠較舊，轉(zhuǎn)進(jìn)18nm制程將產(chǎn)生較大的晶圓損失，我們認(rèn)為目前主要關(guān)注無(wú)錫二期的進(jìn)展和具體產(chǎn)品、制程規(guī)劃。

美光目前主力制程仍然是20nm與25nm，17年致力于17nm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，但從晶圓的產(chǎn)出顆粒來(lái)看，其17nm制程僅等同于三星20nm制程，故技術(shù)來(lái)看算是目前三巨頭中較為落后。

在產(chǎn)能上基本上也都已滿載，唯一還有剩余空間可以利用的只有***美光(原瑞晶)的A2廠區(qū)，此場(chǎng)區(qū)雖然因?yàn)?7nm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，已經(jīng)有部份機(jī)臺(tái)進(jìn)駐，但評(píng)估仍有部分空間可供利用，此外美光目前尚無(wú)興建新工廠計(jì)劃。

從大廠的擴(kuò)廠投資看來(lái)屬于相對(duì)保守，產(chǎn)能擴(kuò)張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩。

設(shè)備:中國(guó)將成全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

中國(guó)將成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，同時(shí)刻蝕、沉積、清洗、檢測(cè)設(shè)備均實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)突破。

相較于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的逐季下滑，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)，前三季度銷(xiāo)售額逐季提升，銷(xiāo)售規(guī)模分別達(dá)26、38、40億美元，對(duì)應(yīng)同比增速為31%、51%、106%。

SEMI數(shù)據(jù)顯示，2019年我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)增速有望維持在50%左右，對(duì)應(yīng)全年銷(xiāo)售額有望超170億美元。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東遷帶動(dòng)中國(guó)設(shè)備市場(chǎng)高速成長(zhǎng)

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)增速放緩。

日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額達(dá)566億美元，同比增長(zhǎng)37%。

但2018年以來(lái)，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷(xiāo)售額逐季下滑，前三季度銷(xiāo)售額合計(jì)為495億美元，智研咨詢預(yù)計(jì)全年銷(xiāo)售額為601億美元，對(duì)應(yīng)同比增速僅為6%。

大陸晶圓廠建廠潮帶動(dòng)設(shè)備需求持續(xù)增長(zhǎng)。

根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，目前我國(guó)晶圓廠在建產(chǎn)能涉及12家公司、15個(gè)項(xiàng)目，投資額合計(jì)4399.9億元，在建產(chǎn)能超過(guò)81萬(wàn)/月。

預(yù)計(jì)2018年將貢獻(xiàn)約50萬(wàn)片/月產(chǎn)能。

同時(shí)，根據(jù)SEMI預(yù)測(cè)，2017至2020年，中國(guó)大陸將建成投產(chǎn)26座晶圓廠，占全球綜述的42%。大量晶圓廠的擴(kuò)建、投產(chǎn)，將帶動(dòng)對(duì)上游半導(dǎo)體設(shè)備的需求提升，更有望為國(guó)產(chǎn)化設(shè)備打開(kāi)發(fā)展空間。

全面完整布局，多項(xiàng)設(shè)備均實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)突破

我們將從半導(dǎo)體生產(chǎn)制造流程逐一介紹設(shè)備需求，并對(duì)國(guó)產(chǎn)化情況進(jìn)行分析。從生產(chǎn)流程看，芯片生產(chǎn)大致可分為硅片制造、芯片制造、封裝測(cè)試三部分，其中硅片制造與芯片制造兩個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘較高。

半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)集中度較高，且多為海外龍頭占據(jù)主要份額。

目前，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)仍非常依賴進(jìn)口，從市場(chǎng)格局來(lái)看，細(xì)分市場(chǎng)均有較高集中度，主要參與廠商一般不超過(guò)5家，top3份額往往高于90%，部分設(shè)備甚至出現(xiàn)一家獨(dú)大的情況。

國(guó)內(nèi)廠商在全部環(huán)節(jié)所需設(shè)備領(lǐng)域均有所布局。

雖然目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備仍較為依賴進(jìn)口，但從產(chǎn)業(yè)布局角度來(lái)看，國(guó)內(nèi)廠商布局極為完善，幾乎覆蓋半導(dǎo)體生產(chǎn)制造過(guò)程中每個(gè)環(huán)節(jié)所需的所有主要設(shè)備。

拉晶、光刻、沉積、刻蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等各個(gè)環(huán)節(jié)均有多家國(guó)內(nèi)廠商布局覆蓋。

刻蝕設(shè)備:中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)均已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)突破。2017年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為42億美元，2022年市場(chǎng)空間有望達(dá)50億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為3.77%。

目前拉姆研究與東京電子占據(jù)了刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的主要份額，二者市占率分別達(dá)43%、34%。

國(guó)產(chǎn)化方面，北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)發(fā)了65nm以下的刻蝕設(shè)備，部分技術(shù)已經(jīng)接近甚至優(yōu)于國(guó)際水平，有望充分受益于制程演進(jìn)帶動(dòng)的刻蝕設(shè)備需求提升。

2017年，全球薄膜制備市場(chǎng)為125億美元，其中沉積設(shè)備市場(chǎng)為80億美元，預(yù)計(jì)2025年薄膜制備市場(chǎng)空間為360億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為14%。市場(chǎng)格局來(lái)看，AMAT占據(jù)了主導(dǎo)地位，其CVD設(shè)備

市占率近60%，PVD設(shè)備市占率達(dá)76%。

國(guó)產(chǎn)化方面，北方華創(chuàng)PVD、LPCVD、APCVD、PECVD設(shè)備均已實(shí)現(xiàn)突破，中微半導(dǎo)體MOCVD已供應(yīng)多家LED廠商，包括三安光電、兆馳股份、乾照光電、聚燦光電、德豪潤(rùn)達(dá)、士蘭明芯等。

清洗設(shè)備:2016年全球清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)40億美元，其中單片清洗設(shè)備銷(xiāo)售額約為18億美元，日本網(wǎng)盤(pán)占據(jù)50%以上份額。

為保證芯片制備過(guò)程中不受雜志干擾，每個(gè)環(huán)節(jié)完成后均需要進(jìn)行清洗才可進(jìn)行下一步，估算清洗工藝占芯片制造步驟的三分之一，且隨著制程不斷縮小，清洗的重要性愈發(fā)重要，國(guó)產(chǎn)清洗設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)、至純科技。

檢測(cè)設(shè)備:2017年半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)44億美元，其中KLA市占率達(dá)55%，全球市場(chǎng)空間2022年有望達(dá)到80億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為12%。

國(guó)產(chǎn)化方面，長(zhǎng)川科技測(cè)試機(jī)已獲長(zhǎng)電、華天、日月光在內(nèi)的多家龍頭企業(yè)使用和認(rèn)可;精測(cè)電子由平板顯示檢測(cè)龍頭換擋半導(dǎo)體打開(kāi)新市場(chǎng)空間。

國(guó)家戰(zhàn)略聚焦、巨大市場(chǎng)縱深、產(chǎn)業(yè)資本支持，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)黃金十年到來(lái)。未來(lái)四年，全球62座新建晶圓廠中將有26座落戶中國(guó)大陸。

資金支持方面，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期1400億初顯成效，帶動(dòng)各級(jí)產(chǎn)業(yè)資金總計(jì)約近5000億，第二期2000億有望推出，將引領(lǐng)社會(huì)投資上萬(wàn)億。

市場(chǎng)縱深方面，中國(guó)存儲(chǔ)、汽車(chē)、IoT及消費(fèi)電子巨大市場(chǎng)空間推動(dòng)芯片需求提升，國(guó)家戰(zhàn)略政策聚焦+產(chǎn)業(yè)資本支持驅(qū)動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從材料、設(shè)備到設(shè)計(jì)、制造、封裝，產(chǎn)業(yè)鏈上所有企業(yè)將迎來(lái)黃金發(fā)展期!