WBG功率器件的軟/硬開關(guān)應(yīng)用案例
新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細(xì)的分析了開關(guān)性能,損耗計算以及測試,仿真技巧.
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
開關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
3310瀏覽量
98087 -
ti
+關(guān)注
關(guān)注
114文章
8068瀏覽量
219256 -
功率器
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
9瀏覽量
8314
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體銷售團(tuán)隊(duì)認(rèn)知教程：電力電子硬開關(guān)與軟開關(guān)技術(shù)的演進(jìn)邏輯
楊茜SiC碳化硅功率半導(dǎo)體銷售團(tuán)隊(duì)認(rèn)知教程：電力電子硬開關(guān)與軟開關(guān)技術(shù)的演進(jìn)邏輯及SiC MOSFET的顛覆性賦能作用研究報告 BASiC
飛凌嵌入式ElfBoard-軟連接（符號鏈接）與硬連接之symlink和link
將要指向的源文件。linkpath：軟鏈接的鏈接文件名稱。4.返回值成功返回0，失敗返回-1，并會設(shè)置errno。 2.7.2 link用于創(chuàng)建硬鏈接文件。1.頭文件#include 2.函數(shù)原型int
發(fā)表于 01-04 09:10
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
與440V碳化硅MOSFET可在兩電平和三電平的硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)渲?，提供卓越?b class='flag-5'>功率密度和系統(tǒng)效率，主要面向人工智能服務(wù)器電源、
飛凌嵌入式ElfBoard-軟連接（符號鏈接）與硬連接
Linux系統(tǒng)中，有軟連接和硬連接兩種不同的文件鏈接方式。硬連接是對文件的另一個目錄項(xiàng)，所有硬連接都指向相同的inode，就好比一塊存儲數(shù)據(jù)的內(nèi)存有著多個名字，每增加一個
發(fā)表于 12-26 08:52
高功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及
發(fā)表于 10-11 15:32
?38次下載
CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型 硬開關(guān)與軟開關(guān)場景解析
在功率電子領(lǐng)域，英飛凌的CoolSiCMOSFETG2以其卓越性能備受關(guān)注。本文將重點(diǎn)分析如何在硬開關(guān)和軟開關(guān)兩種應(yīng)用場景下，正確選型Coo
電源功率器件篇：線路寄生電感對開關(guān)器件的影響
、降低線路寄生電感影響的方案
1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計
▍縮短功率回路路徑
? 將功率開關(guān)器件、直流母線電容、驅(qū)動電路等盡可能靠近布局，減少功率
發(fā)表于 07-02 11:22
基于CM6901的LLC半橋諧振開關(guān)電源設(shè)計
問題。這種應(yīng)用設(shè)計可滿足目前市場上中、高功率，高效率電源的設(shè)計需求。
關(guān)鍵詞：CM6901；LLC；開關(guān)電源；高效率
引 言
隨著開關(guān)電源朝高效率、小體積的方向發(fā)展，軟
發(fā)表于 06-05 15:14
什么是功率器件？特性是什么？包含哪些？
功率器件定義與核心特性 功率器件（Power Semiconductor Device）是電力電子領(lǐng)域的核心組件，特指直接處理電能的主電路器件
功率器件開關(guān)功耗測試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試
功率器件（MOSFET/IGBT） 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電
發(fā)表于 05-14 09:03
?1471次閱讀
芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗
在功率器件的世界里，開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。
浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
主導(dǎo)著逆變器設(shè)計領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得
開關(guān)電源環(huán)路開關(guān)電源技術(shù)的十個關(guān)注點(diǎn)
上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和
發(fā)表于 04-09 15:02
軟&硬 PLC：自動化控制領(lǐng)域的技術(shù)博弈
在工業(yè)自動化的大舞臺上，PLC（可編程邏輯控制器）宛如掌控全局的 “智慧中樞”，其重要性不言而喻。隨著科技的飛速發(fā)展，PLC 逐漸形成了兩大不同的分支：硬 PLC 和軟 PLC。這兩者在功能上有諸多相似之處，但在架構(gòu)和應(yīng)用場景方面卻各有千秋。接下來，我們就深入了解一下它們
工商網(wǎng)監(jiān)
評論