DRAM，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式。 SRAM，靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。 SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。 DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。

以PC133為例，它的時鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發(fā)讀操作，10個周期完成8個突發(fā)寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當(dāng)然除去刷新操作）。其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲器。“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會丟失。這一點(diǎn)與動態(tài)RAM（DRAM）不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)?！半S機(jī)訪問”是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。

SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當(dāng)中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。

SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問獨(dú)立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。

DRAM：動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式。

SRAM：靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。

SDRAM：同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。主要是存儲單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態(tài)的，一個是動態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，而動態(tài)的是用電子，要不時的刷新來保持。 內(nèi)存（即隨機(jī)存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM，和動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM兩種。我們經(jīng)常說的“ 內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。

SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保 持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱?，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 內(nèi)部的一級緩存以及內(nèi)置的二級緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。