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陳小龍:碳化硅晶圓國產(chǎn)化先鋒

kus1_iawbs2016 ? 來源:lp ? 2019-04-11 14:30 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,一般將硅、鍺等材料稱為第一代半導(dǎo)體,將砷化鎵等材料稱為第二代半導(dǎo)體,將碳化硅、氮化鎵等材料稱為第三代半導(dǎo)體。

碳化硅主要用于制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件,是發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,在新能源汽車、太陽能發(fā)電、機(jī)車牽引、大功率輸配電、微波通訊和寶石等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景。

中國科學(xué)院物理研究所陳小龍研究員帶領(lǐng)他的團(tuán)隊(duì),長期聚焦于碳化硅晶體生長,走出了一條從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)業(yè)化的自主創(chuàng)新之路,將研究成果進(jìn)行產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,成功打造出一家國內(nèi)碳化硅晶圓的龍頭企業(yè)-北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司,打破了國外的技術(shù)壟斷,成為國內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)業(yè)的開拓者。

中國科學(xué)院物理研究所 陳小龍

二十年磨一劍

碳化硅晶體生長難度很大,需要在2300℃以上進(jìn)行,加上生長過程中化學(xué)成分容易偏離,導(dǎo)致許多缺陷的形成,國際上的研究進(jìn)展一直很緩慢。直到上世紀(jì)九十年代初,美國、德國等在技術(shù)上才有所突破,但該技術(shù)對其它國家嚴(yán)格保密。

1999年剛開始從事碳化硅晶體研究時(shí),陳小龍和他的團(tuán)隊(duì)只能根據(jù)基本物理原理,從零做起,一點(diǎn)點(diǎn)摸索基礎(chǔ)的實(shí)驗(yàn)規(guī)律,同時(shí)研發(fā)生長設(shè)備。經(jīng)過7年的辛苦打拼,他們掌握了碳化硅晶體生長的基本規(guī)律和一些關(guān)鍵技術(shù),把晶體尺寸從厘米級(jí)擴(kuò)大到2英寸,終于看到了產(chǎn)業(yè)化的曙光。

2006年,以物理所的碳化硅晶體生長技術(shù)入股,陳小龍發(fā)起成立了國內(nèi)第一家碳化硅產(chǎn)業(yè)化公司-北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司。但產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程并非一帆風(fēng)順,經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn),因?yàn)閲鴥?nèi)沒有任何經(jīng)驗(yàn)可以借鑒。作為一種高技術(shù)產(chǎn)品,要求碳化硅晶體內(nèi)不能有任何宏觀缺陷,微觀缺陷要非常低,更重要的是要保證不同批次的晶體質(zhì)量穩(wěn)定。這些都對碳化硅晶圓的制備形成了挑戰(zhàn)。

面對這些挑戰(zhàn),需要深入系統(tǒng)地研究,找出缺陷的形成機(jī)理,提出解決方案,再應(yīng)用于生產(chǎn)。陳小龍帶領(lǐng)他的團(tuán)隊(duì),經(jīng)過不懈努力,不畏失敗,相繼攻克了2英寸、4英寸和6英寸碳化硅晶圓的基礎(chǔ)問題和關(guān)鍵技術(shù),并持續(xù)開發(fā)了4代具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的晶體生長爐。如今他們研發(fā)的碳化硅晶圓已進(jìn)入國際市場,支持了國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的全面崛起。

基礎(chǔ)研究推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化

很多人不理解產(chǎn)業(yè)化對基礎(chǔ)研究的需要。陳小龍說:“在我看來,產(chǎn)業(yè)化階段的技術(shù)水平,恰恰是基礎(chǔ)研究階段積累的體現(xiàn)”“更讓我高興的是,每當(dāng)在實(shí)驗(yàn)室里有了新的突破,都能很快用到產(chǎn)業(yè)化中去,使碳化硅晶圓質(zhì)量大幅提升”。如果半導(dǎo)體晶圓質(zhì)量不過關(guān),一定是有些基本規(guī)律沒有掌握。因此,基礎(chǔ)研究在高技術(shù)領(lǐng)域是非常重要的。

在陳小龍看來,產(chǎn)學(xué)研的實(shí)質(zhì)性合作,也是推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)化的重要因素。

一方面實(shí)驗(yàn)室的基礎(chǔ)研究取得進(jìn)展后,可以馬上把得到的新認(rèn)識(shí)、新規(guī)律應(yīng)用到生產(chǎn),得到反饋后又能在實(shí)驗(yàn)室盡快開展針對性研究。這種產(chǎn)學(xué)研的密切結(jié)合,有助于加快產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。

另一方面可以培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)化所需的關(guān)鍵技術(shù)人才,加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。他已經(jīng)培養(yǎng)了多名從事碳化硅晶體生長的博士,這些畢業(yè)生目前已成為碳化硅晶圓研發(fā)和管理的中堅(jiān)力量。

“創(chuàng)新從來都是九死一生”

“創(chuàng)新從來都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上,未來還充滿了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻,還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器件向大功率、高電壓方向的發(fā)展,對晶體的質(zhì)量要求越來越高,缺陷越來越少;為降低成本,晶體的尺寸需要越做越大。

面對質(zhì)量提高和尺寸增加所帶來一系列新的技術(shù)問題,陳小龍和他的團(tuán)隊(duì)仍然堅(jiān)持基礎(chǔ)研究,堅(jiān)持自主創(chuàng)新。因?yàn)楹诵募夹g(shù)是拿不來的,等不來的。陳小龍?zhí)寡裕骸霸谔蓟杈w研發(fā)的路上還有很長的路要走,需堅(jiān)守初心、砥礪前行,把這一產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)做大,推動(dòng)國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展”。

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原文標(biāo)題:【成員風(fēng)采】創(chuàng)新人物-陳小龍:碳化硅晶圓國產(chǎn)化先鋒

文章出處:【微信號(hào):iawbs2016,微信公眾號(hào):寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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